Неупругое рассеяние нейтронов однофононные процессы

Неупругое рассеяние нейтронов однофононные процессы [c.67]

Так как при Е <СС 0 главную роль играют однофононные процессы (см. ниже), то в этой области энергии приведённые формулы определяют полное сечение неупругого рассеяния нейтронов с передачей энергии решётке. [c.392]

Показать, каким образом законы сохранения энергии и квазиимпульса определяют основные черты процессов однофононного неупругого рассеяния нейтронов. [c.81]

При обсуждении рассеяния нейтронов (гл. 24) говорилось, что в поперечном сечении неупругого рассеяния нейтронов должны иметься бесконечно узкие максимумы при энергиях, удовлетворяющих законам сохранения для однофононных процессов. Однако наблюдаемые максимумы, будучи достаточно узкими, имеют все же заметную ширину (см. фиг. 24.4). Мы объясняли это уширение тем, что собственные значения гармонического гамильтониана не являются истинными стационарными состояниями кристалла, т. е. ангармонические поправки к гармоническому приближению играют существенную роль. Ширина однофононных максимумов служит прямой характеристикой величины ангармонической части энергии взаимодействия ионов. [c.116]

Мы видим, таким образом, что если Е <С 0 и Т 0, то однофононные процессы дают первый член в разложении сечения неупругого рассеяния в ряд по степеням энергии нейтрона. Точнее говоря, разложение происходит по степени / [c.395]

Измерение углового распределения нейтронов, испытавших неупругое когерентное рассеяние в результате однофононных процессов, позволяет непосредственно восстановить закон дисперсии для соответствующих фононов. [c.61]

Рассмотрим теперь некоторые экспериментальные результаты, полученные при исследовании неупругого рассеяния нейтронов ). Как мы видели, угловое распределение нейтронов, когерентйо рассеянных в результате однофононных процессов, состоит из дельтаобразных пиков, положения которых определяются законами сохранения. Вообще говоря, эти пики накладываются на непрерывный фон, связанный как с многофононными когерентными процессами, так и с различными процессами некогерентного рассеяния. [c.69]

Определенную информацию все же удается получить, поступая несколько иным способом. В приложении О показано, что вклад однофононных процессов в полную интенсивность излучения, рассеянного в данном направлении, определяется простой функцией частот и поляризаций тех нескольких фононов, которые принимают участие в таких процессах. Поэтому закон дисперсии фононов может быть найден из измерений интенсивности рассеянного рентгеновского излучения как функции от угла рассеяния и частоты падающих рентгеновских Л5гчей, если удастся найти какой-то способ вычесть из этой интенсивности вклад многофононных процессов. Обычно это пытаются сделать путем теоретического расчета многофононного вклада. Дополнительно следует, однако, учитывать, что рентгеновское излучение в отличие от нейтронов сильно взаимодействует с электронами. Поэтому интенсивность будет содержать вклад, обусловленный неупругим рассеянием на электронах (так называемый комптоновский фон ), что требует внесения соответствующей поправки. [c.108]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...