Процесс кристаллизации скорость возникновения центров

Процесс кристаллизации скорость возникновения центров 824 Прочность длительная 383 [c.1650]

Кристаллизация складывается из двух элементарных процессов - зарождения центров кристаллизации и роста кристаллов из этих центров. Скорость каждого из процессов зависит от степени переохлаждения (п) жидкости относительно равновесной температуры, т.е. температуры, при которой энергии Гиббса жидкого и кристаллического состояний равны. При п = О образование зародышей кристаллов (центров кристаллизации) невозможно, поскольку равен нулю движущий фактор процесса (разность энергий Гиббса жидкого и твердого состояний). С увеличением переохлаждения эта разность растет, вызывая увеличение скорости возникновения центров (числа центров - ч.ц.) и скорости роста кристаллов (с.к.). Однако, с увеличением п снижается диффузионная подвижность атомов, что вызывает торможение обоих элементарных процессов. При значительном переохлаждении атомы становятся столь малоподвижными, что кристаллизация полностью подавляется. [c.31]

Структура электрохимических осадков зависит от скоростей двух процессов появления новых центров кристаллизации (зародышей) и роста их. Мелкокристаллические осадки (минимальный размер кристаллов не более 10 м) возникают в том случае, если скорость возникновения центров кристаллизации значительно выше скорости их последующего роста. При обратном соотношении скоростей на катоде образуются крупнокристаллические осадки (размер кристаллов более 10 м). [c.115]

Согласно общей теории кристаллизации процесс затвердевания определяется двумя факторами скоростью возникновения центров (зародышей) кристаллизации в единице объема жидкой фазы и скоростью роста зародышей кристаллизации. [c.46]

Для повышения защитной способности оксидных пленок предложено проводить процесс оксидирования в несколько стадий, влияя таким путем на скорость возникновения центров кристаллизации и роста кристаллов оксида. [c.8]

Процесс кристаллизации начинается с возникновения в жидкой фазе центров кристаллизации и последующего их роста. Кинетику фазового превращения можно оценить двумя параметрами числом центров кристаллизации (п), возникающих в единице объема за единицу времени, и линейной скоростью роста (и) кристаллов. [c.19]

Образование и рост кристаллов подчиняются общим закономерностям образования твердой фазы расплава или раствора. Электрокристаллизация проходит две фазы возникновение центров кристаллизации и рост этих центров. Каждая из этих фаз характеризуется определенной скоростью, зависящей от технологических факторов процесса. В том случае, когда скорость образования новых центров кристаллизации превышает скорость роста уже появившихся кристаллов, образуется большее число мелких кристаллов (осадок приобретает мелкокристаллическую структуру). При обратном соотношении скоростей возникают более крупные кристаллы. Структура осажденных металлов - один из признаков, определяющих качество покрытий. Покрытия, имеющие мелкокристаллическую структуру, наиболее работоспособны. [c.423]

Аллотропические превращения очень схожи с процессами первичной кристаллизации чистого металла. Для начала аллотропического превращения требуется переохлаждение образование новых зерен идет путем возникновения центров кристаллизации и их последующего роста число центров кристаллизации и скорость роста зависят от степени переохлаждения в процессе аллотропического превращения выделяется скрытая теплота. [c.27]

Процесс образования кристаллов путем зарождения центров кристаллизации и их роста можно изучать путем рассмотрения моделей (схем), что с успехом применялось И. Л. Миркиным. Подобная модель кристаллизации представлена на фиг. 23. Предположим, что на площади, изображенной на фиг. 23, за 1 сек. возникает пять зародышей, которые растут с определенной скоростью. К концу первой секунды образовалось пять зародышей, к концу второй секунды они выросли и одновременно с этим возникло еще пять новых зародышей будущих кристаллов. Так, путем возникновения зародышей и их роста идет процесс кристаллизации, который, как видно в данном примере, заканчивается на седьмой секунде. [c.27]

Процесс кристаллизации представляет собой возникновение в жидкой фазе небольших объемов твердой фазы (центров кристаллизации) и последующий их рост. Кинетику фазового превращения можно оценить двумя параметрами числом центров кристаллизации п, возникающих в единице объема за единицу времени (скорость зарождения), и линейной скоростью роста кристаллов с. Чем больше скорость зарождения центров кристаллизации и чем меньше скорость их роста, тем более мелкими получаются зерна. [c.433]

При охлаждении расплава без затравки и ультразвука кристаллизация тимола начиналась при температуре 30—32° С. При этой температуре на границе расплав—стенка пробирки—воздух образовывались кристаллы и кристаллизация всего объема заканчивалась за 20—25 мин. Выдержка расплава при переохлаждении в 15° С в течение нескольких часов не приводила к появлению в расплаве центров кристаллизации. Ультразвук интенсивностью 1 вткм на скорость зарождения центров кристаллизации не влиял, а ультразвук интенсивностью от 2 до 160 вт1см вызывал возникновение в расплаве около излучателя облака мелких кристалликов, которые в доли секунды разносились по всему объему пробирки. Введение ультразвука интенсивностью 25 втЬм" и выше вызывало возникновение в расплаве кавитационных пузырьков, вокруг которых образовывались и разносились по объему расплава кристаллики. При выключении ультразвука образовавшиеся кристаллики быстро росли. Процесс кристаллизации в этом случае заканчивался за 3—5 мин. Продолжительная обработка расплава вызывала его разогрев выше температуры кристаллизации, и кристаллики плавились. [c.447]

Механизм кристаллизации фосфатов на поверхности детально не изучен [19]. Несомненно, однако, что рассмотренные свойства поверхности металлов оказывают влияние и на процесс формирования фосфатной пленки и кристаллизации фосфатов. Активные участки поверхности являются центрами кристаллизации фосфатов. С повышением числа активных участков, вследствие различного состояния и неоднородности поверхности, возрастает ее энергетический баланс или потенциал и увеличивается количество центров кристаллизации, что способствует ускорению формирования фосфатной пленки. Поэтому факторы, благоприятствующие росту числа активных участков поверхности и центров кристаллизации, должны способствовать также оптимизации нленкообразования. Прежде всего необходимо создать пересыщение фосфатами раствора на границе его с металлом. Для этого увеличивают концентрацию первичных фосфатов, вводят активизирующие добавки, повышают pH и температуру раствора, перемешивают и наносят его тонким слоем. С увеличением пересыщения раствора резко возрастает скорость образования зародышей, являющихся центрами кристаллизации фосфатов. На возникновение и число центров кристаллизации заметное влияние оказывают также электрическое поле 120, 21], магнитное поле [20], ультразвуковые колебания [22] и другие факторы [23]. [c.11]

Наименьшую скорость растворения имеет дробь, легированная хромом, наибольшую марганцем. Это положение находится в согласии с данными о коэффициентах диффузии этих элементов в расплавах на основе железа [1], Подавляющее большинство процессов растворения твердых веществ в жидкости происходит в диффузионном режиме. Этот установленный экспериментально факт позволяет заключить, что вокруг гранулы в жидкости образуется насыщенный по концентрации слой растворяемого легирующего элемента. Таким образом, вокруг частиц инокулятора образуются не только температурные, но и концентрацион-ные флуктуации, которые обусловливают возникновение локальных переохлажденных объемов расплава, что способствует активации (повышению устойчивости и росту) дополнительных центров кристаллизации. [c.659]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...