ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Маскирование поверхности из "Гальванотехника справочник " Для получения знаков и изображений в производстве шкал, лимбов и т. п., а также функциональных элементов покрытий, обладающих электрическими или магнитными свойствами, необходимо произвести маскирование сплошной поверхности заготовки или покрытия участками защитной пленки, каким-либо методом сформировать рельефные участки покрытий или элементы деталей и удалить защитную маску. [c.542] При маскировании с помощью специальных материалов на поверхность покрытия или заготовки детали наносят рисунок, который служит защитной маской в последующих процессах формирования рельефа покрытия или формы детали. Наиболее часто эти процессы осуществляются с помощью травления незашищен-ных участков поверхности изделий. Материалы масок должны обладать высокой стойкостью в химически агрессивных средах травителей. Кроме химического травления, рельеф покрытия можно получить и другими методами гальваническим осаждением металла на незащищенные участки поверхности (материал маски не должен разрушаться в электролите) напылением металла на поверхность детали с нанесенной маской и последующим удалением участков покрытия вместе с маской (материал маски должен выдерживать высокую температуру детали при напылении) незащищенные участки покрытий могут удаляться ионным травлением (материал маски должен обладать низким коэффициентом распыления) и др. Защитные маски изготавливают методами литографии, трафаретной и офсетной печати, декалькомании, фотолитографии. [c.542] Характеристики методов получения защитных масок приведены в табл. 16.7. [c.543] Материалы, применяемые для изготовления защитных масок, определяются методом маскирования. В процессах литографии, офсетной и трафаретной печати основным материалом резистов служат трафаретные краски. Это составы на основе масляных красок, целлюлозных асфальтовых лаков, винила. [c.543] Некоторые составы красок приведены в табл. 16.8, а характеристики и материалы фото- и рентгенорезистов — в табл. 16.9— 16.11. [c.543] Приведенные составы позволяют получить различную разрешающую способность рисунка. Так, составы 1—4 обеспечивают минимальный зазор между элементами рисунка 0,8 мм, а состав 5—0,3 мм. Они стойки только в кислотах и воздействия электролитов не выдерживают. [c.543] Использование фоторезистов СПФ упрощает технологию фотолитографии и позволяет повысить точность формирования элементов покрытий. [c.543] В качестве резиста для ионно-лучевой литографии может применяться полиметилметакрнлат, чувствительность которого к ионному облучению на 2—3 порядка больше, чем к электронному. Полиметилметакрнлат реагирует с пучком ионов, имеющим плотность тока 1 мкА/см и энергию 150—250 кэВ. [c.543] Вернуться к основной статье