Донорная примесь Дырка» электронная

Донорная примесь 284, 285, 286. Дырка электронная 36, 285. Дюралюминий 192. [c.349]

В то же время, при наличии в диэлектрике примесных атомов, свободные носители заряда могут появиться за счет термической активации примесных уровней. Вследствие этого при нормальных и низких температурах проводимость в диэлектриках имеет примесный характер. Так же, как и в полупроводниках, носителями заряда здесь могут быть электроны и дырки. Если примесь имеет донорный характер, то основными носителями заряда являются электроны, а неосновными — дырки. Такой диэлектрик (по аналогии с полупроводником) называют электронным или диэлектриком п-типа. Если же примесь акцепторная, то основными носителями являются дырки. В этом случае диэлектрик называют дырочным или р-типа. [c.272]

При введении в кремний атома элемента V группы Периодической системы элементов Д. И. Менделеева (например, мышьяка As) четыре из пяти его валентных электронов вступают в связь с четырьмя валентными электронами соседних атомов кремния и образуют устойчивую оболочку из восьми электронов. Девятый электрон оказывается слабо связанным с ядром пятивалентного элемента, он легко отрывается и превращается в свободный электрон (рис. 3.5, в), дырки при этом не образуется. На энергетической диаграмме этот процесс соответствует переходу электрона с уровня доноров (f jj в свободную зону (рис. 3.5, г). Примесный атом превращается в неподвижный ион с единичным положительным зарядом. Примесь этого типа называется донорной, а полупроводники, в которые введены атомы доноров, - электронными или п-типа электропроводности. В таких полупроводниках свободных электронов больше, чем дырок, и они обладают преимущественно электронной электропроводностью. [c.51]

Сильное влияние примесей на проводимость полупроводников вызвано изменением энергетического спектра. При этом возможно два случая 1) если примесь представляет собой химический элемент более низкой группы периодической таблицы, чем сам полупроводник, то он создает дополнительные незанятые энергетические уровни, близкие к уровням занятой зоны 2) если примесью является элемент более высокой группы периодической таблицы, то она создает дополнительную занятую энергетическую зону, близкую к основной незанятой зоне. В первом случае примесь называют акцепторной—принимающей, во втором—до-норной — дающей. Смысл этих терминов заключается в следующем при наличии акцепторной примеси благодаря малой ширине запрещенной зоны между основной занятой зоной и незанятой зоной примесей легко осуществляется переход электронов из занятой зоны в зону примесей. В результате этого в занятой зоне образуется дырка , перемещение которой соответствует перемещению положительных носителей тока поэтому такую электропроводность называют дырочной , или электропроводностью типа р (положительной — позитивной). При наличии донорной примеси электроны из примесной зоны легко переходят в основную зону проводимости, создавая эффект обычной электронной электропроводности типа п (отрицательной — негативной). Схемы энергетических уровней в полупроводнике чистом, без примесей, а также с акцепторной и донорной примесью показаны на рис. 7-1, [c.276]

Проводимость чистого полупроводникового материала обычно очень мала и определяется как электронами, так и дырками в равной мере. Для получения материала типа р или типа п в исходный полупроводник добавляется примесь. Если атомы примеси имеют окислительные свойства по отношению к основному полупроводниковому материалу, то они забирают часть свободных электронов в свои наружные валентные оболочки, и эти электроны становятся неподвижными (в том смысле, что они связаны с определенным атомом кристаллической решетки). При этом в материале появляется избыток свободных носителей — дырок и образуется полупроводник р-тппа. Такая примесь называется акцепторной. Примесь с восстановительными свойствами, наоборот, отдает валентные электроны, создает в материале избыток последних в свободном состоянии, и образуется полупроводник п-типа. Этот вид примесей называется донорным. [c.62]

Чтобы определить, какое число носителей тока может быть переброшено с примесных уровней путем теплового возбуждения, нужно вычислить среднее число электронов на этих уровнях при заданных температуре и химическом потенциале. Концентрацию примесей будем считать достаточно малой, чтобы можно было пренебречь взаимодействием между электронами и дырками, локализованными на различных примесях. Мы можем тогда найти концентрацию электронов па (или дырок р ), связанных с донорными (или акцепторными) примесями, просто умножив концентрацию доноров (или акцепторов на среднее число электронов, локализованных на отдельной примеси. Будем предполагать для простоты, что примесь создает только один одноэлектронный уровень ), и вычислим его среднюю населенность. [c.203]

Германий, содержащий донорную примесь, называется электронным германием, или германием п-типа (n-Ge), а германий, содержащий акцепторную примесь, — дырочным германием или германием р-типа (p-Qe). В n-Ge основными носителями заряда служат электроны, а и е о с н о з н ы м и — дырки в p-Ge ооновными носителями заряда служат дырки, а неосновными— электроны. Германий без примесей называется собственным германием или германием i-типа (i-Gt) он обладает сравнительно высоким удельным сопротивлением. Многие полупроводники стехиометрического состава, тщательно очищенные от донорных и акцепторных примесей и обладающие ничтожно малой проводимостью [c.39]

Диод полупроводн. (см. Выпрямитель) Дислокация 14, 325 Дифенил 134 Диффузионная длина 342 Домены 24, 34 Донорная примесь 327—329 Дырка электронная 16, 17, 325, 328, 330, 331, 360, 361 [c.403]

Примеси, увеличивающие число свободных электронов в полупроводнике, называют донорными примесями (донор — дающий), а полупроводник, имеющий донорную примесь и обладающий электронной проводимостью, называют полупроводником л-типа (от слова negative — отрицательный). Полупроводники, в которых основными носителями тока являются дырки , называют полупроводниками р-типа (от слова positive — положительный), а примеси, создающие дырочную проводимость, называют акцепторными (акцептировать — захватывать). [c.139]

В первом случае атомы легирующей примеси имеют большее число валентных электронов, чем атомы полупроводника. Такую примесь называют донорной. Вследствие введения донорной примеси после образования химических связей примесного атома с окружающими его атомами полупроводника один валентный электрон оказывается лишним , т. е. не участвует в химических связях. Поэтому достаточно лишь небольшой энергии Ео (рис. 3, б), чтобы оторвать от примесного атома и сделать свободным этот валентный электрон, т. е. перевести его в зону проводимости. При этом образуется неском-пенсированный положительный заряд, который отличается от положительно заряженной дырки, способной перемещаться по кристаллу, тем, что остается неподвижным в кристаллической решетке. Легирование полупроводника донорной примесью увеличивает концентрацию электронов в зоне проводимости при неизменной концентрации дырок в валентной зоне. При этом электропроводность осуществляется в основном электронами, находящимися в зоне проводимости. Такие полупроводники называют электронными, или полупроводниками п-типа электропроводности. [c.8]

Акцепторный уровень. В отличие от донорного уровня акцепторный, если его рассматривать как электронный уровень, может быть однократно или двукратно заполненнылг, но не может быть пустым. Это легко увидеть, исходя из дырочной картины. Акцепторную примесь можно представить как фиксированный отрицательно заряженный притягивающий центр, наложенный на оставшийся неизменным атом основного вещества. Этот дополнительный заряд —е может образовать слабо связанное состояние с одной дыркой (отвечающей одному электрону на акцепторном уровне). Энергия связи дырки есть когда [c.204]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...