Метод селективного травления

Существующие методы определения и контроля дефектности ЭНП можно объединить в следующие группы химические, электрохимические, электрографические, оптические и электронно-микроскопические. К химическим относятся методы селективного травления пленки, при которых на местах дефектов растравливается не только пленка, но и подложка. Травители могут быть газообразными (высокотемпературное травление) и жидкостными (низкотемпературное травление). [c.264]

Базовой структурой ДГ лазеров является полосковая, характеризующаяся относительно малыми /пор, возможностью реализации одномодового режима, отсутствием параллельных пространственных каналов генерация. Для придания структуре лазера полосковой конфигурации применяют механические й химические методы, селективное травление, технику фотолитографии, протонную бомбардировку и другие методы. [c.115]

Наглядным методом обнаружения дислокаций является селективное травление, которое позволяет выявить не только дислокации роста, но и дислокации, появляющиеся в процессе пластической деформации. В ряде случаев удается протравить более крупные микрокристаллы, в частности железные пластинки шириной до 300 мкм и толщиной 15—20 мкм. [c.364]

Подтверждением того, что указанные ямки травления имеют дислокационную природу, являются следующие факты. Во-первых, такие фигуры травления в большинстве случаев объединяются в группы, расположенные по направлениям < 110>. Во-вторых, глубина распространения их от поверхности скола, выявленная методами чередующейся полировки и селективного травления, достигает в ряде случаев 5 мкм. Кроме того, картина расположения ямок на обоих плоскостях скола абсолютно подобна. При отжиге такой структуры наблюдается исчезновение большинства ямок травления, вероятно, вследствие выхода дислокаций на свободную поверхность кристалла. [c.240]

Метод химического травления основан на разной травимости р- и п-обла-стей. В одном случае используются различия в скорости травления, связанные с неодинаковым типом и величиной проводимости — р — п-переход выявляется в виде ступеньки. В другом случае используется различие в окраске областей, связанное с тем, что атомы примеси, содержащиеся в монокристалле полупроводника, несмотря на малые концентрации, могут селективно взаимодействовать с соответствующими реактивами. [c.79]

На кинетику растворения влияет pH, потенциал и присутствие ионов в растворе для испытаний. Все эти факторы — основа метода селективного металлографического травления, который уже нашел практическое применение [32, 56, 57]. При этом часто используется потенциостат для поддержания постоянного потенциала многофазного сплава на уровне, соответствующем растворению отдельной фазы, в то время как остальная поверхность остается пассивной. Предварительное исследование смещения области потенциала может быть сделано для того, чтобы определить, будут ли электрохимические свойства различных фаз достаточно различаться в выбранном Электролите, чтобы можно было произвести селективное травление илн удаление определенных фаз. Один из таких методов [58] был разработан для аустенитных сталей, легированных алюминием (рис. [c.608]

Другой метод выявления структуры металлов заключается в такой обработке поверхности, чтобы обнаружить селективное действие так называемого температурного травления, т. е. нагревания металла до тех пор, пока поверхностные слои не будут удалены путем испарения. Изучалось также Л. 24] влияние газов на нагретые металлы. Оказалось, например, что кислород особенно эффективен для выявления структуры. [c.165]

В последние годы в связи с развитием субмикронных и на-нометрических технологий разработан ряд более совершенных методов селективного травления. Среди них отметим инициирование химических реакций в слое адсорбированных на поверхности молекул с помошью электронных пучков диаметром порядка нескольких н.м. Продукты реакции селективно травят поверхность и создают заданный рельеф. Так, в случае GaAs с адсорбированными молекулами I2, используя электронный пучок сканирующего туннельного микроскопа, удалось создать заданный рельеф со средней глубиной = 3 нм. [c.122]

Для получения монокристаллических пленок ВаТЮз толщиной до 1,5 мк и площадью 1x2 мм Ласт [22] предлагает травление монокристаллов ВаТЮз толщиной около 100 мк фосфорной кислотой, нагретой выше температуры Кюри титаната бария, с тем, чтобы предотвратить селективное травление доменов. В кубической фазе при 130° С травление протекает очень гладко со скоростью примерно один микрон в минуту. Толщина кристалла в ходе травления определялась с помощью микроскопа по цветам двупреломле ия. Нильсон, Линарес и Консе [23] очень подробно изучили влияние различных факторов на выращивание двойников по методу Ремейко. Они установили, что на выход кристаллов сильно влияют величина зерна исходного [c.301]

За последние годы разработаны новые методы получения нанокристаллов кремния с достаточно воспроизводимыми размерами — путем электроискровой обработки, селективного травления в сочетании с фотолитографией, прямого химического синтеза, ионной имплантации ионов кремния в пленки Si02 с последующим формированием нанокристаллов в процессе распада образующихся при этом пересыщенных твердых ра-стюров и др. Предполагалось, что при достижении определенных размеров нанокристаллы будут приобретать прямозонную структуру, но при [c.99]

Физ. принципы действия ИС и технология их синтеза взаимно согласованы. Когда геом. размер твёрдого тела (хотя бы в одном измерении) становится достаточно малым, скорости протекания технол. процессов (диффузия, структурная перестройка, рост, травление и др.) перестают лимитировать их применение. Поэтому в технологии М. используются разнообразные явления, включая днффузшо и фазовые переходы в твёрдом теле, гетерогенные реакции, воздействие частиц высоких энергий, сфокусированных электронных и ионных пучков и др. Используются также процессы, селективные по отношению к разл. структурным и хим. состояниям кристалла. Требования к чистоте веществ в М. нередко превышают разрешающую способность методов их анализа. [c.153]

Изображение, создаваемое ЗПФ, свободно от дистор-сии, разрешение опшделяется размером последней зоны. Для создания ЗПФ применяют голография, методы, а также электронно-лучевую литографию, плааыо-хим. травление, селективное хим, травление материалов и т, д. Технология создания ЗПФ включает получение тонких мембран из карбида и нитрида кремния, полиамида толщиной от долей мкм до неск. мкм. Радиус последней зоны должен составлять (—2 мм с точностью до единиц нм. Размер последней зоны достигает 10 нм. В перспективе возможно создание кино-формных ЗПФ со спец, формой профиля зоны (см. Киноформ). [c.350]

В предисловии проф. М. М. Бутусова отмечено, что большую роль в возрождении интереса к ДОЭ сыграла голография, хотя в настоящее время ясно, что голографический метод малопригоден для создания фокусирующих элементов (для высокочастотных спектральных решеток он по-прежнему сохраняет свое значение). Во-первых, трудно зарегистрировать интерференционную картину двух соосных пучков. Во-вторых, элементы, изготовленные на светочувствительных слоях, имеют низкие эксплуатационные качества. Наконец, при голографической записи невозможно совместить высокую дифракционную эффективность с низкой угловой селективностью получаемых элементов. Наиболее совершенный метод изготовления ДОЭ в настоящее время — фотолитографический, который основан на использовании прецизионного оптико-механического оборудования и ионного травления [2, 27, 36, 59]. ДОЭ, получаемые с помощью этого метода, удовлетворяют всем требованиям, предъявляемым к элементам оптических систем. [c.6]

Заключение о важной роли транспортных процессов в кинетике СР сплавов не является, тем не менее, общепринятым.- Остановимся на экспериментальны исследованиях, результаты которых свидетельствуют, казалось бы, об отсутствий диффузионной зоны В сплавах, подвергнутых селективному растворению. К примеру, при изучений поверхностного слоя сплавов систем Mg— d (Il-f-51 ат.% Mg [52]) и Mn—Си (25 и 50 ат.% Мп [56]) методом рентгеновского микроанализа в их спектре не обнаружены линии, отвечающие составам, промежуточным между исходным и чистым электроположительным компонентом. Зафиксированы лишь, интенсивные линии меди и кадмия. Аналогичным образом на электронных дифрактограммах а-латуни после травления в 2%-ном NH4 I зарегистрированы только рефлексы чистой меди [53]. [c.44]

Рассмотренные выше широко распространенные методы формирования дифракционного микрорельефа, являясь многоэтапными и дорогостоящими, в то же время не всегда позво.1шют добиться требуемого результата. Сложности начинаются, например, когда необходимо получить микрорельеф на неплоской (сильно выгнутой или вогнутой) поверхности, изготовленной из труднообрабатываемого материала. Метод прямой лазерной записи микрорельефа [68-70] предлагает альтернативный, относительно недорогой, способ получения дифракхщонного микрорельефа на раз-личных материалах. Использование высоко1штенсивного излучения эксимерного лазера для прямого лазерного травления микрорельефа с помощью селективного удаления (абляции) материала подложки оказывается в современных условиях высокопроизводительной и эффективной технологией изготовления ДОЭ [69, 70]. В настоящее время показана возможность получения этим методом субмикронных структур на ПММА, поликарбонате, алюминии, нержавеющей стаяли [70]. Экспериментальная схема для прямой записи микрорельефа с помощью эксимерного лазера 70] представлена на рис. 4.47. Устройство основано на высокопрецизионном пьезоэлектрическом перемещении подложки вдоль осей Х- с точностью 0,05 мкм в [c.281]

Б течеиие некоторого времени потенциостаты использовали в аналитической химии [1]. Хиклинг [2] первый описал прибор с механической регулировкой. Робертс [3) первый предложил прибор с электронной регулировкой. Робертс разработал также руководство по применению прибора и основные требования к ним. Измерение поляризационных кривых металлов с помощью устройства, задающего постоянный потенциал, вносит большой вклад в знание коррозионных процессов и природы пассивности. Кроме применения потенциостата для изучения различных механизмов коррозии и пассивности, его можно использовать при разработке новых сплавов. Так, ои очень важен при ускоренных исследованиях коррозионной стойкости. Растворение в условиях контролируемого потенциала может также применяться как точный метод или при металлографическом травлении, или при изучении селективного растворения различных фаз. Это устройство может быть использовано для определения оптимальных условий анодной и катодной защиты. Две наиболее современные статьи указывают на ограниченность применения этого метода [5] и различие между потенциостатическими испытаниями и экспозицией в растворах химических веществ. [c.602]

Травление поверхности применяется не только для уменьшения концентрации структурных дефектов, но также и для их выявления металлографическим методом. Применяемое в этом случае селективное (избирательное) травление позволяет получать информацию о типах, концентрации и местоположении выходов дислокаций, преципитатов, кластеров френкелевских дефектов, дефектов упаковки и т.д. Оно основано на анизотропии химических связей вблизи дефектов, что обуславливает различие скоростей растворения материала. В результате образуется рельеф — фигуры травления, дающие возможность судить о расположении и концентрации макроскопических дефектов. Например, вблизи выхода на поверхность дислокаций образуются чечевицеобразные фигуры травления с поперечным размером, достигающим де- [c.122]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...