Мощность рассеяния резистора

Номинальной мощностью рассеяния резисторов называют максимально допустимую мощность, которую резистор может рассеивать при непрерывной электрической нагрузке и определенной температуре окружающей среды без изменения своих параметров. [c.316]

Номинальной мощностью рассеяния резистора называют максимально допустимую мощность, которую [c.45]

Находим допустимую мощность рассеяния резистора (см, главу XV) [c.118]

Рис. 135. Условные обозначения номинальной мощности рассеяния резисторов

Что называется допустимой мощностью рассеяния резистора, как ее рассчитать К чему приводит превышение Рдоп [c.185]

Примечание. Если необходимо указать величину номинальной мощности рассеяния резисторов, то для диапазона от 0,05 до 5 В допускается использовать следующие обозначения резисторов, номинальная мощность рассеяния которых равна [c.1092]

Резисторы рассчитывают на номинальную мощность рассеяния (Вт), соответствуюп ю ряду 0,01 0,025 0,05 0,125 0,25 0,5 1 2 5 о 10 16 25 50 75 100 160 250 500. [c.130]

Пример обозначения Резистор МТ-0,5—510 кОм — 5% — АТ ГОСТ 7113—66 — резистор постоянный типа МТ с мощностью рассеяния 0,5 Вт, с номинальной величиной сопротивления 510 кОм и допустимым отклонением от номинала Ь5%. уровнем шумов не более [c.132]

Тонкопленочные резисторы (ТПР) являются наиболее распространенными тонкопленочными элементами гибридных интегральных схем, формированию которых уделяется наибольшее внимание при производстве гибридных схем. Основными параметрами ТПР, определяющими выбор их конструкции и материалов для их изготовления, являются величина сопротивления, номинальная мощность рассеяния, временная и температурная стабильность, слабая зависимость удельного сопротивления от различных факторов технологического процесса (Армирования. [c.433]

Методом испарения в вакууме или катодным распылением в инертном газе создают резистивные пленки из материала на основе твердого раствора дисилицидов титана и хрома. Изготовленные из них высокоомные и низкоомные пленочные резисторы интегральных схем имеют линейную зависимость электросопротивления от температуры в диапазоне 400 - 4,2 К и удельную мощность рассеяния до 2 кВт/см против 0,2 кВт/см для других известных материалов. [c.205]

По второму способу эмалируемое изделие нагревают до высокой температуры и посыпают порошком эмали, который, оплавляясь, прилипает к поверхности изделия. В радиопромышленности стеклоэмали употребляют главным образом для покрытия проволочных резисторов типа ПЭВ больших номиналов мощности рассеяния. Однако употреблять эмали можно шире, особенно ссли применять метод вихревого напыления. Эмаль надежно защищает от коррозии металлические части аппаратуры. [c.226]

В аппаратуре связи применяют разнообразные резисторы с номинальными значениями сопротивления от нескольких ом до 10 ом, с номинальной мощностью рассеяния от десятых долей до 500 вт. [c.315]

Коэффициентом нагрузки К называют величину, характеризующую электрическую нагрузку резистора, которая находится из отношения мощности рассеяния реальной (Р) к мощности рассеяния номинальной [c.318]

Гнп резистора Предельные значения мощности рассеяния, вт Пределы сопротивления, ом [c.321]

Резисторы типа УЛИ имеют следующие данные мощность рассеяния Р = 0,1-т-1 ст, R = ол -г- 1 Мом [c.325]

Тип резистора Мощность рассеяния, вт Пределы сопротивления раб, предельное рабочее напряжение при 33 тор [c.326]

Номинальная мощность рассеяния этих резисторов — [c.327]

Мощность рассеяния указывается только для резисторов типа КИМ (КИМ-0,125 КИМ-0,05), а для резисторов КЛМ и КВМ не указывается. Параметры для композиционных резисторов указаны в табл. 8.6. [c.330]

Нелинейные резисторы — варисторы изготовляются на напряжение от 3 до 1500 в, рабочие токи от 0,1 до 1 ООО лса, с коэффициентом нелинейности от 2 до 7 и мощностью рассеяния от 0,1 до 200 вт. [c.357]

Пленочная технология является гибкой и позволяет быстро создавать схемы, аналогичные схемам из обычных дискретных элементов. Пленочные микросхемы наиболее широко применяются при создании аналоговой аппаратуры Вообще их целесообразно использовать там, где велика номенклатура схем, где требуются конденсаторы с большой емкостью и резисторы с большими номиналами, высокой стабильностью, высокой допустимой мощностью рассеяния. [c.685]

Минимальная длина а и ширина Ь резистора подсчитываются по заданной величине сопротивления 7 , величине удельного сопротивления рд заданной мощности рассеяния Р допустимой мощности рассеяния Рц для данного материала пленки по формулам [c.690]

К недостаткам следует отнести необходимость введения дополнительных технологических операций. Кроме того, пленочные резисторы имеют более низкую допустимую мощность рассеяния. [c.699]

Статическая регулировка поддерживаемого напряжения производится по схеме рнс. 64. На схеме буквами РИ указан регулируемый стабилизированный источник постоянного тока с напряжением от 11 до 15 В и током не менее 3 А, например, типа ВС-26 или Б1-21 резистор l, имитирующий обмотку возбуждения генератора — любого типа мощностью рассеяния не менее 25 Вт (например, реостат, рассчитанный на ток не менее 2 А) вольтметр ИП, любого типа на напряжение 15—50 В, служащий в качестве индикатора тока в цепи шунтовой обмотки генератора вольтметр ИП2 на напряжение 15— [c.107]

Постоянные резисторы могут быть любого типа с мощностью рассеяния не ниже указанной на схеме. Переменные резисторы также могут быть любого типа но обязательно с фиксированием осей. Все переменные резисторы доступа к осям снаружи тестера не имеют. Конденсаторы также могут быть любого типа. [c.119]

Я2 так, чтобы через отверстие в крышке можно было регулировать напряжение в сети, вращая ось этого резистора. Резистор Яг должен быть проволочным, например ППЗ-43, так как в резисторах типа СПО при длительных вибрациях нарушается контакт. Резистор Яб должен быть изготовлен из высокоомной проволоки диаметром 0,5—0,8 мы. Для его намотки можно использовать спираль электрической плитки и каркас одного из резисторов, снятых со стандартного регулятора. Остальные резисторы следует рассчитать на мощность рассеяния ие менее 0,25 Вт. [c.45]

В тех случаях, когда номинальная мощность рассеяния резистора превышает 2 Вт, могут быть применены прецизионные нрово лочные резисторы типо вС5 -5ВиС5 -42В (табл. 4). [c.14]

Номинальные мощности рассеяния (Вт) резисторов типов ВС от 0,125 до 10 УЛИ от 0,125 до 1 МТ, ОМЛТ МЛТ, МУН от 0,125 до 2 МГП только 0,5 КИМ только 0,05 и 0,125 ТВО от 0,125 до 20 и 60 ПЭ, ПЭВ, ПЭВР от 7,5 до 150. [c.132]

Резисторы переменные подразделяют на непроволочные и проволочные. Непроволочные резисторы выпускают следующих типов СПО — объемные СПО-Е — повышенной долгвечности СП — лакопленочные СП-3 — для печатного и объемного монтажа ВК, ВКУ, ТК, ТКД, СНК. СНВКД — одинарные и сдвоенные с выключателем и без выключателя в обычном и тропическом исполнениях. Переменные проволочные резисторы выпускают следующих типов СП5 — низкочастотные (до 1000 Гц) для печатного и навесного монтажа ЮС — низкочастотные юстировочные ППЗ — одинарные и сдвоенные (имеют три варианта конструкции осей) РП-25, РП-80 — мощные резисторы с керамическим основанием. Переменные резисторы подразделяют на три группы в зависимости от формы функциональной характеристики изменения величины сопротивления от угла поворота оси А —линейная, Б —логарифмическая, В —обратная логарифмическая. Номинальные значения резисторов типа СП от 20 Ом до 4.7 МОм, допустимые отклонения от номинала 20% (до 220 кОм) и 30% (свыше 220 кОм) номинальные мощности рассеяния 0,125 0,5 и 1 Вт ТКС не более —0,1% на ГС при номинальной величине сопротивления до 68 кОм и —0,2% на Г С при 100 кОм и выше э. д. с. шумов в зависимости от характеристики и номинала от 4 до 40 мкВ/В. [c.132]

Хромсилицидные сплавы обладают высокой термостабильностью, изменение 5 % сопротивления ДУ не превышает в диапазоне 0—400 °С. Сплавы РС3710 и РС3001 проявляют сложную зависимость сопротивления от те.мпе-рзтуры, изменяя металлическую проводимость на полупроводниковую при 200—300 °С. Сплавы не критичны к мощности рассеяния, вольт-амперные характеристики имеют характер, очень близкий к линейному, отказ резистора при повышенной нагрузке происходит резко. [c.439]

Мощность катодной станции на выходе, Вт, Wk. = Iw.Mk. - Мощность рассеяния регулировочных резисторов, Вт, с учетом возможных отклонений фактических сопротивлений в цепях УКЗ от расчетных следует выбирать по току наиболее нагруженного анода W pj = /LmaxZpi. Если максимальное падение напряжения в цепи УКЗ больше стандартного напряжения катодной станции при соответствующем номинальном токе, необходимо в зависимости от конкретных условий и с учетом экономических соображений увеличить площадь сечения дренажных кабелей, уменьшить сопротивление растеканию анодов, либо выбрать катодную станцию с меньшим номинальным током и соответственно изменить расстояния между УКЗ. [c.137]

I Отношение номинальной мощности рассеяния Р к величине теплоотдающей поверхности 8 называется удельной нагрузкой резистора, вт1см . [c.317]

Резисторы типа УНУ — углеродистые, незащищенные, ультравысокочастотные. Предназначены для работы при температурах от —60 до +125° С, а также в условиях тропического влажного климата. Выпускают мощностью рассеяния от 0,1 до 100 вт на номинальные сопротивления 7,5-ь100 ом на импульсные напряжения при атмосферном давлении 64 тор и 5 тор, соответственно, от 70 до 12 500 в и от 70 до 8750 в. [c.325]

Резисторы типа УНУ-Ш — углеродистые, незащищенные, ультравысокочастотные, шайбовые. Предназначены для работы в высокочастотных цепях, при температурах от —60 до 70° С. Выпускаются на номинальную мощность рассеяния от 0,1 до 0,25 ет и на пределы сопротивления от 4,5 до 75 ом, на импульсное напряжение от 25 до 120 в. [c.325]

Промышленностью СССР изготовляют резисторы типа МОУ (металлоокисные ультравысокочастотные) и типа МОН (металлоокисные, низкоомные). Первые применяют в качестве поглотительных омических элементов, с номинальной мощностью рассеяния от 0,1 до 200 вт. Пределы номинальных сопротивлений резисторов от 4,3 до 150 ом. Резисторы типа МОУ-Ш выпускают с мощностью рассеяния 0,15 и 0,5 ет. ТК у сопротивлений МОУ не превышает 0,0005 град- , а у МОУ-Ш — не более 0,0015 грс . [c.327]

Существуют ОТ с косвенным подогревом, в к-рых сопротивление определяется током в спец. подогревной обмотке, электрически изолированной от полупроводника при этом мощность рассеяния в последнем обычно мала. Такие Т. применяются в системах автоматич. регулирования, если нужно разделить управляющую и управляемую цепи (переменные резисторы без скользящего контакта с дистанционным управлением, автоматич. стабилизация усиления усилителей, измерение скоростей движения жидкости или газа и др.). [c.168]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...