ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Пробой электронно-дырочного перехода из "Кремниевые вентили " При расчете области объемного заряда для - V(x) обычно используют два приближения линейное, при котором N x) пропорционально координате, для случая плавного или линейного перехода и приближение резкого перехода, когда до определенного значения х Л (х) = onst, а после этого значения /У(д )=0. [c.67] Оба эти приближения дают возможность связать математически величину приложенного напряжения с параметрами области объемного заряда, т. е. получить в явном виде зависимости ширины области объемного заряда от напряжения 6=fi(i7o6p) и напряженности поля в области объемного заряда от координаты, т. е. [c.67] Распределение напряженности поля в области объемного заряда. [c.68] Л —ДЛЯ резкого р-лг-псрехода б —для р /г-пере-хода с линейным распределением концентрации примеси. [c.68] Выражение (2-35) описывает диффузию при постоянной концентрации на поверхности в течение всего процесса, выражение (2-36) — диффузию при постоянном количестве диффундирующего вещества. [c.69] выбирая конкретные величины х , Л д/Л в и бь можно рассчитать на электронной вычислительной машине соответствующие значения 62. [c.70] Интегрирование приведенных выражений на электронной вычислительной машине было проведено для различных значений Мц/Мз. Результаты получены в виде графических зависимостей, связывающих значение приложенного напряжения с параметрами области объемного заряда. [c.70] Как было показано выше, максимальная напряженность электрического поля ( макс в области объемного заряда существенно увеличивается с ростом приложенного обратного напряжения. При достижении ( макс определенной критической величины (9маис ёщ- обратный ток через р-п-пе-реход резко возрастает. Это возрастание может быть вызвано двумя явлениями — ударной ионизацией атомов решетки ускоряемыми полем электронами (лавинный пробой) и туннельным (зенеровским) пробоем. [c.70] Обозначения кривых — см. рис. 2-11. [c.72] Эта формула дает достаточно хорошее совпадение с экспериментом при удельных сопротивлениях, не превышающих десятых долей омосантиметра. [c.73] Как уже отмечалось, туннельный пробой будет иметь место только в достаточно узких р-/г-переходах с проб 5 в. [c.73] ТО столкновение его с атомом решетки приводит к образованию пары электрон — дырка. Образовавшиеся носители заряда в свою очередь разгоняются полем и т. д. [c.74] Увеличение температуры р-л-перехода приводит к возрастанию кр и, следовательно, к возрастанию t/проб, так как с ростом температуры средняя длина свободного пробега уменьшается. [c.74] Рассмотрим более подробно процесс лавинного пробоя. [c.74] Обозначим через а х) и 3(х) скорости ионизации электронами и дырками соответственно. Под скоростью ионизации будем понимать количество иар электрон — дырка, образуемых одним носителем заряда на 1 см пути в направлении поля. [c.74] На рис. 2-13 изображена область объемного заряда перехода. [c.74] Пусть число дырок, поступающих через единицу площади при х = 0 слева в эту область, равно ро. При прохождении этой области дырки, создавая за счет ударной ионизации пары электрон — дырка, увеличивают свое число до р. [c.74] Число электронов, попадающих справа при х — 6, равно По и увеличивается за счет ударной ионизации до п. Кроме того, идет обычная генерация пар электрон — дырка в области объемного заряда со скоростью О в единице объема. [c.75] если область объемного заряда пе выходит за пределы линейного изменения концентрации примеси, то пробивное напряжение определяется только величиной градиента концентрации а. [c.77] Вернуться к основной статье