Травление в плазме высокочастотного кислородного

Таким образом, полученные данные позволяют сделать вывод о возможности использования травления Пк в плазме высокочастотного кислородного разряда, как ускоренного тест-метода при исследовании старения Пк, позволяющего с достаточной точностью оценивать потерю массы и изменение микрорельефа поверхности. [c.146]

Рнс. 1.11. Гистограмма распределения п (%) среднего размера структур I для свободной пленки (/) и покрытия БМК-5 на подложке из алюминиевой фольги (2) при травлении в плазме высокочастотного кислородного разряда в течение 10 мин. [c.43]

Температура, влияние на fl рение покрытий 111 сл. Технический углерод 137 Толщина покрытия (предельная) ТО сл., 79, 80 Травление в плазме высокочастотного кислородного разряда 62, 63 [c.188]

В этом случае исследуемый образец шлифуется до 7-8 класса чистоты, а затем отшлифованная поверхность подвергается травлению в плазме высокочастотного кислородного разряда. Это приводит к испарению ультратонких поверхностных слоев шлифа и проявлению структурного рельефа полимерной системы. [c.63]

Сложные интерферограммы. Более сложные интерферограммы регистрируются в случае, когда изменяется не только температура пластинки, но и отражательная способность поверхности. Папример, при нагревании в кислородной плазме монокристаллов кремния с прозрачной полимерной пленкой на поверхности происходит уменьшение толщины пленки вследствие химической реакции атомарного кислорода с полимерными молекулами, при этом образуются летучие продукты реакции. Интерферограмма при нагревании кристалла и травлении прозрачной пленки на его поверхности имеет вид, показанный на рис. 6.7. Толщина пленки уменьшается от начального значения Но 1,2 мкм до нуля при i 70 с. Высокочастотные осцилляции интенсивности отраженного света связаны с изменением температуры кристалла, а низкочастотная модуляция обусловлена периодическим изменением коэффициента отражения поверхности, на которой имеется пленка переменной толщины. Наличие модуляции приводит к небольшому периодическому смещению интерференционных экстремумов, связанных с изменением температуры кристалла, относительно их положений в отсутствие пленки. Это смещение проявляется в виде небольших вариаций моментов времени, в которые достигаются интерференционные экстремумы, и фиктивных осцилляций скорости нагревания (16/(И, показанных на рисунке. Устранить осцилляции можно несколькими способами а) сглаживанием зависимости 6[1) с помощью полиномов б) использованием образцов, у которых пленка удалена [c.139]

Различия в структуре пленок и покрытий выявляются после травления в плазме высокочастотного кислородного разряда. Гист0грэ ммы распределения среднего размера структур после травления в плазме высокочастотного кислородного разряда в течение 10 мин представлены на рис. 1.11. Для покрытий характерна мелкоглобулярная сравнительно однородная плотноупакован-ная структура, для свободных пленок — более крупные агрегаты, состоящие из мелких глобулярных структур. [c.44]

Рис. 2.1. Микрофотографии реплик с поверхности исходного покрытия МЛ-12 песочного цвета (а) и после травления в плазме высокочастотного кислородного разряда в течен11е 3 (б) и 15 мин (в).

Толщина поверхностного слоя пленкообразователя, рассчитанная по изменению массы покрытия МЛ-12 песочного цвета при травлении в плазме высокочастотного кислородного разряда, составляла около 0,5 мкм. Сопоставление морфологии поверхности покрытий МЛ-12 в процессе старе ия (рис. 2.2) и структуры различных [c.63]

Известно, что устойчивость к разрушению Пк под действием искусственных источников излучения зависит от спектральных ха-рактертстик пленкообразующего, пигментов и излучения, что затру-двяет проведение сравнительного анализа и количественной оценки степени разрушения Пк разных цветов, избирательно поглощающих различные длины волн излучения. Поэтому прсщесс разрушения Пк изучали в высокочастотной кислородной плазме о удалением продуктов травления и регулированием глубиш протравливания. [c.145]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...