Схема и элементы контактной системы зажигания

СХЕМА И ЭЛЕМЕНТЫ КОНТАКТНОЙ СИСТЕМЫ ЗАЖИГАНИЯ [c.77]

На рис. 4.2 представлена принципиальная схема контактной системы зажигания, содержащей следующие элементы источник энергии — аккумуляторную батарею 2 катушку зажигания 7 — трансформатор у первичной и вторичной обмотками, намотанными на ферромагнитный сердечник прерыватель Я, у которого подвижный контакт 10 на изолирующем основании с выступом 9 под действием профильного кулачка /8 перемещается относительно неподвижного контакта II, конденсатор [c.62]

Добавочный резистор, состоящий из двух секций и соединен последовательно с первичной обмоткой катущки зажигания. В отличие от обычной схемы батарейного зажигания при пуске двигателя не все сопротивление добавочного резистора замыкается накоротко контактами 5, а только одна его секция Обе секции добавочного резистора в отличие от обычной системы батарейного зажигания не выполнены как одно целое с катушкой зажигания, а представляют собой самостоятельный агрегат. Другим самостоятельным агрегатом контактно-транзисторной системы является транзисторный коммутатор, в котором конструктивно объединены следующие элементы схемы транзистор Т, стабилитрон ОД, диод Д, импульсный трансформатор Тр, резисторы Я1 и Я2 и конденсаторы С1 и С2. Литой алюминиевый корпус транзисторного коммутатора (рис. 43) снабжен ребрами и служит теплоотводом для транзистора.. Гнездо корпуса, в котором помещен транзистор, залито эпоксидной смолой. Заливка смолой предохраняет транзистор от повреждений. [c.81]

В схеме контактно-транзисторного зажигания, а также в других системах, входящих в электрооборудование автомобилей, применяются полупроводниковые диоды, стабилитроны и транзисторы. Основным элементом перечисленных приборов является кристалл германия или кремния. В кристалле полупроводникового диода имеются две области. Область п характеризуется наличием свободных электронов, а область р наличием так называемых дырок, которые притягивают к себе электроны и могут быть заполнены последними. Эти свойства областей пир достигаются посредством добавления различных присадок в основной материал кристалла. Полупроводниковый переход представляет собой граничный слой между областями кристалла пир. Действие диода в схемах электрооборудования автомобилей основано на свойстве полупроводникового перехода обладать малым сопротивлением при приложении напряжения в прямом направлении (плюс к области р, минус к области п) и большим сопротивлением при приложении напряжения в обратном направлении. Например, сопротивление диода ВА20 яри приложении напряжения в прямом направлении должно быть не более 0,3 Ом, а в обратном направлении не менее 50 000 Ом, Это свойство позволяет применять диод в качестве выпрямителя переменного тока. Проводя аналогию электрического тока с движением жидкости по трубопроводу, можно сравнить диод с клапаном (рис. 38), пропускающим жидкость в прямом направлении и запирающимся при обратном направлении напора. [c.77]

На рис. 4.3 приведена принципиальная схема контактно-транзисторной системы зажигания с транзисторным коммутатором ТКЮ2, которая состоит из тех же элементов, что и контактная система (обозначения приняты те же, что и на схеме рис. 4.2), но к которой добавлен коммутатор 19. Первичная обмотка катушки зажигания включена в эмиттерную цепь транзистора, а контак- [c.62]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...