Микросхемах транзисторно-транзисторной

Микропрограммные блоки интеллектуальной собственности 89 Микропроцессор 37 Микропроцессорные устройства 198 Микросхемах транзисторно-транзисторной логики 248 МИШ 211 М-код 189 [c.403]

Системы ЧПУ и в частности устройства ЧПУ в своем развитии прошли несколько этапов, определяемых уровнем развития электронной техники, представляющей разработчикам этих систем управления определенную элементную базу релейно-контакторную и транзисторную базы, микросхемы малой и средней степени интеграции, мини-ЭВМ и микропроцессоры. [c.780]

Исследование факторов, влияющих на надежность транзисторного компонента полупроводниковой микросхемы, изготовленного методом сплавления, показало, что наиболее значительные изменения пробивного напряжения, обратного тока и коэффициента усиления обусловлены влиянием паров воды и кислорода. [c.180]

Что касается электронных цепей управления, то в сетях управления магнитных адресных шин, вырабатывающих импульсы тока обеих полярностей в несколько сотен мА, должны использоваться мостиковые схемы. Управляющие каскады шин термической адресации могут быть собраны из простых транзисторных переключателей. Это является преимуществом подхода термической адресации, в частности, если рассматриваются только модуляторы с малым числом шин, но большим числом ячеек на одну шину. Кроме того, малое число нагревающих резисторов позволяет уменьшить управляющие токи до миллиампер, что открывает возможность их использования для управляющих цепей с очень высокой степенью интеграции. Например, линейки элементов, показанные на рис. 1.19, управляются л-канальными МОП-микросхемами с 64 выходными каналами на чип. [c.50]

Для обеспечения функционирования микросхемы ее питание осуществляется через внешний транзистор VT2 — регулирующий каскад транзисторного стабилизатора с опорным напряжением, снимаемым с эталонного источника, собранного на VT1. Для обеспечения устойчивой работы применены корректирующие цепочки с конденсаторами С1, С2, СЗ, Сб. [c.299]

Все элементы полупроводниковой микросхемы создаются на транзисторной структуре. В транзисторе используются все области кол- [c.305]

Проектные нормы — термин относится к размеру структур, из которых состоит интегральная микросхема. В качестве таких структур обычно рассматриваются ширина проводников и длина транзисторных каналов. Размеры других элементов обычно выражаются в отношении к этим структурам. [c.383]

Силовые металл-оксидные полевые транзисторы активно вытесняют обычные транзисторы из автомобильного электрооборудования, На основе такой технологии производятся интегральные микросхемы, объем сбыте которых, по подсчетам специалистов, в 90-х годах достигнет примерно половины всех силовых транзисторных устройств. [c.18]

Комплект КД рассмотрим яа примере ИС лопичеокого элемента транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ) со сложным инвертором Ч С разработки ЭЗ (рис. 3.12), являющейся обязательным документом оановного комплекта КД, начинается процесс кои-струироваиня микросхемы. [c.96]

С. характеризуются высокой яркостью (тыс. кд/м ), силой света (до десятков кд), силой излучения (сотни мВт/ср), внеш. квантовым выходом излучения (до 50%), широким спектральным диапазоном ( иакс 7—0,35 мкм), высоким быстродействием (до единиц нс), совместимостью по входным характеристикам с транзисторными микросхемами, а по спектру излучения С. ИК-диапазона — с фотоприёмниками на основе кремния, возможностью монолитной интеграции, возможностью ВЧ-модуляции излучения путём модуляции тока накачки (до сотен МГц), низковольтностью электропитания (1,5—4 В), надёжностью и большим сроком службы (до сотен тыс. ч). [c.466]

На рис. 5.5 приведено несколько схем формирования разрядного импульса. Применение той или иной схемы дщ туется конкретным тех ническим заданием. В частности, тиратронные и тиристорные схемы позволяют получать большие средние мощности. Ламповые схемы дают возможность регулировать в широких пределах длительность и частоту повторения импульсов накачки при малом времени нарастания разрядного тока. Использование транзисторных схем обеспечивает большую мощность накачки, длительность и частоту повторения разрядных импульсов. Кроме того, применение полупроводниковых приборов открывает возможность создать гибридные микросхемы, содержащие в одном корпусе полупроводниковый лазерный диод с источником пита- [c.89]

Микросхемы серии 203 выполнены на тонких пленках и образуют систему логических элементов с диодно-транзисторной логи, кой (схемы плечо триггера , И — ИЛИ—НЕ, И — ИЛИ и др.) [c.693]

Микросхемы серии 217 выполнены на тонких пленках и образуют системы логических элементов диодно-транзисторной логики (схемы ИЛИ —НЕ, И — ИЛИ — НЕ и др.]. [c.695]

Микросхемы серии 121. Кремниевые полупроводниковые микросхемы с диодно-транзисторными связями серии 121 предназначены для работы в блоках быстродействующих ЦВМ [c.707]

Микросхемы серии 104. Кремниевые полупроводниковые микросхемы с диодно-транзисторными связями серии 104 предназначены для работы в логических узлах ЦВМ и узлах автоматики. [c.707]

Для нормальной работы прибора на высоких частотах необходимо, чтобы дрейф (или диффузия) носителей заряда от одного электрода к другому происходил возможно бьютрее. Следовательно, необходимо высокое значение подвижности.В частности, работу транзисторного компонента полупроводниковой микросхемы на высоких [c.173]

Стабилизатор напряжения 50 В 0,1 А с повышенной температурной стабильностью (рис. 11) выполнен по компенсационной схеме с последовательным включением регулирующего транзистора, В схеме использован двухкзскадный дифференциальный усилитель, выполненный на транзисторах разной проводимости. В первом каскаде усилителя рассогласования использована ннтег-ральная микросхема 1НТ591А, представляющая собой транзисторную сборку из двух транзисторов, выполненных на одном кристалле. С целью повышения температурной стабильности рекомендуется микросхему и источник опорного напряжения ДЗ помещать в термостат, который может быть выполнен как пассивный, в виде закрытого объема с большой теплоемкостью. [c.76]

Штриховыми линиями показано соединение микросхемы с навесными элементами. В К142ЕН опорное напряжение выделяется на резисторе Я2 и термокомпенсирующем диоде У02 после его стабилизации простейшим транзисторным стабилизатором напряжения на транзи- [c.278]

Аналого-цифровые вычислительные системы (АЦВС) четкого деления на поколения не имеют. В основе деления на поколения АЦВС лежат характеристики, связывающие уровень элементной базы, полноту системного программного обеспечения и общую архитектуру н ее иерархичность. Напрнмер, для АЦВС по элементной базе уже существует четыре поколения (ламповые, транзисторные, иа малых и больших интегральных микросхемах и на сверхбольших интегральных микросхемах). По автоматизации программирования можно назвать не более трех этапов. Уже реализовано два локальной и частичной автоматизации программирования. [c.326]

Наиболее широко представлены цифровые микросхемы самого различного функционального назначения в сериях К155 (транзи сторно-транзисторная логика ТТЛ) и К.176, К561, 564 (на базе структуры КМОП). Поминальное напряжение микросхем серии К. 155 соста вляет 5 В, в связи с чем для данной серии отсутствуют ограничения, связанные с возможным снижением напряжения бортовой сети. Модификация серии К155, выпускаемая в металло-керамических корпусах (серия КМ 155), является работоспособной в диапазоне температу р — 45 — +85°С. [c.30]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...