Маскирование поверхности

Фоторезисты обычно разрабатываются с целью использования их для селективного маскирования поверхности с последующим травлением. Наклон экспозиционной характеристики при этом должен быть очень большим (аналогично высокому коэффициенту у в случае галогенидосеребряных эмульсий). [c.464]

Маскирующие свойства пленок ЗЮа определяются коэффициентами диффузии основных донорных и акцепторных примесей в кремнии и его оксиде. Необходимо учитывать, что приводимые в литературе данные являются весьма приблизительными, так как коэффициенты диффузии существенно зависят как от условий получения пленки, так и от режима диффузии. Такие технологические операции, как загонка или осаждение легирующей примеси ионной имплантацией, химической диффузией и т. д., приводят к образованию источника легирующей примеси на поверхности оксидной пленки или вблизи нее. Чтобы легирующая примесь не диффундировала через оксидную пленку в маскированных областях и не достигала поверхности кремния, необходимо при последующей высокотемпературной обработке проводить диффузию этой примеси в оксид более [c.44]

Для получения знаков и изображений в производстве шкал, лимбов и т. п., а также функциональных элементов покрытий, обладающих электрическими или магнитными свойствами, необходимо произвести маскирование сплошной поверхности заготовки или покрытия участками защитной пленки, каким-либо методом сформировать рельефные участки покрытий или элементы деталей и удалить защитную маску. [c.542]

Некоторые примеси, например галлий и алюминий, легко диффундируют через пленку SiOj, поэтому применять ее для маскирования таких поверхностей не рекомендуется. Большое значение имеют свойства поверхности пленок SiOj на границе с кремнием. Прежде всего необходимо отметить, что из-за ухода части примеси из кремния в прилегающий оксид или, наоборот, из-за отталкивания примеси оксидом и накапливания ее в приповерхностном слое кремния вблизи границы может образовываться либо истощенный, либо-насыщенный примесью слой. Истощение или накопление в приповерхностном слое кремния примеси зависит от коэффициента ее распределения между кремнием и оксидом. Этот коэффициент равен отношению концентраций примеси в Si и SiOj и для В и А1 он меньше 1, а для Р, Ga, In, As больше 1. Это, естественно, сказывается на электрофизических характеристиках активных слоев микросхем. [c.45]

С увеличением толщины пленки увеличивается ее экранирующее влияние на свойства конденсирующей поверхности, поэтому сингулярности маскированной конденсирующей поверхности выравниваются, и она становится менее контрастной по отно-128 [c.128]

При маскировании с помощью специальных материалов на поверхность покрытия или заготовки детали наносят рисунок, который служит защитной маской в последующих процессах формирования рельефа покрытия или формы детали. Наиболее часто эти процессы осуществляются с помощью травления незашищен-ных участков поверхности изделий. Материалы масок должны обладать высокой стойкостью в химически агрессивных средах травителей. Кроме химического травления, рельеф покрытия можно получить и другими методами гальваническим осаждением металла на незащищенные участки поверхности (материал маски не должен разрушаться в электролите) напылением металла на поверхность детали с нанесенной маской и последующим удалением участков покрытия вместе с маской (материал маски должен выдерживать высокую температуру детали при напылении) незащищенные участки покрытий могут удаляться ионным травлением (материал маски должен обладать низким коэффициентом распыления) и др. Защитные маски изготавливают методами литографии, трафаретной и офсетной печати, декалькомании, фотолитографии. [c.542]

Эксперименты показали ожидаемое увеличение коэффициента диффузии бора в окисляемых областях, которое можно было наблюдать по размытию р- -перехода. Однако еще более интересным было проявление ускоренной диффузии при уменьшении ширины окна в 81зМ4. Казалось бы, эффект ускорения диффузии в боковом направлении должен быть таким же, как и в вертикальном. В действительности же, как показали измерения, эффективная диффузионная длина частиц в боковом направлении составила примерно 2 мкм. Это не соответствует значению вертикальной диффузионной длины, превышающему 25 мкм по данным других экспериментов по ДУО [2.41]. Если эффекты ускорения диффузии, как предполагается, обусловлены генерацией Si на окисляемой границе раздела, то очевидно, что движение SifB боковом направлении подавляется, возможно, наличием стоков под поверхностями, маскированными 81зМ4 (поверхностная рекомбинация) или напряжений на краях областей, закрытых 81з N4- [c.73]

В п.9.2.1.1 рассматривается основной метод расчета профилей концентрации примесей, образованных ионной имплантацией, в структурах, состоящих из нескольких слоев произвольной формы. Здесь не рассмотрены вопросы, связанные с образованием маскирующих слоев желающие могут ознакомиться с ними в [9.4, 9.5]. В пп.9.2.1.2 и 9.2.1.3 обсуждаются бинормальное гауссовское распределение и распределение Цирсона, учитывающее четыре параметра (распределение Пирсона IV), для представления профиля концентрации имплантированной примеси в вертикальном направлении (т. е. в направлении, перпендикулярном поверхности материала). В п. 9.2.1.4 рассматриваются краевые условия на границах области маскирования. [c.252]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...