Электропроводность удельна собственная

Используя выражения (4.19) и (4.20), получаем формулу для удельной электропроводности собственного полупроводника, которая определяет ее изменение с температурой [c.133]

При большем нагреве или при более сильных других воздействиях ионизируются основные частицы, из которых построен твердый диэлектрик. Удельная проводимость изменяется с ростом тем--пературы с большей скоростью, так как число основных ионов намного больше числа ионов, образовавшихся при ионизации дефектов или примесей. Потенциальный барьер W и энергия активации процесса электропроводности для основных ионов больше, чем для ионов и примесей. Эта область электропроводности называется высокотемпературной собственной. [c.143]

Зависимость удельной проводимости твердого диэлектрика с ионной электропроводностью от температуры такая же, как и для жидкого диэлектрика. Потому (5.7) справедлива и для твердых диэлектриков. Если в твердом диэлектрике наблюдается примесная и собственная ионная электропроводность, то зависимость проводимости от температуры выражается формулой [c.143]

При дальнейшем повышении температуры наступает истощение примеси — полная ее ионизация. Собственная же электропроводность заметно еще не проявляется. В этих условиях концентрация свободных носителей практически от температуры не зависит и температурная зависимость удельной проводимости полупроводника [c.273]

Физические свойства германия приведены в табл. 8-3. Удельная проводимость германия с различной концентрацией мышьяка зависит от температуры. Из рис. 8-17 видны области температур, в которых проявляются собственная и примесная составляющие электропроводности германия. Кроме того, видно, что при большом содержании примесей (кривая 6) имеем вырожденный полупроводник. [c.254]

Особую ценность имеют измерения зависимости постоянной Холла от температуры. Они позволяют установить температурную зависимость концентрации носителей заряда, а в совокупности с измерениями удельной электропроводности — температурную зависимость подвижности. По температурной зависимости. концентрации или постоянной Холла в области слабой ионизации примеси можно определить энергию ионизации примеси р, а в области собственной проводимости — ширину запрещенной зоны Eg. На рис. 9.5 показана зависимость от температуры концентрации но-268 [c.268]

Повышение удельной проводимости кремния с увеличением Т в области низких температур обусловлено увеличением концентрации свободных носителей заряда — электронов за счет ионизации донорной примеси. При дальнейшем повышении температуры наступает истощение примеси — полная ее ионизация. Собственная же электропроводность кремния заметно еще не проявляется. В этих условиях концентрация свободных носителей практически от температуры не зависит и температурная зависимость удельной проводимости полупроводника определяется зависимостью подвижности носителей от температуры. Наблюдаемое в этой области температур уменьшение удельной проводимости кремния с увеличением температуры происходит за счет рассеяния свободных носителей заряда на тепловых колебаниях решетки. Однако возможен и такой случай, когда область истощения примеси оказывается в интервале температур, где основным механизмом рассеяния является рассеяние на ионах примеси. Тогда удельная проводимость полупроводника [c.67]

Резкое увеличение удельной проводимости при дальнейшем росте температуры (см. рис. 9.2) соответствует области собственной электропроводности кремния, в которой с увеличением температуры концентрация свободных носителей увеличивается экспоненциально, а подвижность уменьшается по степенному закону. [c.67]

На рис. 14.3 приведены кривые температурной зависимости удельной проводимости п-типа (кривая 1 примеси 1,3-10 м ), р-типа (кривая 2 примеси 4 -10 м ) и п-типа образца высокой степени чистоты (кривая 3 иримеси 10 м ). Искривление кривой собственной электропроводности при высоких температурах объясняется вырождением электронного газа. Благодаря тому, что подвижность электронов много больше подвижности дырок, кривая наиболее чистого образца не соответствует минимальной проводимости, как у германия и кремния (кривая удельной проводимости образца р-типа в некоторой области температур расположена ниже кривой наиболее чистого образца). [c.101]

Типичная кривая зависимости удельной проводимости от температуры приведена на рис. 8-4, а. Эту кривую удобно строить в полулогарифмическом масштабе, откладывая по оси ординат 1п7, а по оси абсцисс 1/Т . Отрезки прямых в области низких температур характеризуют примесную электропроводность при различной концентрации носителей, затем имеется переходный участок (примесные уровни истощились ) и дальше, в области высоких температур, проявляется собственная электропроводность полупроводника. На основании этого рисунка для линейных участков может быть написано уравнение [c.332]

Карбид кремния, легированный фосфором, сурьмой или висмутом, имеет темно-зеленую окраску и обладает электропроводностью п-типа легированный кальцием, алюминием или бором, имеет темно-фиолетовую окраску и обладает электропроводностью р-типа. Основные характеристики карбида кремния плотность 3,2 г/см температура плавления 2600°С р = 10 -ь 10 Ом-см е = 6,5 ч-Ч- 7,5. Удельное сопротивление карбида кремния в сильной степени зависит от его состава. Как и кристаллический селен, карбид кремния является примесным полупроводником, но при температуре 1400°С и выше у него появляется собственная электропроводность. [c.98]

В широком диапазоне температур график зависимости логарифма удельной проводимости у от обратной величины абсолютной температуры Т должен состоять из двух прямолинейных участков с различными значениями угла наклона к оси абсцисс (рис. 1-22). При температуре выше точки излома (А) проводимость определяется в основном собственными дефектами. Это — область высокотемпературной или собственной электропроводности. Ниже излома, [c.46]

Огромное влияние на величину электропроводности оказывают примеси и дефекты в материале. Если собственная электропроводность кремния составляет 10 (Ом м) , то электрически активные примеси могут довести ее до величины 10 (Ом м) Удельная электропроводность полупроводника СёЗ в зависимости от содержания примесей и дефектов может иметь значение, лежащее в интервале [c.222]

Большая группа веществ с электронной электропроводностью, удельное сопротивление которых при нормальной температуре больше, чем у проводников, но меньше, чем у диэлектрикор (табл. 8-1), относится к полупроводникам. Как было указано в В-1, электропроводность полупроводников в большой степени зависит от внешних энергетических воздействий, а также от различных примесей, иногда в ничтожных количествах присутствуюш,их в теле собственного полупроводника. [c.229]

Благодаря избытку атомов олова в этом окисле, формально относящемуся к классу полупроводников, преобладает электронная проводимость, обеспечивающая собственную электропроводность. Удельное сопротивление станатной пленки без добавок невысокое, до 20 ом/квадрат [16]. [c.58]

Жидкости легко загрязняются и трудно очищаются. Поэтому на практике применяют технически чистые жидкие диэлектрики, содержащие примеси как попадающие извне, так и образующиеся в результате процесса старения. Такие материалы характеризуются ионной и молионной электропроводностью. Ионная обусловлена диссоциацией молекул самой жидкости (собственная электропроводность) и примесей (примесная электропроводность). Для неполярных жидкостей характерна примесная электропроводность. Полярные же отличаются повышенной удельной проводимостью из-за наличия обоих видов ионной электропроводности, причем возрастание 8г приводит к росту проводимости, так что сильно полярные жидкости с г, более 20 (вода, спирты, кетоны [c.548]

Температурная аасисимость удельной проводимости полупроводника есть результат изменения концентрации и подвижности носителей заряда (рис. 8-6). В области низких температур полупроводник характеризуется примесной электропроводностью, а в области высоких температур — собственной электропроводностью. В области примесной электропроводности приведены три кривые для различных значений концентрации примесей, вплоть до вырождения полупроводника, когда зависимость его удельной проводимости в некотором интервале температур стано-аится подобной зависимости удельной проводимости металлов. [c.243]

Собственная электропроводность твердых тел и зависимость ее от температуры определяются составом и структурой вещества. В кристаллических телах с ионной решеткой удельная проводимость у связана с валентностью ионов (больше у материалов с одновалентными ионами, чем у материалов с многовалентными 7Na l > Умео > ТА1гОз)-В некоторых кристаллах электропроводность не одинакова. Параллельно главной оси она в 1000 раз больше, чем перпендикулярно к оси. Электропроводность аморфных тел зависит от их химического состава (неорганическое стекло). [c.84]

Поеколы зависимость подвижности носителей заряда от температуры является слабой (по сравнению с экспоиеициашной зависимостью от Т их концентрации), выражение для удельной электропроводности собственного полупроводника может быть представлено в виде [c.121]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...