Фоторезисты

Фоторезист под действием соответствующего освещения изменяет свои свойства, и в результате на поверхности полупроводника получают защитный рельеф из фоторезиста, повторяющий рисунок фотошаблона. Неэкспонированные участки фоторезиста удаляют, а открытые участки оксида снимают травлением. Так создается оксидная маска требуемой конфигурации (схематически процесс фотолитографии показан на рис. 25.2а,б). Сквозь окна маски примеси поступают в полупроводник для создания элементов микросхемы. [c.539]

Нанесение иа слой SIO светочувствительного слоя — фоторезиста. [c.93]

Травление в плавиковой кислоте не защищенного фоторезистом слоя (операция вскрытия окна). [c.94]

Удаление горячей серной кислотой полимеризованного слоя фоторезиста. [c.94]

В зависимости от характера изменения свойств при облучении фоторезисты делятся на позитивные и негативные. Позитивные фоторезисты под действием излучения разрушаются, негативные — образуют нерастворимые соединения. [c.457]

К фоторезистам, используемым при производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем, предъявляют следующие основные требования высокая светочувствительность, высокая разрешающая способность, стойкость к воздействию агрессивных факторов, стабильность эксплуатационных свойств во времени. [c.457]

Подготовка поверхности подложки. Обработка подложки, улучшающая адгезию фоторезиста к подложке, может производиться как в объеме растворителей, так и в их парах. Окисные пленки, которые образуются на металлических слоях на воздухе, удаляются при травлении в кислотах, растворяющих окислы. [c.458]

Нанесение фоторезиста. Существует несколько способов нанесения фоторезиста на подложку центрифугирование, пульверизация, окунание, напыление в электростатическом поле, накатка валиком. [c.458]

В настоящее время для нанесения фоторезиста на подложку в основном используется метод центрифугирования, Толщина пленки зависит от вязкости фоторезиста, скорости вращения центрифуги и времени центрифугирования. [c.458]

При радиационной сушке тепло от границы фоторезист — подложка распространяется к поверхности слоя фоторезиста. Время сушки 3—7 мин. [c.458]

Проявление заключается в удалении после экспонирования ненужных участков фоторезиста с поверхности подложки. [c.458]

Травление. Производится травление участков, незащищенных слое.м фоторезиста. Выбор травителей определяется химическими свойствами растворяемого материала. [c.458]

Удаление фоторезиста. Используются в основном химические и термические способы. [c.458]

Основные параметры отечественных фоторезистов [c.460]

Фоторезист Тем- пера- тура. °С Вре- мя, мин проявитель Температура, С Вре- мя, мин Состав Темпе- ратура, С [c.461]

Фоторезист ФП-333 — вязкая прозрачная жидкость бронзового цвета, представляющая собой 23 /-6-ный раствор светочувствительного и пленкообразующего компонентов в смеси растворителей. [c.469]

Вязкость при 20 °С равна 2,8-10 м /с. Разрешающая способность при толщине пленки фоторезиста толщиной 0,8 мкм равна 0,2 мм , а устойчивость к 1 %-ному водному раствору тринатрийфосфата — 3 мин. [c.469]

Фоторезист ФП-617 — прозрачная жидкость темно-коричневого цвета. Разрешающая способность 600— [c.469]

В табл. 36—40 приведены основные параметры и режимы обработки отечественных фоторезистов, рекомендуемые составы травителей наиболее широко применяемых материалов для гибридных интегральных схем. [c.469]

Флинт 508, 509 — Коэффициенты внутреннего пропускания 509 — Коэффициенты дисперсии 508, 509 — Механические характеристики 510 — Показатели преломления 508 Фотолитография 457 — Нанесение фоторезиста на подложку 458 — Последовательность процессов фотолитографии 457, 458 [c.528]

В этом методе плоская или вогнутая сферич. подложка, покрытая слоем спец. светочувствительного материала — фоторезиста, освещается двумя пучками коге-, рентного лазерного излучения (с длиной волны Яо), 05т [c.659]

Перспективными средами для регистрации голограмм являются также магнитооптические и жидкокристаллические среды, фоторезисты, бихромированная желатина. [c.38]

Экспонирование (освещение) ультрафиолетовыми лучами через фотошаблон. Освещенные участки полимеризуются (задубливаются), молекулярный вес фоторезиста увеличивается. [c.94]

Для покрытия печатных плат предложен цитратиый электролит, не разрушающий фоторезисты (электролит № 9) — покрытие получается хорошо сцепленным с основой и практически беспористым. Твердые покрытия получаются из электролита с добавкой никеля (электролит № 10). [c.46]

Фотолитография — совокупность фотохимических процессов, основанных на использовании в качестве защитного покрытия рисунка схемы светочувствительных полимеров (фоторезистов), изменяющих свои первоначальные свойства под действием акти- [c.457]

Сушка фоторезиста должна обеспечить определенную ориентацию молекул фоторезиста и удаление растворителя. Осуществляется следующими методами конверсионным, радиацион- [c.458]

Совмещение и экспонирование. Экспонирование фоторезиста может осуществляться контактным и проекционным способом. В случае использования электронорезистов и рентге-норезистов — электронным и рентгеновским излучением. Совмещение осуществляется базовым и визуальным методами. [c.458]

Задубливание защитного рельефа фоторезиста основано на испарении остатков проявителя и дальнейшей тепловой полимеризации фоторезистов. Температура второй сушки более высокая, что повышает защитные свойства рельефа. [c.458]

Растворители для фоторезистов. Диметилформамид (СНз)2КСОН (молекулярная масса 73,09) — бесцветная подвижная жидкость со слабым специфическим запахом. Температура плавления —61 С, температура кипения 153 °С при давлении 1030 гПа. Смешивается с водой, спиртом, ацетоном, эфиром, сероуглеродом, галоино-содержащими и ароматическими соединениями. [c.458]

Фоторезист ФН-103 — вязкая прозрачная жидкость от красновато-желтого до темновато-красного цвета, представляет собой раствор циклокаучука в смеси толуола и л-ксилола и содержит в качестве светочувствительной добавки 2,6-ди-(4-озидобензаль)-4 метилциклогексанона (ДЦГ)- Применяется также в качестве защитного электроизоляционного слоя микросхем. В состав фоторезиста входит 15% циклокаучука, 0,4% ДЦГ, 56,4 % толуола и 28,2 % п-ксилола. Вязкость фоторезиста 11—15-10 м /с. Показатель преломления 1,5. Плотность 0,85—0,89 г/см . Разрешающая способность при толщине пленки фоторезиста 1,5 мкм равна 50 лин/нм. [c.459]

Фоторезис Внешний вид раствора Вяз- кость, мПа с Разрешающая способность (при толщине фоторезиста 1 мкм), лин/мм Кислото-проницае-мость по плотности дефектов мм, не более Стойкость в проявителе, с Поверх- ностное натяже- ние, МН/м [c.460]

Стравливаемый материал ТравитеЛЬ Время травления, мин Фоторезист Время за-дубливания, мин Температура, С [c.462]

Фоторезист ФП-334 — прозрачная жидкость от оранжевого до коричневого цвета, представляющая собой 25%-ный раствор светочувствительного и пленкообразующего компонентов в смеси растворителей. Кинематическая вязкость при 20 °С равна 4,5 0,5-10 м%. Разрешающая способность 400 лин/мм. Устойчивость необлученной пленки фоторезиста в проявителе 10 мин. Кислотопроницае-мость пленки фоторезиста толщиной 1 мкм характеризуется плотностью дефектов двуокиси кремния и не превышает 0,2 мм . [c.469]

Фоторезист ФП-307 — прозрачная жидкость оранжевого цвета, представляющая собой раствор светочувствительного продукта и новолачной смолы № 18 в диоксане. Вязкость 6 1,0-10" мУс. Разрешающая способность 500 лин/мм. Кислотопрони-цаемость пленки фоторезиста толщиной 1 мкм характеризуется плотностью дефектов двуокиси кремния и не превышает 0,35 мм" . Устойчивость необлученной пленки фоторезиста в проявителе (1,5%-ный водный раствор тринатрийфосфата) равна 90 с. [c.469]

Фоторезист ФП-РН-7 — прозрачная жидкость темно-оранжевого цвета, представляющая собой раствор светочувствительного ортонафтохинондиа-зида и фенолформальдегидных смол в смеси органических растворителей. Содержание сухого осадка в продукте 20 %. Вязкость при 20 °С равна 2,28-ь - 2,54-10 м /с. Плотность 0,9 г/см . Разрешающая способность при толщине пленки фоторезиста 0,7 —0,8 мкм равна 500 лин/мм. Маскирующее свойство фоторезиста в буферном трави-теле при толщине пленки 0,7 мкм, определяемое как плотность проколов в пленке, не превышает 3 %. [c.469]

Ряд применений Г. основан на спосо6еюсти голограм мы записывать волновые поля посредством создания спец. фазового рельефа на поверхности светочувствит. слоя. Одна из наиболее распространенных светочувст. виг. сред такого рода — фоторезисты. При хим. обработке засвеченные участки слоя фоторезиста вымываются, образуя на его поверхности определённый рельеф. Запись голограммы посредством создания рельефа характерна также и для фототермопластических сред, [c.509]

В случае голограммных дифрак . решеток на голограмме также записывается точка, а в качестве свето-чувствит. среды используется очень тонкий слой фоторезиста. Образующаяся при этом голограмма двумерна, и в ней полностью исключена спектральная селективность, свойственная трёхмерной голограмме. В соответствии с этим при реконструкции голограммы точечным источником, обладающим сложным спектральным составом, изображения точек иа всех длинах волн восстанавливаются одновременно так, что результирующее изображение размазывается в спектр. Голо-граммные решётки по сравнению с нарезными дифрак, ционными решётками обладают значительно меньпгим уровнем рассеянного света, у них отсутствуют оипгбки шага и соответственно ие возникают т. и. духи . Используя при записи волновой фронт сложной формы, у таких решёток можно скорректировать аберрации сформированного ими изображения спектра. [c.512]

В тонкоплёночных лазерах (прежде всего полупроводниковых) РОС реализуется обычно с помощью гофрировки ограничивающей боково-й поверхности оптич. волновода. Для гофрировки может быть использовано, й частности, травление плёнки через защитную маску, созданную из тонкой плёнки фоторезиста с помощью засветки интерферирующими световыми пучками, [c.255]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...