Дислокации электронно-микроскопическое изображение

Pn h, k) для отдельных слоев или для любого числа слоев. Таким образом, влияние различных нарушений структуры кристалла могут быть учтены без существенного изменения программы вычислений. Вместе с колонковым приближением программу можно применять к вычислению действий на дифракционные картины или электронно-микроскопические изображения локализованных дефектов кристаллической решетки (например, изображений дислокаций). [c.248]

В работах [223, 224] указывалось на изменение характера контраста электронно-микроскопического и поляризационно-оптического изображений дислокаций, перпендикулярных свободной поверхности, в связи с обрезанием поля упругих искажений у ядра дислокаций вблизи поверхности. Замечено также, что ячеистая дислокационная структура и размеры ячеек [225], процессы рекристаллизации [226] также зависят от толщины объекта. Имеется некоторое различие и в кинетике перемещения границ. Высказывается предположение [218], что динамические свойства дислокаций, такие, как размножение, движение и взаимодействие, в сильной степени зависят от толщины фольги. [c.106]

Основной особенностью структуры субмикрокристаллических материалов, полученных деформационными методами, являются неравновесные границы зерен, которые служат источником больших упругих напряжений. Другим источником напряжений служат тройные стыки зерен. О неравновесности свидетельствуют диффузный контраст границ и изгибные контуры экстинции в зернах, наблюдаемые на электронно-микроскопических изображениях. Ширина межзеренных границ в СМК-ма-териалах составляет, по разным оценкам, от 2 до 10 нм. Неравновесные границы зерен содержат большое количество дислокаций, а в стыках зерен суш,ествуют нескомпенсированные дис-клинации. Плотность дислокаций в СМК-материалах, полученных интенсивной пластической деформацией, составляет около 3-10 м" , а дисклинации имеют мощность 1—2°. Заметим, что Плотность дислокаций внутри зерен существенно меньше, чем на границах. Дислокации и дисклинации создают дальнодействую-Щие поля напряжений, концентрирующиеся вблизи границ зерен и тройных стыков, и являются причиной избыточной энергии Этих границ. Например, для СМК-Си со средним размером зерен [c.59]

Малая величина углов Вульфа—Брэггов для быстрых электронов и соответственно меньшая, чем в случае рентгеновских лучей, чувствительность интенсивностей прямого и дифрагированных лучей к небольшим искажения.м кристаллической решетки приводит к тому, что контраст на электронно-микроскопических изображениях дислокаций получается шириной всего лишь в несколько десятков или сотен ангстремов. Поэтому удается различать от- [c.52]

Некоторые указания на характер контраста электронно-микроскопических изображений дислокаций можно получить с помощью колонкового приближения. Для колонок, проходящих через ядро дислокаций, плоскости атомов смещены, как в случае дефектов упаковки, с той разницей, что смещение происходит на расстоянии десятков или сотен ангстрем. Следовательно, можно ожидать, что проектируемые линии дислокаций будут давать осциллирукщий контраст, подобный контрасту полос от дефектов упаковки. [c.406]

Полосовая дислокационная структура образуется прп высокой плотности дислокаций, в условиях интепсивного протекания процесса аннигиляции дислокаций и наличия дальнодействующих полей напряжений, приводящих к разделению дислокаций разных знаков. На электронно-микроскопических изображениях этой структуры наблюдаются изгибные экстинкционные контуры, расположенные сначала перпендикулярно границам, т. е. имеет место градиент изгиба — кручения вдоль полос. Сами г])аницы свободны от напряжений. Встречаются границы кручения, наклона и смешанные. С увеличением деформации усложняется картина напряжений в полосовой ДСС, наблюдаются границы в основном смешанного тппа. [c.149]

Существование дислокаций недавно было подтверждено Хиршём прекрасными электронно-микроскопическими движущимися изображениями, которые показывают отдельные дислокации, скользящие вдоль плотно упакованных плоскостей. Ментер сделал фотографии с изображением расположения атомов вокруг линейных и винтовых дислокаций [31]. [c.347]

Таким образом, проведенные исследования показали, что при внедрении детали из стали Х18Н9Т в алюминиевые сплавы АД1 и АМгЗ при температуре 400° С пластическая деформация стали на глубину порядка 500 А в первом случае и 10 ООО А во втором случае обеспечивает схватывание металлов по всей поверхности контакта с образованием соединения, равнопрочного алюминиевому сплаву (разрушение сварных соединений происходит по основному материалу с меньшим пределом прочности). При снижении температуры или изменении других параметров процесса сварки прочность соединения уменьшается. Анализ дислокационной структуры поверхностного слоя показал, что декорирование наблюдается не только в макроскопическом масштабе, но и в микроскопическом на отдельных единичных дислокациях (рис, 3). При этом на электронно-микрогжопических картинах наблюдаются мельчайшие клубки второй фазы, которые светятся при темнопольном изображении и декорируют дислокацию лишь с одного конца, а именно с того, который выходит на свободную контактную поверхность раздела материалов. Второй же конец дислокаций, выходящий на другую поверхность, образовавтнуюся в результате приготовления пленки и утонения образна, не декорирован фазой. [c.102]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...