ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Дефекты кристаллической решетки — носители деформации из "Ползучесть кристаллов " Пластическая деформация кристаллов является следствием перемещения дефектов кристаллической решетки миграция вакансий вызывает деформацию, связанную с массопереносом, распространение дислокаций вызывает деформацию, связанную со скольжением. Кроме тогр, в поликристаллах источником деформации может быть перемещение границ зерен. [c.51] Вакансии —это точечные дефекты, т. е. вакантные позиции в кристаллической решетке. По причинам, связанным с энтропией, существует равновесная концентрация вакансий, величина которой зависит от температуры. Вакансии мигрируют, меняясь местами с соседними ионами. Их перемещение описывается уравнениями диффузии (законы Фика), аналогичными уравнениям теплопереноса. [c.51] Дислокации — это линейные дефекты, расположенные на границе между областью, в которой произошло скольжение, и остальной, еще не затронутой скольжением частью кристалла. Они являются источниками полей внутренних деформаций и внутренних напряжений в кристалле, которые ослабевают обратно пропорционально расстоянию от дислокации. Поле деформации, связанное с дислокацией, позволяет последней чувствовать приложенное напряжение. Под его воздействием дислокация перемещается, увеличивая таким образом размеры области, в которой произошло скольжение, Движение дислокации затрудняется термически активируемой силой трения решетки (сила Пайерлса) и препятствиями на пути их скольжения. Уравнение Орована является микроскопическим определяющим соотношени-ем которое связывает скорость деформации и поток дислокаций. [c.51] Границы зерен в химически однородных материалах — это двумерные дефекты, разделяющие зерна поликристалла с различной ориентацией кристаллической решетки. Часто их можно рассматривать как группы дислокаций. Рекристаллизация — это изменение структуры зерен, связанное с перемещением их границ. [c.51] Идеальный кристалл, т. е. кристалл, периодичность решетки которого нигде не нарушена, будет упруго реагировать на приложенные напряжения и не приобретет остаточной деформации до тех пор, пока напряжения не превысят теоретического предела упругости, величина которого достаточно высока для того, чтобы одновременно разорвать все химические связи в плоскости скольжения кристалла и тем самым сделать возможным пластическое скольжение, как это описано в 1,1.2. [c.51] В последующих разделах мы дадим краткое элементарное описание дефектов этих трех типов и познакомим читателя на качественном уровне с теми их особенностями и свойствами, которые будут использованы в дальнейшем. При этом мы не будем обращаться к строгому общему рассмотрению вопросов и математическому описанию, которые читатель найдет в статьях (указанных в библиографии в конце книги) и специальной литературе (в конце главы). [c.53] Вернуться к основной статье