Фотоэлектроны в матрицах

Выбивание фотоэлектронов не сопровождается поглощением их матрицей, поскольку большинство матричных материалов имеет очень небольшое сродство к электрону. (Исключение составляет матрица кислорода, который обладает значительным сродством к электрону и мгновенно поглощает электроны.) Напротив, некоторые частицы, изолированные в матрице, имеют высокое сродство к электрону и легко дают стабильные отрицательные ионы. В матрице, содержащей подобные частицы, при получении фотоэлектронов образуются как положительные, так и отрицательные ионы. [c.85]

Применение фотоэлектронной спектроскопии осложняется также потерей кинетической энергии выбиваемого электрона при его взаимодействии с матрицей. Поэтому только поверхностные слои матрицы доступны исследованию этим методом, причем, вероятно, более перспективно использование рентгеновского излучения, так как электроны высоких энергий поглощаются в меньшей степени. [c.92]

Молекула С2 получена фотолизом (с использованием УФ-излучения и рентгеновских лучей) молекул ацетилена или метана, изолированных в матрицах менее вероятно, то ее можно обнаружить при стабилизации в матрице паров графита. Хотя основным состоянием этой молекулы является синглет 15 , низколежащее триплетное состояние (ЗПg) приводит к возникновению известных полос Свана, обнаруженных в спектрах комет и углеводородных пламен. В ранних работах предполагалось существование в матрице обоих состояний молекулы С2. Однако позднее было показано, что полосы, отнесенные к переходам из состояния молекулы С2, в действительности принадлежат иону С - образующемуся в матрице за счет присоединения фотоэлектрона. Таким образом, в спектрах поглощения наблюдаются только переходы из основного состояния молекулы С2, хотя полосы Свана в спектрах испускания С 2 все же могут быть замечены при облучении ацетилена, изолированного в матрице, рентгеновскими лучами. Частица С была одним из первых ионов, идентифицированных в матрице. При фотолизе ацетилена образуются и другие ионы, если в матрице, присутствуют источники фотоэлектронов, такие, как цезий и триметиламин, имеющие низкие потенциалы ионизации. При облучении матриц, содержащих С , светом с длиной волны 200-280 нм (л/5 эВ) полосы поглощения С исчезают, что согласуется с предпо- [c.125]

Трехатомные ионы. До настоящего времени исследованы очень немногие трехатомные ионы 0 , 50 , N0", СЮ . Эти частицы легко образуются при взаимодействии нейтральных молекул (имеющих достаточное сродство к электрону) с фотоэлектронами, полученными из атомов щелочных металлов, которые одновременно заморожены в матрице. Частоты колебаний таких ионов обычно зависят от природы щелочного металла, что указывает на образование "частично разделенных" ионных пар, а не свободных частиц. [c.129]

Анионы карбонилов металлов. Недавно путем одновременной фотоионизации и фотолиза карбонилов металлов были получены их анионы. Использование света с длиной волны меньше 200 нм для облучения М(СО) иногда приводит к непосредственному образованию ионов М(СО) 1 и ССИ". Присутствие в матрице атомов натрия или калия повышает выход анионов в этш случае перенос фотоэлектрона может происходить при облучении светом с большей длиной волны (Л > 200 нм) [c.156]

Фотоэлектроны в матрицах 85-87 Фтор [c.170]

Для анализа формулы (4.19) на языке квантовых биений введем спиновую волновую функцию фотоэлектрона х /(0 и разложим ее по собственным спиновым состояниям в магнитном поле ВНд , т. е. по собственным состояниям матрицы а д. [c.145]

Ожидается, что в ультрафиолетовом, видимом и ближнем инфракрасном спектральных диапазонах в качестве первичных фотодетекторов будут служить фотоэлектронные умножители, а в среднем инфракрасном спектральном диапазоне будут использованы полупроводниковые устройства. Возможно также, что в ряде экспериментов будут применяться системы фотодетекторов ими могут быть фотодиодные матрицы, многоканальные пластины, видиконы, приборы с зарядовой связью и система из фотоэлектронных умножителей [381]. [c.429]

В качеств детекторов, используют спец. фотоматериалы с бсзжелатиновой эмульсией, фотоэлектронные умножители, канальные фотоумножители, микроканальные пласти№>1 (сборки неск. тыс. канальных фотоумножителей) и телевиз. трубки разл. типов (см. Приёмные электроннолучевые трубки). Для фотоэлектронных детекторов применяют фотокатоды из sl, sTe, KBr и др. с макс. квантовым выходом в УФ-области до 20%. Используются и ПЗС-матрицы (см. Прибор с зарядовой связью) в комбинации с микроканальными пластинами или с покрытием люминофором, трансформирующим УФ-излучение в. видимое. Дифракц. решётки для этого диапазона отличаются лишь защитным покрытием. Схемы спектрометров и спектрографов аналогичны лабораторным. [c.219]

Реже для исследования зернограничной сегрегации применяют метод спектроскопии обратного рассеяния ионов [31, 272]. В этом случае пучок ионов или с энергией 2 МэВ, полученный в ускорителе Ван де Граафа, ударяет в поверхность межзеренного излома. Часть ионов, проникших в приповерхностный слой, испытывает обратное рассеяние на атомах образца. При заданном угле рассеяния энергия рассеянных ионов связана с массой рассеивающих атомов чем больше масса, тем выше энергия. Приме> ение этого метода ограничено тем, что он позволяет с удовлетворительной чувствительностью определять сегрегацию только тех элементов, атомы которых тяжелее атомов матрицы. Кроме тогр, его разрешение по глубине (с 100 атомных слоев) значительнохуже чем у методов фотоэлектронной и Оже-спектроскопии. Однако метод спектроскопии обратного рассеяния ионов имеет и свои преимущества он прямо, без какого-либо пересчета и без использования эталонов, дает количественные результаты его чувствительность для тьжелых элементов (например, сурьмы в железе) даже выше, чем в случае Оже-спектроскопии большая глубина проникновения обладающих высокой энергией ( 2 МэВ) первичных ионов в поверхностный слой образца позволяет проводить прямой анализ зернограничной сегрегации на глубинах более нескольких первых атомных слоев без каких-либо опасений по поводу загрязнения анализируемой поверхности остаточными газами. Следовательно, проведение анализа этим методом не требует ни разрушения образца в камере спектрометра, ни поддержания сверхвысокого вакуума. Метод спектроскопии обратного рассеяния ионов с успехом применен в серии работ [31, 276], посвященных изучению зернограничной сегрегации сурьмы в марганцовистых сталях. [c.33]

Реакции фотоэлектронов. В последнее время установлено, что излучение высокой энергии (включая часть УФ-области) вызывает фотоионизацию атомов и молекул, изолированных в матрицах. Образующиеся при этом положительные ионы служат дополнительным примером фотолитического получения активных частиц еще более интересны процессы с участием фотоэлектронов. [c.85]

В качестве источника фотоэлектронов можно применять имеющие низкие потенциалы ионизации молекулы алкиламинов или атомы щелочных металлов, которые замораживают в матрице вместе с исходным соединением для образования отрицательных ионов. Таким способом, например, в матрице были получены ионыКО , 50 , 0 . [c.86]

Если такой источник фотоэлектронов и молекула, обладающая значительным сродством к электрону, располагаются в матрице на достаточно близком расстоянии, их потенциальные кривые могут перекрываться в результате облегчается переход электрона через потенциальный барьер (рис. 4.8). В этих условиях для ионизации требуется энергия, меньшая потенциала ионизации. Процесс в целом можно точнее определить как перенос заряда с образованием ионной пары, а не двух индивидуальных ионов. Например, показано, что в спектрах поглощения матриц, содержащих одновременно атомы натрия и моле1дглы полициклических ароматических углеводородов, присутствуют [c.86]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...