Резонансы плазменный и оптической

Резонансы плазменный и оптической проводимости 300, 306 [c.364]

Эксперимент полностью подтверждает это ожидание [972]. На рис. 136 представлены спектры оптического пропускания осадков аэрозольных частиц Ag диаметром 200 А на кварцевой подложке, полученных путем испарения металла в аргоне а) и остаточно.м воздухе (6). Спектры образцов, приготовленных в аргоне, как правило показывали пик РОП, смещающийся к длинным волнам по мере увеличения плотности осадка (см. рис. 136, а, кривая 2). Иногда удавалось получать кривую с плечом, начинающимся при длине волны плазменного резонанса (рис. 136, а, кривая 1). В то же время спектры образцов, приготовленных в остаточном воздухе, отчетливо показывали наличие одновременно плазменного резонанса и резонанса оптической проводимости, причем с увеличением плотности осадка (в порядке увеличения номера кривой на рис. 136, б) Япр практически пе изменяется, а роп смещается по направлению к длинным волнам. С уменьшением размера частиц, что достигалось путем пониже- [c.306]

Из сказанного, таким образом, следует, что фигурирующий в (10.17) коэффициент /С, определяющий величину вращения плоскости поляризации света в гиротропных кубических кристаллах, действительно может быть выражен через силу осциллятора перехода /, его частоту (0), плазменную частоту Шо, а также коэффициент при линейном по к слагаемом в выражении для частоты механического экситона. Коэффициент К в (10.17) может быть определен на основании экспериментального изучения зависимости от частоты света вращательной способности кристалла, сила осциллятора и положение резонанса < (0) — из данных о частотной зависимости показателя преломления. Поэтому использование соотношения (10.17а) открывает возможность для определения зависимости ш к) при малых к (см. также 11). Отметим также, что проведенное рассмотрение для гиротропных кубических кристаллов распространяется также на случай одноосных гиротропных кристаллов, если только вектор к направлен вдоль оптической оси при этом величина ]( заменяется на [c.251]

В ранних работах для гранулированных пленок одного и того же вещества сообщались различные значения частоты резонансного пика, который с увеличением концентрации металла у одних авторов смещался к длинным, а у других — к коротким волнам. Более того, иногда наблюдалось одновременно два резонансных пика (см. [8]). Это существенно затрудняло интерпретацию экспериментальных результатов и порождало путаницу. Петров [945], по-видимому, первым отчетливо осознал, что в разных опытах на самом деле проявляются резонансы разной природы. Затем Мартон и др. [946—949, 896], рассматривая формулу Максвелл-Гарнетта как дробно-линейное преобразование, конформно отображающее плоскость одной комплексной функции (со) на плоскость другой комплексной функции 8(со), показали существование в дисперсной среде двух разных пиков поглощения света, обусловленных плазменным резонансом (ПР) и резонансом оптической проводимости (РОП). [c.300]

Они нашли, что в диспергированной среде возникают как продольные, так и поперечные колебания зарядов. Частота продольных колебаний ((Одр в случае металлов) определяется уравнением li( o) = 0. Она ниже плазменной частоты металла и частоты со , продольных оптических фононов массивного ионного кристалла, но приближается к ним по мере увеличения Поперечные колебания также носят резонансный характер. Их частота задается максимумом кривой Е2(ю). Для диспергированных металлов это есть частота ffipon- В случае взвеси частиц ионных кристаллов подходящие названия продольного и поперечного резонанса отсутствуют. [c.301]

Однако их экспериментальные кривые поглощения света для образцов с изолированными частицами (рис. 135, а) и образцов, у которых частицы сгруппированы (рис. 135, б), практически не различаются, что ставит под сомнение даваемое объяснение. В действительности двухгорбая кривая спектров поглощения нормально падающего света неоднократно наблюдалась у гранулированных пленок Li, Na, К, Rb, Gs, Ag, Си, Au (см. [8]). Характерно, что с увеличением количества осажденного металла пик низкой знергии смещался в сторону длинных волн, а пик высокой энергии — в сторону коротких волн, т. е. именно так, как предписывает теория Мартона и др. [946— 949] для резонанса оптической проводимости (РОП) и плазменного резонанса (ПР) соответственно. При зтом по мере возрастания O электронно-микроскопические снимки не показывали какого-либо изменения однородного пространственного распределения частиц с образованием их группировок [971]. Просто частицы увеличивались в размерах и приобретали неправильную форму. [c.305]

Полупроводниковые соединения типа А В и их твердые растворы являются наиболее перспективными материалами для создания монолитных ИОС [2, 4]. Волноводные структуры на основе этих материалов получают методами диффузии, эпитаксиального наращивания, ионной имплантации. Формируют оптические волноводы на основе соединений Л "В как изменением их электрических свойств, так и за счет применения материалов различного состава [10]. ПП соединений типа GaAs зависит от концентрации свободных носителей заряда, главным образом вследствие влияния их на частоту плазменного резонанса и на положение края собственного поглощения. Слой с меньшей концентрацией свободных носителей заряда имеет более высокий ПП, чем подложка с высокой концентрацией носителей. В полупроводниковом материале с концентрацией свободных носителей N в единице [c.168]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...