Псевдоморфизм

Однако многие исследователи [35] отрицают существование плоскостного псевдоморфизма. При этом они опираются на тщательный анализ опубликованных электронограмм и на свои наблюдения. Между прочим, указывается и на то, что структура ионных кристаллов (окислов) значительно менее способна к искажению, чем решетка металлов, особенно на поверхности. Это делает плоскостной псевдоморфизм мало вероятным. Ввиду того, что по этому важному вопросу имеются противоречивые высказывания крупных исследователей [35, 36], приходится признать, что существование плоскостного псевдоморфизма является пока спорным. [c.91]

Влияние подложки-, эпитаксия и псевдоморфизм. Оба слова эпитаксия и псев- [c.341]

Рис. 6.5. Псевдоморфизм. Границы зерен в подложке (/) продолжаются в электролитическое покрытие (2)

Псевдоморфизм начали систематически изучать, начиная с 1905 г. На поперечных микрошлифах пере.хода подложка — покры- [c.342]

Механические свойства гальванических покрытий находятся в очень тесной связи с их структурой. Наиболее мягкие, пластичные и непрочные металлические покрытия с большим размером зерен образуются при минимальной поляризации в ваннах, не содержащих специальных добавок. Этим покрытиям присущ наиболее сильный псевдоморфизм. С точки зрения общепринятого механизма электроосаждення процесс роста такого осадка характеризуется максимальной подвижностью адсорбированного иона и минимальным ингибированием участков, на которых происходит равновесный рост осадка. Такой электролитический осадок имеет свойства, очень близкие к свойствам отожженного металла, но часто обладает несколько большей твердостью. Вследствие псевдоморфизма свойства осадка вблизи границы раздела с подложкой могут сильно изменяться, если поверхность подложки имеет метастабильную структуру, особенно если она имеет очень мелкозернистую структуру, приобретенную в результате механической обработки. Гальваническое покрытие в этом случае становится за счет [c.352]

Другой подход к проблеме сопряжения кристаллических решеток в плоскости раздела основывается на том, что определяющее влияние на эпитаксию оказывают активные центры роста на подложке. Предполагается, что явления поверхностного псевдоморфизма не существует [c.334]

Паровая фаза, 323 Переохлаждение, 171 Пересыщение, 171 Поверхностный псевдоморфизм, 333 [c.370]

Псевдоморфизм. Присоединенный слой искривленных соседних атомных плоскостей из-за их различной геометрии (различных углов) в случае одинакового типа кристаллов — автотаксия в случае чужеродных решеток (разнотипные кристаллы) — эпитаксия. [c.14]

Трансформация моноклинной структуры в тетрагональную при переходе через границу раздела сопровождается постепенным изменением симметрии при трансляции. Граница раздела соответствует плоскости (100) m-ZrOz и плоскости (ПО) t-Zr02- Переходный слой т < > t), включает в себя 5 моноатомных слоев. Для кентавра, изображенного на рис. 5.13. характерно наличие трансляционной симметрии в двух направлениях и постепенное изменение симметрии в третьем. Разные фрагменты кентавра характеризуются псевдоморфизмом по отношению друг к другу [8]. [c.167]

Выше ( 10) было сказано, что образование окисла облегчается, если имеется кристаллохимическое соответствие между решеткой металла и окисла. Многие исследователи, используя электронографию, нашли, что слой окисла, непосредственно прилегающий к поверхности металла, подчиняется закону его кристаллизации в плоскости соприкосновения этих двух фаз (плоскостной псевдоморфизм). Так, при окислении цинка было обнаружено, что расстояние между атомами цинка в решетке окисла примерно такое же, как в решетке металла. Но в направлении, перпендикулярном к поверхности металла, это расстояние больше, чем в нормальной окиси цинка. Такая искаженная (псевдоморфная) решетка сохраняется только при очень малой толщине слоя окисла. При увеличении ее происходит перекристаллизация и образуется окись цинка с нормальной решеткой [34]. Явление плоскостного псевдоморфизма наблюдалось и для некоторых других систем металл — окисел. [c.90]

Исследования дифракции электронов показали, что эпитаксия действительно существует, когда один металл электролитически осаждается на другой, но это ивление имеет место только на протижении десятков или сотен атомных слоев от границы раздела. Далее структура решетки покрытия изменяется в сторону характерной структуры металла гальванического покрытия. Эпитаксия исчезает до того, как электролитическое покрытие достигает толщины, достаточной для обнаружения с помощью оптического микроскопа, т. е. при толщине той, при которой наблюдается псевдоморфизм. [c.342]

Тоследствия псевдоморфизма менее желательны и обычно принимаются меры для их подавления. Если подложка подвергалась царапанию, полированию, абразивной шлифовке, холодной прокатке или холодной [c.343]

Рис. 6.7. Нарушенная от царапины структура подложки (/) с фрагментированными и искаженными аернамн, сохраняющаяся в электроосаждениом слое 2) при сильном псевдоморфизме

Рис. 6.8. Блеск электроосажденного оловянного покрытия с довольно сильно выраженным псевдоморфизмом (слева) ухудшается под влиянием раздробленного поверхностного слоя,, образовавшегося в процессе холодной прокатки стали. При удалении этого дефектного слоя электроосажденное олово имеет зеркальную поверхность (справа).

Одно из них относится к декоративным свойствам замечено, что даже очень тонкая шлифовка подложки дает довольно заметные следы в электроосаждениом слое. Отметки, сделанные на стали мелом, вызывают местное стирание поверхности, которое становится едва заметным после удаления мела. Если на такую поверхность наносится гальваническое покрытие с сильно выраженным псевдоморфизмом, то следы ме- [c.343]

Рис. 6.9. Коррозионная стойкость гальванического покрытия оловоиикель па поверхности холоднокатаной стали ухудшается за счет псевдоморфизма, обусловливаюш,его его пористость (а). Дефектный поверхностный слой на втором образце (б) перед нанесением гальванического покрытия был удален химическим травлением (стравлено 0,125 мкм). Толщина покрытия 15 мкм образцы (пластинки) экспонировались в течение 6 мес. в морской атмосфере (НауИпз ЬЬапс )

Развитию псевдоморфизма препятствуют добавки ингредиентов, которые путем адсорбции блокируют участки, на которых может происходить рост псевдоморфных кристаллов. На начальных стадиях нанесения блестящего гальванического покрытия блескообразующие добавки адсорби-)уются на аналогичных участках подложки. 1сли на отожженный никель наносить покрытие в ванне для блестящего никелирования, то рост осадка начинается с меньшего числа зародышей на подложке, чем в случае простой ванны (Уоттса) без добавок. Реплики с поверхностей, соответствующих самым ранним стадиям электроосаждения, показывают наличие псевдоморфизма даже для покрытий, полученных в ваннах с блескообразователями (границы зерен подложки продолжаются в гальваническое покрытие), но этот процесс быстро подавляется с ростом толщины покрытия. Основная цель ванн для осаждения блестящих гальванопокрытий состоит в том, чтобы задержать скорость роста осадка до величины, достаточной для подавления псевдоморфизма, но не настолько, чтобы ухудшить эпитаксию и адгезию. Чрезмерная концентрация добавок будет подавлять и эпитаксию электроосаждение в этом случае будет происходить на адсорбированный слой блескообразователя. Адсорбция блескообразователя часто зависит от потенциала и осложнения могут быть связаны с участками с высокой плотностью тока (с низким значением потенциала). [c.345]

Для того чтобы объяснить этот результат в рамках структурно-гео-метрических представлений, было сформулировано положение о поверхностном псевдоморфизме. В кристаллическом поле подложки структура нарастающей фазы упруго деформируется, между подложкой и нарастающей фазой образуется псевдоморфный слой, который и обеспечивает эпитаксиальное наращивание. Межатомные расстояния в псевдоморфном слое переменны от характерных для поверхности срастания до межатомных расстояний наращиваемой фазы. Толщина псевдоморфного слоя определяется природой срастающихся фаз. Основоположником теории о псевдоморфном слое был Ван дер Мерве. Его теория основана на представлении о существовании сильного физического взаимодействия атомов в сопряженных решетках. В ее рамках вычисляется энергия поверхности раздела двух различных кристаллов и выясняются условия, при которых эта энергия принимает минимальное значение. Знание минимальной энергии поверхности раздела позволяет определить предельные толщины псевдоморфных слоев, что весьма важно с практической точки зрения. [c.333]

Отметим еще, что явление псевдоморфизма на самой ранней стадии эпитаксии сводится не только к геометрическому искажению решетки, но и к изменению нормальной для решетки конденсата химической связи. Под влиянием поля подложки возникают такие явления как поляризация, ионизация, диссоциация атомов или молекул и т. п. По мере роста пленок в псевдоморфном слое происходит постепенное ослабление искажения связи. [c.334]

Э. происходит т. о., чтобы суммарная энергия границы, состоящей из участков подложка — кристалл, кристалл — маточная среда и подложка — среда, была минимальной. У в-в с близкими структурами и параметрами (напр., Аи на Ag) образование границы сопряжения энергетически невыгодно и нарастающий слой имеет в точности структуру подложки (псевдоморфизм). С ростом толщины упруго напряжённой псевдоморфной плёнки запасённая в ней энергия растёт, и при. толщинах более критической (для Аи на Ag это 600 А) нарастает плёнка с собств. структурой. [c.905]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...