Конденсаторы с барьерным слоем

Результатом анодного окисления металла в начальный момент электролиза является формирование на нем тонкого, беспористого барьерного слоя, отличающегося высоким электрическим сопротивлением. Если оксидирование проводили в электролите, практически не растворяющем оксид алюминия, например в растворе борной кислоты, напряжение на ванне может достигнуть 150—200 В, а толщина оксидной пленки не превысит 1 мкм. Такие пленки находят применение в производстве электролитических конденсаторов. В гальванотехнике используют оксидные покрытия толщиной 8—20 мкм, а в специальных случаях — несколько сот микрометров. Они могут формироваться лишь в таких электролитах, которые оказывают некоторое растворяющее действие на барьерный слой. В этом случае, частично растворяясь, он становится микропористым, проницаемым для ионов электролита, что создает условия, благоприятствующие дальнейшему окислению металла. Оксидное покрытие как бы вырастает из металла, так как рост его происходит не со стороны внешней, а с внутренней поверхности, на границе металл — пленка или по некоторым данным — на границе барьерный — пористый слой. [c.229]

Новым перспективным видом низковольтных керамических конденсаторов (рабочее напряжение 10 в и ниже) являются конденсаторы с барьерным слоем на основе полупроводниковой керамики, удельная емкость которых соизмерима с таковой для электролитических конденсаторов (несколько мкф на см ). Конденсаторы с барьерным слоем имеют способность восстанавливаться после перегрузок и дешевы в производстве. [c.114]

КОНДЕНСАТОРЫ С БАРЬЕРНЫМ СЛОЕМ [c.248]

При увеличении абсолютного значения напряжения смещения происходит усиленное отсасывание (вытягивание) как электронов, так л дырок от /7- -перехода и толщина барьерного слоя увеличивается поэтому емкость конденсатора будет уменьшаться с возрастанием приложенного к нему напряжения. Следовательно, такой конденсатор является нелинейным. [c.248]

Теоретический расчет дает приближенную зависимость емкости С конденсатора с барьерным слоем ог напряжения [/ в в лде [c.248]

Фактически для конденсаторов с барьерным слоем может быть получена емкость приблизительно 0,02 мкФ на 1 см2 площади каждого электрода гри пробивном напряжении примерно 2 В. Кремниевые конденсаторы по сравнению с германиевыми имеют преимущества более высокую допускаемую рабочую температуру (соответственно около 150 и 75°С) меньший (примерно в 1 ООО раз) ток утечки более высокую удельную емкость. Емкость германиевых конденсаторов более чувствительна к изменению напряжения, что связано с меньшим значением Uo для германия. [c.249]

Полупроводниковые конденсаторы на ВаТЮз представляют собой, как это видно из рис. 5-2-13, пластинку из полупроводниковой керамики, на которую с двух сторон нанесены слои серебра, формирующие с керамикой выпрямляющие контакты с большой барьерной емкостью, обусловленной высокой бг (бг ЮОО) керамики. При этом барьерные емкости образуют последовательное соединение, и так как направления выпрямления этих контактов противоположны, получается очень эффективная изоляция. Рассматриваемые конденсаторы имеют высокую г диэлектрической среды и характеризуются идентичностью характеристик. Кроме того, так как они формируются диэлектрическим слоем весьма малой толщины, равным [c.330]

В конденсаторах используется эффект барьерной емкости на поверхности полупроводника. Поэтому такие конденсаторы изготавливаются с барьерным слоем в них используется емкость обедненного носителями заряда слоя, образующегося в месте соприкосновения полупроводниковой керамики и вожженного серебряного электрода. Проводимость барьерного слоя довольно высока соответственно при высокой барьерной емкости легированного или восстановленного титаната бария, достигающей 2 мкФ/см2, рабочие напряжения подобных конденсаторов не превышают нескольких вольт. [c.181]

Для изготовления малогабаритных конденсаторов большой емкости необходим материал с большой относительной диэлектрической проницаемостью е допускающий получение малой толщины й. При изготовлении диэлектриков малой толщины существует предел, определяемый механической прочностью диэлектрика. Одиако в контактном слое между металлом и полупроводником образуется слой, обедненный пространственными зарядами (см. 5-2). Это — барьерная емкость, позволяющая говорить о конденсаторах крайне малой толщины. Классическим примером тому могут служить конденсаторы, рассмотренные в затаче 5-15. [c.137]

Полупроводниковый диод, т. е. система из двух по-лупроводнлков—р-типа и /г-типа, разделенных барьерным (запорным) слоем (стр. 40), при приложении отрицательного смещения (т. е. постоянного напряжения при более низком потенциале на стороне р по сравнению со стороной п) может рассматриваться как конденсатор. Емкость этого конденсатора определяется по обычной формуле [c.248]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...