Диэлектрическая проницаемость ковалентных кристаллов

Избыточный электрон движется в кулоновском поле примесного атома с потенциалом е/ег, где е — статическая диэлектрическая проницаемость ковалентного кристалла. Множитель 1/е учитывает уменьшение кулоновских сил, действующих между зарядами, обусловленное электронной поляризацией среды. Такая трактовка пригодна для орбит, достаточно больших по сравнению с расстоянием между атомами, и для медленных движений электрона, таких, что орбитальная частота мала по сравнению с частотой (i)g, соответствующей ширине запрещенной зоны. Эти условия хорошо выполняются для внешних электронов атомов Р, As или Sb при введении их в качестве доноров в кристаллы Ge или Si. [c.394]

Статическая диэлектрическая проницаемость ковалентных и ковалентно-ионных кристаллов т. 2, стр. 177 Сегнетоэлектрические кристаллы т. 2, стр. 180 Ширина запрещенной зоны полупроводников т. 2, стр. 188 Примесные уровни в кремнии и германии т. 2, стр. 203 [c.390]

Найдем, в качестве примера, положение локальных разрешенных уровней примесных атомов V группы таблицы Менделеева в элементарных полупроводниках IV группы. Предположим, например, что в одном из узлов кристалла германия находится атом мышьяка, имеющий пять электронов в валентной оболочке. Четыре валентных электрона участвуют в образовании ковалентных связей с четырьмя соседними атомами германия.- Поскольку ковалентная связь является насыщенной, пятый электрон новой связи образовать не может. Находясь в кристалле, он сравнительно слабо взаимодействует с большим числом окружающих мышьяк атомов германия. Вследствие этого его связь с атомом As уменьшается и он движется по орбите большого радиуса. Его поведение подобно поведению электрона в атоме водорода. Таким образом, задача сводится к отысканию уровней энергии водородоподобного атома. При ее решении необходимо учесть следующие обстоятельства. Поскольку электрон движется не только в кулоновском поле иона мышьяка, но и в периодическом поле решетки, ему необходимо приписать эффективную массу т. Кроме того, взаимодействие электрона с атомным остатком As+, имеющим заряд Ze, происходит в твердом теле, обладающем диэлектрической проницаемостью г. С учетом этого потенциальная энергия электрона примесного атома [c.237]

Для диэлектриков, в которых преобладает электронная поляризация (из твердых диэлектриков это ковалентные молекулярные кристаллы), характерны малая зависимость диэлектрической проницаемости от температуры и исключительно малая величина диэлектрических потерь на высоких частотах. Эти диэлектрики отличаются также малым поглощением не только в оптической, но и в инфракрасной области спектра. [c.67]

Статические диэлектрические проницаемости ряда ковалентных и ковалентно-ионных кристаллов со структурами алмаза (а), цинковой обманки (ц) [c.177]

Классический предел I 64—65 Ковалентная связь II 11, 21, 177 в металлах II 22 поляризуемость II 177 Ковалентные кристаллы II 7—9, 21 диэлектрическая проницаемость II 177 поляризуемость II 177 распределение электронного заряда И 8 с полупроводниковыми свойствами II 188, 189 [c.398]

Мы не станем проводить здесь дальнейшее обсуждение этого вопроса, заметим лишь, что ковалентные кристаллы могут обладать очень большими диэлектрическими проницаемостями, в чем отражается относительно делокали-зованное распределение их электронного заряда. Статические диэлектрические проницаемости для ряда ковалентных кристаллов приведены в табл. 27.3. [c.177]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...