Трехкомпонентная система характеристика

Для трехкомпонентной системы водород - метан - этилен имеются данные 18, 21J, характеристика которых приведена в табл.2. Данные [211 представлены графически, из-за чего их анализ практически невозможен. Данные [8] можно систематизировать по пара- [c.92]

Широкое использование различных твердых покрытий возможно лишь при выполнении высоких требований к их физическим, химическим и механическим свойствам. Недавно были синтезированы и изучены новые трехкомпонентные составы покрытий, например, Ti-B-N, Ti-Al-N, Ti—Al-B, Ti-Si—N, Ti-Si-B, a также четырехкомпонентные тонкопленочные композиции Ti-B- -N, Ti-Al-B-N, Ti-Al-Si-N и др. Получены ультратвердые (70 ГПа), высоко износо- и коррозионностойкие тонкопленочные системы [5]. Высокие эксплуатационные характеристики этих покрытий обусловлены комбинацией нескольких факторов, таких как малый размер кристаллитов, большая объемная доля границ раздела, наличие микро- и макронапряжений, изменение взаимной растворимости неметаллических элементов в фазах внедрения, образование многофазных кристаллических состояний и межзеренных аморфных прослоек. В большинстве работ для получения многокомпонентных покрытий ис- [c.478]

Автомобильная пр омышленность продолжает выделять значительные средства на разработку трехкомпонентной каталитической системы, как на одну из числа возможных для выполнения правительственных рекомендаций по уменьшению загрязнения окружающей среды и экономии топлива. Основные характеристики этой системы и свойства трехкомпонентного катализатора, в частности, подробно освещены в нескольких статьях [1—6]. Основным элементом системы я вляется датчик отношения количества воздуха к количеству топлива в рабочей смеси (В/Т-отношення), который используется в замкнутой системе регулирования с обратной связью для поддержания состава смеси в пределах узкого диапазона значений, соответствующих стехиометрическому составу. Необходимость строгого регулирования состава смеси обусловлена, как следует из рис. 1, тем, что эффективность использования трехкомпонентного катализатора для одновременного удаления СО, НС и N0 очень возрастает при стехиометрическом составе смеси. Существующие системы основаны исключительно на использовании циркониевых датчиков В/Т-отношения [7—10]. Такой датчик, помещенный в выпускном трубопроводе и концевой, выпускной трубе, чувствителен только к большим изменениям парциального давления кислорода роа в случае стехиометрического состава смеси (рис. 2). Вследствие большого и резкого роста ро, при стехиометрическом составе смеси ступенчато изменяется выходная характеристика циркониевого датчика, что обусловливает работу системы регулирования в пороговом режиме. [c.35]

Для детектирования излучения с длиной волны более 1 мкм требуются узкозонные полупроводники. Из перечисленных в таб-т. 7.2 двухкомпонентных сложных полупроводников П1 — V групп InSb имеет наименьшую ширину запрещенной зоны и может быть использован в качестве ( одетектора вплоть до 6 мкм. Для детектирования излучения лазера на Oj (10.6 мкм) необходимы другие материалы. Раньше на этих длинах волн использовались примесные полупроводники, такие как германий с примесью меди или ртути, действующие как примесное фотосопротивление. Возьмем в качестве примера соединение Ge — Hg. Ртуть вводит полосу акцепторных уровней с энергией на 0,09 эВ выше верхнего уровня валентной зоны. Конечно, при достаточно умеренных температурах они заполнены термически возбужденными электронами из валентной зоны. Но при достаточно низких температурах, менее 30 К, они оказываются в основно.м пустыми, и тогда электроны могут быть возбуждены оптически. Образованные таким образом дополнительные дырки увеличивают электрическую проводимость материала прямо пропорционально поглощенному световому потоку. Совсем недавно появились плоскостные фотодиоды с р-п-пере-ходом, сделанные на основе трехкомпонентного полупроводника из элементов И—VI групп — теллурнда кадмия с ртутью d x.Hg, .v Те. Уменьшение содержания кадмия позволяет сузить ширину запрещенной зоны этого материала при комнатной температуре от 1,8 эВ до 0. Если X = 0,2, ширина запрещенной зоны eg ж 0,1 эВ при 77 К и могут быть получены диоды с квантовой эффективностью, превышающей 0,25 на длине волны 10,6 мкм. Для избежания избыточного темпового тока, вызываемого тепловым возбуждением, необходимо охладить фотодиод до 120 К или ниже. В наземных системах связи для охлаждения фотодиода может быть использован жидкий азот (77 К), а в космических для достижения этих температур потребуются пассивные охладители. Использование обратного смещения 0,2... 0,5 В минимизирует емкость н улучшает временные характеристики диода, не вызывая дополнительного темпового тока в результате туннелирования. В этом случае могут быть получены полосы пропускания свыше 100 МГц. [c.417]

Измерение нагрузок, действовавших на модель в процессе испытаний, проводилось в связанной системе осей координат с помощью трехкомпонентных тензовесов, располагавшихся вне потока на стенке рабочей части трубы. Основные характеристики весов приведены в табл. 1. [c.127]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...