Матрицы полюсных элементов

Матрица реакций полюсного элемента [7] [c.233]

Аналогично вводим в общую разрешающую систему уравнений матрицы жесткости вязкоупругих связей и полюсных элементов. [c.241]

На неоднородный участок из области 2=-—оо падает Т-волна. В результате дифракции образуются отраженная и прошедшая волны. Описание 4-полюсного элемента сводится к нахождению матрицы рассеяния либо другого дескриптора, характеризующего эффекты отражения Т-волны от НЛП и передачи ее через отрезок НЛП. [c.45]

Шестиполюсные элементы. Ограничимся случаем 6-полюсных элементов, симметричных относительно продольной плоскости АА (рис. 2.5). Элемент образован двумя ЛП I, II, между которыми располагается резистивный поглотитель III с распределенно-сосре-доточенными потерями. Положим, что поперечные размеры резистивного поглотителя гораздо меньше длины волны в элементе и потери в проводящих поверхностях отсутствуют. Волновые сопротивления подводящих линий в общем случае неравны Я Ф2. Для построения модели элемента используем метод зеркальных изображений [10]. Шестиполюсный элемент описывается матрицей рассеяния [S], связывающей падающие с+ и отраженные с волны [c.47]

В качестве 8-полюсных элементов, из которых образуется фильтр, могут применяться ступенчатые связанные ЛП (рис. 8.2,а). Будем полагать, что элементы описываются матрицей рассеяния вида (2.15)-, т. е. они являются согласованными, полностью симметричными 8-полюсниками с направленностью типа 2. Такие элементы в одноволновом приближении могут быть выполнены с помощью каскадного соединения (цепочечного соединения пер й группы) отрезков однородных связанных ЛП. Для каждого отрезка должны быть выполнены условия согласования и направленности (2.13). . [c.194]

Матрица [5] 6-полюсного элемента примет вид матрицы идеального ДМ в том случае, если 5ц -ч-0, 5зз - 0, 512 ->-0. Таким образом, задача оптимизации ДМ в полосе частот с использованием чебышевских критериев оптимальности ставится в виде [c.204]

Рассмотрим 8-полюсный элемент, образованный каскадным соединением отрезков связанных ЛП (см. рис. 8.10). При выполнении (2.13) для каждого отрезка связанных ЛП матрица рассеяния 8-полюсника имеет вид (2.14). Волна, поступающая в плечо 1 8-полюсного элемента, делится между плечами 2, 3, причем плечи развязаны между собой. Параметр, характеризующий деление мощности, совпадает с элементом Т" , = i Т , —S13/S12, ф41 = =arg Г41, волновой матрицы передачи 8-полюсника [9]. [c.220]

Покажем, что функция коэффициента связи ступенчатого НО, реализующего фазовый сдвиг 90°-f (0 il) 90°), зеркально симметрична функции коэффициента связи НО с фазовым сдвигом 90°—il). Из вида матрицы рассеяния 8-полюсного элемента (2.14) и соотношений (2.12) следует, что при подаче мощности СВЧ в плечо 1 (см. рис. 8.10) разность фаз ф=ф41 электромагнитных волн в плечах 2, 3 определяется как ф=arg Su—arg Si2= — arg + arg Sj ] +. При подаче мощности в плечо 4 разность фаз волн ф в плечах 2, 3 вычисляется как ф = аг5 51з—аг 5з4=—— arg Однако из вида матрицы рассея- [c.222]

Описанная процедура может рекуррентно применяться для вычисления матрицы рассеяния [S] и в случае цепочечного соединения многих 8-полюсных элементов. Анализ свойств цепочечных соединений третьей группы может выполняться и более формально после преобразования (в результате соответствующей перенумерации плеч 8-полюсных элементов) цепочечного соединения к 226 [c.226]

Составление уравнения (13.1) при известных матрицах И векторах реакций оболочечных элементов, матрицах реакций вязкоупругих связей [G ] кольцевых и полюсных [G] [c.239]

С учетом свойства симметрии (5ц=52г) матрица рассеяния (2.7) 4-полюсного элемента принимает вид (В.4). Важное свойство симметричных элементов состоит в постоянстве разности фаз отраженной и прошедшей через элемент волн. Свойство это следует из тождества агд5ц—avgSi2=nl2. [c.47]

Рассмотрим четный тип возбуждения элемента, соответствующий введению магнитной стенки в плоскости АА. В этом режиме с+,= = с 2, с з = 0. Из вида матрицы [5] следует, что с-1=(5ц+ - -512) с+,. Легко убедиться, что четному типу возбуждения элемента соответствует эквивалентная схема, показанная на рис. 2.5,6. Таким образом, 6-полюсный элемент оказывается эквивалентным 4-полюснику, образованному одиночной ЛП, к которой подключены однородные ЛП с волновыми сопротивлениями ро, / ро. Для 4-полюсника четного типа возбуждения можно записать соотноше-ние с 1=Г++1С+1, где Г++1—коэффициент отражения от плеча 1. Аналогично для нечетного режима возбуждения (с+1 = —с+2, с+з = = 0), соответствующего электрической стенке в плоскости ЛЛ, имеем с-1=(5п—512)с+1. Нечетному режиму возбуждения соответствует эквивалентная схема, показанная на рис. 2.5,в. Для 4-полюсника нечетного типа возбуждения, образованного ЛП с потерями и закороченного со стороны одного плеча, имеем с 1 = Г 1С+1, где [c.47]

Недостатком фильтров, построенных по схеме рис. 8.2,в, является большой коэффициент связи отрезков связанных ЛП. Это приводит к серьезным технологическим трудностям при их изготовлении. Для устранения этого недостатка можно изменить структуру фильтра и реализовать его на основе не одного (как на рис. 8.2,6), а. нескольких 8-полюсных элементов. Вариант фильтра, выполненного на основе цепочечного соединения третьей группы двух 8-полюсных элементов, показан на рис. 8.2,г. В предположении, что элементы /, // одинаковые и их матрицы рассеяния имеют вид (2.15), рабочее затухание фильтра = =201ё 1/(1415121151з11 (5 12+(5 1з) ) Исследование таких фильтров, проведенное с помощью методов численной оптимизации (см. 10.1), показывает, что коэффициенты связи отрезков связанных ЛП, образующих 8-полюсные элементы I, II, существенно меньше, чем для структуры, показанной на рис. 8.2,в. Напомним также I (гл. 2), что отражающий фильтр, выполненный в соответствии с рис. 8.2,г, может быть просто преобразован в неотражающий. [c.195]

Задача оптимизации ДМ. Как показано в 2.1, матрица рассеяния 6-полюсного элемента (см. рис. 2.5) может быть вычислена, если известны коэффициенты отражения Г++ь Г+ 1 от плеча 1, 4-полюсников четного и нечетного типов во.->буждения. Модули Ьэлементов матрицы рассеяния [c.203]

Устройства иа основе цепочечных соединений 8-полюсных элементов Технологические сложности, возникающие при изготовлении ступенчатых НО и направленных фильтров с сильной связью (Со 5 дБ), связаны с необходимостью реализации с высокой точностью малых зазоров между проводниками отрезков связанных ЛП. Этот недостаток обусловлен тем, что цепочечное соединение первой группы произвольных 8-полюсных элементов с направленностью 2-го типа (в частности, отрезков связанных и несвязанных ЛП с Т-волнами) не позволяет получить 8-полюсник, переходное ослабление которого в широкой полосе частот было бы меньше, чем переходное ослабление входящих в него 8-полюсных элементов. В [153] предложено тандемное соединение 8-полюсных элементов (рис. 8.21,а), позволяющее получать устройства со сколь угодно малым переходным ослаблением между плечами, не связанными по постоянному току. Согласно классификации, введенной в гл. 2, эти устройства относятся к цепочечным соединениям третьей группы. Из рис. 8.21,а и физических соображений следует, что если матрицы рассеяния 8-полюсных элементов /, II имеют вид (2.14) (т. е. для элементов выполнены условия согласования нлеч и идеальной направленности), то плечи 1—4 цепочечного соединения будут согласованы, а плечи 1, 3 я 2, 4 попарно развязаны. [c.225]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...