Рентгеновские лучи длина когерентности

Как уже было сказано, метод голографической микроскопии, в котором при записи голограммы используются рентгеновские лучи, а при восстановлении — видимый свет, мог бы обеспечить получение значительных увеличений. К сожалению, до сих пор не удалось создать рентгеновский источник с большой длиной когерентности света и результаты в этой области являются довольно скромными. Большинство выводов подтверждается при записи голограмм с помощью электронных лучей, поскольку электронные источники имеют значительную когерентность излучения. [c.187]

Рентгеновские лучи, падающие на материал, обладают хроматической когерентностью вдоль направления волнового вектора к, которая определяется естественной шириной линии характеристического излучения ДХ. Например, для /(а-линии медного излучения относительная ширина ДХ/Х порядка 10 % что соответствует значению длины хроматической когерентности /у = Х ДХ 10 см [98]. В направ- [c.238]

Применение качественного рентгеновского анализа к бокситу ограничено следующим. Интенсивность дифракционных линий вещества зависит не только от концентрации кристаллов и числа отражающих плоскостей, но и от упорядоченности кристаллической решетки у них. Кроме того, для отражения рентгеновских лучей необходима определенная минимальная величина когерентных областей решетки. Эта минимальная величина зависит от длины волны применяемого рентгеновского излучения и структуры соответствующего кристаллического вещества. Поэтому невозможно дать общее правило. По Глокеру, частицы с линейными размерами менее IО мкм уже показывают значительное расширение линий при одновременном ослаблении интенсивности. [c.31]

Многочисленные применения в течение более чем 30 лет метода Уоррена — Авербаха [76—78] и вариантного метода Вильсона [80, 81] привели к огромному количеству рентгеновских экспериментальных данных. Однако интерпретация уширения рентгеновских линий этими методами была недостаточно эффективной. Получаемые при этом значения среднего размера областей когерентного рассеяния О и среднего квадрата деформации (е )у д трудно связываются с микроструктурой деформированных твердых тел, например, с плотностью и параметрами распределения дислокаций и дисклинаций. Возможности метода Уоррена — Авербаха были проверены при исследовании распределения интенсивности рассеянных рентгеновских лучей цилиндрическими кристаллами, на оси которых расположена одна дислокация, в нескольких ранних работах Вилькенса [82—85]. При этом вычислялись коэффициенты Фурье кривой распределения интенсивности на дебаеграм.ме для отражений вплоть до третьего порядка. Рассмотрение в [82] проводилось в приближении линейной изотропной теории упругости для винтовой дислокации. Обработка коэффициентов Фурье по методу Уоррена — Авербаха показала, что получаемый размер блоков отличается от размера Я блоков неискаженного цилиндрического кристалла. Это обусловлено тем, что функция распределения Рп п) деформаций решетки е , которые расположены на расстоянии па в пределах области когерентности, имеет длинные хвосты , не соответствующие нормальному закону распределения. Эти хвосты функции Рп (е ) вызваны большими деформациями решетки вблизи линии дислокации. Кроме того, среднеквадратичные деформации (е ), полученные усреднением е , которое соответствует винтовым дислокациям, заметно отличаются от (е )у д, найденных методом Уоррена — Авербаха. Так, при ( а// ) >0,1 различие получается почти в 2 раза, причем (е,г)Хе у д- При л-)-О (е5-> [c.232]

С точки зрения волновой механики атомы совершенной решётки рассеивают электроны когерентно, т. е. аналогично рассеянию рентгеновских лучей при лауэвской диффракции. Следовательно, прежде чем какой-либо электрон сможет оказаться рассеянным в совершенной решётке, он должен занимать уровень у границы зоны, а уровень, на который он сможет перескочить, должен быть свободным. Для значительной части электронов проводимости эти условия обычно не выполняются. Мы увидим ниже, что рассеяние благодаря тепловым колебаниям можно рассматривать как когерентное рассеяние решёткой, периодически деформированной тепловыми волнами искажённый таким образом кристалл ведёт себя подобно решётке, постоянная которой равна длине волны тепловых колебаний решётки. Вследствие того, что рассеяние такого типа также ограничено лауэвскимн условиями, данное колебание может отклонять данный электрон только на определённые углы. Обычно предполагается, что не зависящее от температуры рассеяние, ответственное за остаточное сопротивление, существенно некогерентно, т. е. что рассеивающие центры расположены настолько беспорядочно, что их можно рассматривать независимыми друг от друга. Мы обсудим этот вопрос более подробно в 130. [c.546]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...