Кикучи-электронограммы

Автор не упомянул об интерференционных эффектах при неупругом рассеянии под большими углами (кикучи-электронограммы). — Прим. ред. [c.93]

В работе Чуховского, Алексанян и Пинскера [A ta ryst., А29, 38 (1973)] развита строгая динамическая теория образования кикучи-линий, позволившая впервые получить известные из эксперимента параметры кикучи-электронограмм для поглощающего кристалла. В дальнейшем трехволновой расчет привел к получению линий внутри полосы. — Прим. ред. [c.323]

Рис. 2. Кикучи-электронограмма, полученная методом на отражение (симметрично расположены тёмные и светлые кикучи-ли-нии).

Рнс. Z. Кикучн-электронограмма, полученная методом на отражение (симметрично расположены тёмные и свет лые кикучи-лннии). [c.585]

Возможность получения полезной информации о дефектах в кристалле, разупорядочении или возмущении на основе диффузного рассеяния на электронограммах рассматривалась несколькими авторами. В этой области существуют очевидные ограничения в связи с образованием кикучи-линий в любом распределении диффузного рассеяния, однако на практике эти эффекты можно в значительной степени устранить, проводя усреднение по малой области углов падения (или кристаллических ориентаций), поскольку ки-кучи-линии очень сильно зависят от ориентации. Начальные расчеты проведены Фишером [136] в предположении, что интенсивность диффузного рассеяния на электронограммах от сплавов Си—Аи, обусловленную ближним порядком, можно связать с интенсивностью кинематического рассеяния с помощью плавно изменяющегося динамического множителя . Однако было обнаружено, что модификацию диффузного рассеяния размерным эффектом от таких сплавов можно ослабить сильными двумерными динамическими взаимодействиями вблизи главных ориентаций (см.гл. 16). Все это, а также изучение теплового диффузного рассеяния плюс соображения, основанные на приближениях фазовой решетки, привели Каули [85а, 856] к мысли, что учет динамических эффектов может оказаться полезным, поскольку он позволит вы- [c.278]

Результаты таких расчетов для двумерных дифракционных картин представляют значительный интерес. Похоже на то, что в общем отношение интенсивностей динамического и кинематического рассеяния для чисто диффузного рассеяния при наличии ближнего порядка можно представлять плавно изменяющейся функцией, возрастающей с расстоянием от начала координат. В связи с этим ожидается, что динамические эффекты не будут влиять на положение и форму максимумов диффузного рассеяния (за исключением случая почти совершенного кристалла, когда при прохождении через максимум появляется сильная кикучи-линия), но относительные интенсивности при переходе от одного участка электронограммы к другому в целом изменятся. [c.385]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...