Антисегнетоэлектрики

Антисегнетоэлектрик — диэлектрик, самопроизвольно переходящий при определенной температуре в такое состояние с упорядоченным распределением диполей, что спонтанная поляризованность остается равной нулю. [c.105]

Сегнетоэлектрический домен (домен) — область в сегнето- или антисегнетоэлектрике, имеющая пространственно однородное упорядочение дипольных моментов элементарных кристаллических ячеек. [c.105]

С микроскопической точки зрения сегнетоэлектрические ФП делятся на два больших класса ФП типа смещения и ФП типа порядок — беспорядок. В первом случае выше точки перехода (точки Кюри Гк) в кристалле существует неустойчивость по отношению к одному из решеточных колебаний, которое называется мягкой модой. По мере понижения температуры и приближен 1я к Тк частота этой моды понижается и в пределе стремится к нулю. В результате в точке ФП происходит самопроизвольное смещение подрешеток кристалла, восстанавливающее динамическую устойчивость, причем в сегнетоэлектриках это смещение приводит к спонтанной поляризованности (в антисегнетоэлектриках спонтанная поляризация скомпенсирована в подрешетках Рс = 0). Механизм поляризации, связанный с мягкой модой, рассматривался в 2.5 основные сегнетоэлектрики этого типа перечислены в табл. 6.4. [c.101]

В некоторых кристаллах одноименные ионы в соседних структурных единицах оказываются смещенными в противоположных направлениях или (в полярных диэлектриках) соседние диполи — ориентированными в противоположных направлениях. Такие кристаллы с антипараллельно упорядоченными дипольными моментами называют антисегнетоэлектриками. [c.213]

Рис. 21.7. Петля гистерезиса антисегнетоэлектрика

В 50-х годах были обнаружены вещества, хотя и обладающие свойствами, близкими к свойствам сегнетоэлектриков, но имеющие ряд существенных особенностей. Речь идет об антисегнетоэлектриках . Они тоже нелинейные [c.38]

Антисегнетоэлектрики тоже имеют домены (без кавычек), но о них будет говориться ниже. [c.39]

Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики, имеющие фазовые переходы с упорядочением некоторых элементов структуры [c.45]

Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики кислородно-октаэдрического типа [c.49]

Перечень химических соединений сегнетоэлектриков и антисегнетоэлектриков кислородно-октаэдрического типа структуры приведен в табл. 3. [c.50]

То, что спонтанно поляризованный кристалл разбивается на домены, объясняется простыми энергетическими соображениями при разбиении на домены он понижает свою энергию за счет исчезнувшего электрического поля. Эти соображения, однако, не единственные. Домены могут возникать и потому, что при фазовом переходе в разных частях кристалла спонтанная поляризация может возникнуть в разное время п может иметь различное (но кристаллографически одинаковое) направление. Эти соображения особенно важны для антисегнетоэлектриков, у которых нет макроскопической спонтанной поляризации в этом случае энергия поля не исчезает при разделении кристалла па домены. [c.55]

При термодинамическом описании антисегнетоэлектриков следует использовать понятие поляризации подрешеток. Обозначая спонтанную поляризацию одной подрешетки, а — другой (Р = —Р ), по аналогии с (П, 2) будем иметь [c.69]

В отсутствие внешнего электрического поля для антисегнетоэлектрика выполняется соотношение Р = = —Рь, и поэтому выражение (П.8) можно записать в виде [c.69]

Влияние внешних условий на фазовые переходы в сегнетоэлектриках и антисегнетоэлектриках. Приведенное выше термодинамическое описание фазовых переходов справедливо при отсутствии на кристалле внешних электрических полей и механических воздействий. Здесь будет кратко рассмотрено их влияние на фазовые переходы. [c.70]

Наличие критического поля в антисегнетоэлектриках приводит в сильных переменных полях к их поляризации, которая в зависимости Р = Р Е) имеет вид двойных петель гистерезиса. [c.74]

Кёициг В. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Перевод с английского, ИЛ, 1960, 234 стр., цена 30 коп. [c.487]

В алюминатах редких земель ИК-диэлектрический вклад несколько меньше, чем в оксидах висмута e gjj=20—30. Эти кристаллы с общей формулой ЬпАЮз, где Ln = La, Рг, Nd, Ей, Gd, Sm, обладают положительным ТКе. Однако в них уже получены весьма низкие диэлектрические потери tg6 = = 10- —10 . Положительный ТКе и большая величина диэлектрического ИК-вклада дают основание предполагать, как и в антисегнетоэлектриках, существование сильного внутреннего поля. Однако в этих кристаллах фазовые переходы при высоких температурах обна1ружить не удалось и петли диэлектрического гистерезиса не наблюдались. Аномальные свойства ИК-поляризации в этом случае не находят традиционного объяснения. [c.92]

ГИЯ теплового движения превышает энергию диполь-дипольного взаимодействия, вследствие чего диполи в каждый момент времени направлены неупорядоченно и суммарная поляризация отсутствует Рс = 0). По мере понижения температуры за счет диполь-ди-польных взаимодействий в области ФП происходит самопроизвольное упорядочение полярных структурных элементов при этом в сегнетоэлектриках возникает спонтанная поляризация (Рс1>0). В антисегнетоэлектриках диполи выстраиваются антииараллельно [c.102]

Антисегнетоэлектрические ФП близки по своей физической природе к сегнетоэлектрическим, а антисегнетоэлектрики по своей структуре и химическому составу близки к сегнетоэлектрическим кристаллам. Однако в антисегнетоэлектриках Рс = 0, потому что появляющаяся при ФП спонтанная поляризация скомпенсирована в пределах одной элементарной ячейки. Энергия антиполярного состояния близка к энергии полярной фазы, поэтому внешние воздействия могут превратить антисегнетоэлектрик в сегнетоэлект-рик сильное электрическое поле ( > к) вызывает ФП из апти-полярной в полярную фазу, при этом возникает двойная петля диэлектрического гистерезиса. [c.108]

Спонтанная поляризованность антисегнетоэлектриков равна нулю, но они, как и сегнетоэлектрики, имеют точку Кюри, выше которой исчезает упорядоченность дипольной структуры и при которой наблюдается максимум диэлектрической проницаемости и аномалии других характеристик. При наложении достаточно сильного электрического поля аитисегнетоэлектрик люжст переходить в сегнетоэлектрическое состояние с параллельной ориентацией диполей. По этой причине в ан-тисегнетоэлектриках наблюдаются двойные петли диэлектрического гистерезиса типа бабочка (рис. 21.7). [c.214]

Параэлектрики — это нелинейные диэлектрики, находящиеся в параэлектрической фазе при рабочих температурах. К ним относятся сегнето- и антисегнетоэлектрики при температурах выше точки Кюри, а также вещества типа титаната стронция и танталата калия, не переходящие в сегнето- или антисегнетоэлектрическое состояние, диэлектрическая проницаемость которых растет с пониже- [c.222]

Известны вещества, обладающие и более тонкими особенностями структуры. В частности, Е некоторых диэлектриках по одним направлениям обнаруживаются сегнетоэлектрические свойства, а по другим — антисег-нетоэлектрические. Нин1е часто под словом сегнетоэлектрики будут подразумеваться как сегнетоэлектрики, так и антисегнетоэлектрики. [c.39]

Известны и антисегнетоэлектрики с упорядочивающимися элементами структуры. Один их них — дигидрофосфат аммония (НН4Н2Р04). Этот кристалл имеет такую же структуру при комнатной температуре, как и КН2Р04 (положение калия занимает аммоний). Прп температуре — 123 в кристалле совершается упорядочение водородных связей, аналогичное приведенному на рис. 15, а. Антиполяризация (противоположно направленная поляризация в соседних элементарных ячейках) ориентирована в этом случае по оси а (или Ь) кристал.ча (перпендикулярно оси с). Элементарная ячейка при этом становится сверхструктурной — состоящей из нескольких ячеек параэлектрической фазы. Список некоторых сегнетоэлектриков и антисегнетоэлектриков с упорядочивающимися элементами структуры приведен в табл. 2. [c.44]

Сегнетоэлектрики (и антисегнетоэлектрики) с упорядочивающимися элементами структуры составляют первую группу. Ко второй группе относятся так называемые сегнетоэлектрики (и антисегнетоэлектрики) кислороднооктаэдрического типа структуры. В сегнетоэлектриках этой группы в результате перестройки структуры спонтанная поляризация возникает благодаря смещению определенных ионов и имеет направление, совпадающее с направлением их смещения. [c.44]

Выше 230° РЬ7гОд является кубическим кристаллом, а при этой температуре испытывает фазовое превращение и ниже ее становится антисегнетоэлектриком. Появление 48 [c.48]

ЭкспериАгентальные работы по изучению доменов сегнетоэлектриков и антисегнетоэлектриков посвящены в основном геометрии доменов (их ориентации, размерам, формам границ и пр.), изучению их изменений под влиянием температуры и движения под де1 1ствием внешних механических и электрических полей. [c.50]

Формально домен в антисегнетоэлектриках имеет размер исходной (малой) элементарной ячейки. Следовательно, общие закономерности ориентации векторов Реп в сверхструктурных элеиенгарных ячейках антисег-нетоэлектриков совпадают с закономерностями ориентации доменов в сегнетоэлектриках. Отсюда, в частности, следует, что антисегнетоэлектрики после фазового перехода также имеют симметрию исходной высокотемпературной фазы. По-видим ому, и особенности фазовых переходов с изменением направления (и величины) Реп в антисегнетоэлектриках аналогичны особенностям перехода Б сегнетоэлектриках. [c.54]

Несколько замечаний о доменах в антисегнетоэлектриках. Доменное строение кристаллов РЬггОд в ромбической модификации сходно с доменным строением ромбического ВаТ10з. Это понятно, так как в обоих этих кристаллах ромбическая модификация обусловлена возникновением поляризации в кубических параэлектрических ячейках по направлениям с индексами типа (110). Разница между ними состоит в том, что в ромбическом РЬ2гОд элементарная ячей а является сверхструктурной, а в [c.63]

В структуре антисегнетоэлектрика КН4Н2Р04 любопытным является то, что подъячейки, ориентированные под углом 90°, идюют разные знаки энантиоморфизма. Возникновение антисегнетоэлектрической модификации в этом кристалле происходит при —125°. При этом переходе структура искажается так сильно и регулярная упаковка ее так осложнена, что, как правило, кристалл рассыпается в порошок (явление, сходное с так называемой оловянной чумой). Только при очень медленном и равномерном охлаждении можно избежать полного разрушения кристалла. [c.64]

Фазовые переходы в антисегнетоэлектриках также сопровождаются возникновением (или исчезновешгем) спонтанной поляризации. В антисегнетоэлектрической модификации каждая элементарная ячейка параэлектрической модификации (подъячейка) спот-анно поляризована, хотя кристалл макроскопически спонтанной поляризацией не обладает, так как дипольные моменты подъячеек сверхструктурной элементарно ячейки взаимно компенсируют друг друга. Именно поэтому прр характеристике антисегнетоэлектриков принято говорить пе об их спонтанно поляризации, а об их аптиполяризации или о поляризации их подрешеток ( подструктур ). Формально антисегнетоэлектрики можно рассматривать как предельный случай сегнетоэлектриков, имеющих размеры доменов, равные одной элементарной ячейке параэлектрической модификации. [c.68]

Смотреть страницы где упоминается термин Антисегнетоэлектрики : [c.300] [c.91] [c.99] [c.108] [c.108] [c.171] [c.334] [c.334] [c.334] [c.408] [c.214] [c.235] [c.237] [c.39] [c.50] [c.54] [c.55] [c.73] [c.74] [c.430] [c.331]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...