Затухание Ландау циклотронное

При k — 0 (т. е. при к J Во) затухание Ландау в магнитоактивной плазме отсутствует скорость частиц выпадает из условий (55,1—2), и они не могут быть выполнены (кроме как при точном совпадении со с каким-либо псов) ). Подчеркнем, что это свойство связано с нерелятивистским приближением в релятивистской плазме затухание Ландау (циклотронное) может существовать и при = Частота обращения вокруг направления В для релятивистской заряженной частицы с энергией е равна [c.278]

Зажатие контура интегрирования 156, 328 Закон Видемана — Франца 396, 404 Запирающая точка 512 Затухание Ландау циклотронное 275 [c.526]

Затухание Ландау в магнитоактивной релятивистской плазме может существовать и в пределе к —> О (в отличие не только от магнитоактивной нерелятивистской плазмы, но и от релятивистской плазмы в отсутствие магнитного поля). Оно осуществляется за счет частиц, находящихся в простом циклотронном резонансе с однородным переменным полем (условие (55,12) с л=1) и существует, следовательно, при частотах со < озд (см. задачу 2). [c.278]

ЭФФЕКТ ДЕ ГААЗА — ВАН АЛЬФЕНА ОСЦИЛЛЯТОРНЫЕ ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ УРОВНИ ЛАНДАУ ДЛЯ СВОБОДНОГО ЭЛЕКТРОНА УРОВНИ ЛАНДАУ ДЛЯ БЛОХОВСКИХ ЭЛЕКТРОНОВ ФИЗИЧЕСКАЯ ПРИРОДА ОСЦИЛЛЯТОРНЫХ ЯВЛЕНИЙ ВЛИЯНИЕ СПИНА ЭЛЕКТРОНА МАГНИТОАКУСТИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ ЗАТУХАНИЕ УЛЬТРАЗВУКА АНОМАЛЬНЫЙ СКИН-ЭФФЕКТ ЦИКЛОТРОННЫЙ РЕЗОНАНС РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ [c.264]

Другой механизм образования тока - это движение электронного газа как целого относительно ионов. Однако и здесь при достижении токовой скорости и порядка VJi возникает аномальное сопротивление, препятствующее дальнейшему росту и. В [6.27, 6.28] это объяснялось раскачкой электронным током ионно-звуковых колебаний. Такой механизм, как известно, возможен только в сильно неизотермической плазме, когда Тс > 7/. Однако аномальное сопротивление наблюдается в ряде случаев и при Те р 7/, когда раскачка ионного звука невозможна из-за сильного затухания Ландау на ионах. Это явление объяснялось в [6.30] раскачкой током первой гармоники потенциальной ионно-циклотронной волны, в которой к > к. Юднако косвенным указанием на недостаточную [c.159]

Г. образуются в сильных магн. полях, когда радиус орбиты носителей R< 1 (I — длина свободного пробега носителей), а частота со мала по сравнению с циклотронной частотой. Г. не распространяются в направлении, перпендикулярном Н. Затухание Г. обусловлено столкновениями носителей заряда с фононами и дефектами крист, решётки, а также бесстолкно-вительным резонансным поглощением (магн. затухание Ландау). В чистых металлах при низких темп-рах осн. роль играет резонансное поглощение, в ПП — столкновения. [c.112]

Э. п, может возникать на ленгмюровских, ионно-звуко-вых, циклотронных и др. волнах. В однородной плазме Э. п. является сугубо нелинейным эффектом, поскольку только нелинейность приводит к фазовой фокусировке мод непрерывного спектра, т. е. к обращению процесса бес-сголкновительной релаксаци возбуждений (а частности, обращению Ландау затухания). Фазовая фокусировка мод непрерывного спектра возможна и за счёт неоднородности, напр, неоднородности плотности плазмы либо неоднородности удерживающего плазму внеш. магн. поля. В этом случае возможно наблюдение линейного Э. п. [c.647]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...