Реальное сопротивление движению дислокаций

Реальное сопротивление движению дислокаций [c.378]

Выделить в реальном сплаве сопротивление движению дислокаций самой решетки весьма сложно. Сила Пайерлса — Набарро [c.287]

Для такого движения дислокации требуется незначительное напряжение, определяемое выражением Тр = G ехр (—2nw/b), где Тр — реальное сопротивление сдвигу G — модуль сдвига W — ширина дислокации Ь — вектор Бюргерса. [c.44]

Наблюдаемые низкие значения сопротивления сдвигу можно объяснить присутствием в кристалле дефектов, которые могут действовать как источники механической податливости реальных кристаллов. Хорошо известно, что особые дефекты кристалла, называемые дислокациями, присутствуют почти во всех кристаллах и их движение обусловливает скольжение при очень низких значениях прикладываемых нагрузок. [c.693]

Электрические свойства. Уд. электропроводность М. при комнатной темп-ре 10 —10 Ом -м . Характерное св-во м. как проводников — линейная зависимость между плотностью тока и напряжённостью приложенного электрич. поля (закон Ома). Носителями тока в М. явл. эл-ны проводимости, обладающие высокой подвижностью. Согласно квантовомеханич. представлениям, в идеальном кристалле эл-ны проводимости (при отсутствии тепловых колебаний крист, решётки) не встречают сопротивления на своём пути. Существование у реальных М. электрич. сопротивления — результат нарушения периодичности крист, решётки. Эти нарушения (дефекты) связаны как с тепловым движением атомов, так и с наличием примесных атомов, вакансий, дислокаций и др. статич, дефектов в кристаллах. На колебаниях и дефектах происходит рассеяние эл-нов. Мерой рассеяния служит длина свободного пробега I — ср. расстояние между двумя последовательными столкновениями эл-нов с дефектами. Величина уд. электропроводности а связана с I соотношением [c.411]

Движение дислокаций приводит к необратимым смещениям атомов кристаллической решетки, т. е. сопровождается элементарными актами пластической деформации. Упругое взаимодействие дислокаций увеличивает общую энергию системы, повышая тем самым сопротивление пластической деформации. Ранее были рассмотрены идеализированные варианты движения и взаимодействие параллельных дислокаций благодаря дальнодейст-вующим полям напряжений. Действительная картина движения и взаимодействия дислокаций между собой и с другими дефектами кристаллической решетки намного сложнее. В данном разделе дано описание более реальной картины этих явлений. [c.84]

Теоретическая прочность твердых тел Прочность реальных кристаллов Сопротивление кристаллической решетки движению дислокаций ф Упрочнение за счет препятствий Термическая стабильность барьеров Мартенсит-ная структура стали и прочность Химическая и структурная неоднородность и механические свойства титановых сплавов Высокая прочность и композиционные материалы Нитевидные кристаллы Механизм упрочнения композиций, армированных непрерывными и короткими волокнами % Материаль , получаемые однонаправленной кристаллизацией [c.279]

Экспериментальные данные показывают, что даже при самом малом, реально достижимом в рекристалпизованных образцах, размере зерна (с/ 15-20 мкм), второй член в этом уравнении не более, чем в два раза превосходит по значению первый (оь) [170, 171], отражающий сопротивление предшествующему зарождению микротрещин движению дислокаций. ПоэУому, как бы сильно в результате межкристаллитной внутренней адсорбции при развитии отпускной хрупкости не снижалась поверхностная энергия зарождения межзеренной микротрещины и К трудно ожидать более чем трехкратного снижения а . Экспе- [c.153]

Как известно, в модели Иайерлса-Набарро [501, 502] энергия дислокации периодически зависит от положения ее центра, а сопротивление решетки соответствует максимальному касательному напряжению Тр (напряжение Пайерлса). Для преодоления потенциального барьера на единицу длины дислокации должна действовать сила ц,Ь (Ь — вектор Бюр-герса). Согласно [503-505], Тр 210 кгс/мм в Ge и — 270кгс/мм в Si. Поскольку в реальных кристаллах дислокации могут двигаться при напряжениях т < Тр, считается, что они могут преодолевать барьер Пайерлса с помощью термофлуктуационного образования двойного перегиба и бокового распространения перегибов вдоль дислокации [506] (рис. 93,а). При этом скорость поступательного движения всей дислокации V определяется линейной плотностью перегибов п, скоростью их перемещения V и расстоянием между соседними канавками потенциального рельефа а V = а nV . Вероятность рождения перегибов зависит от Г и г. Однако не всякий зародившийся двойной перегиб способен расширяться при данном уровне приложенных напряжений если расстояние между парными перегибами I меньше критического, то перегиб может захлопнуться. [c.153]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...