Ук-центр ширина линии оптического поглощения

Метод эквивалентной ширины. Эквивалентная ширина линии (или полное поглощение)—это энергетический поток, поглощенный в линии и отнесенный к спектральному потоку, падающего излучения. Или, иначе говоря, это щирина линии поглощения, имеющей прямоугольный контур, внутри которого свет поглощается полностью, поглощающий столько же энергии, что и рассматриваемая линия. Для оптически толстых слоев, ко-пда поглощение в центре линии ТЗ К велико, что падающее излучение полностью поглощается, эквивалентная ширина линии определяется ее крыльями [47, 48]. В этой области контур линии определяется только затуханием и тогда [c.296]

Уширение линий при реабсорбции. В плазме, имеющей заметную оптическую толщину, наблюдаемый контур спектральной линии искажается вследствие реабсорбции излучения (поглощения излучения такими же атомами, находящимися в более низком энергетическом состоянии). В зависимости от того, какова степень однородности плазмы и какова ее оптическая плотность, контур реабсорбированной линии может иметь различный вид. В одних случаях реабсорбированная линия имеет сглаженную или уплощенную вершину, а в других — в центре линии возникает провал интенсивности. Ширина линии в результате реабсорбции возрастает. [c.264]

Оптические реперы. Используемые в СВЧ-диапазоне методы получения узких спектральных линий оказались не применимыми в оптич. области спектра (доплеровское уширение мало в СВЧ-диапазоне). Для О. с. ч. важны методы, н-рые позволяют получать резонансы в центре спектральной линии. Это даёт возможность непосредственно связать частоту излучения с частотой квантового перехода. Перспективны три метода метод насыщенного поглощения, двухфотонного резонанса и метод разнесённых оптич. полей. Осн. результаты по стабилизации частоты лазеров получены с помощью метода насыщенного поглощения, к-рый основан на нелинейном взаимодействии встречных световых волн с газом. Нелинейно поглощающая ячейка с газом низкого давления может находиться внутри резонатора лазера (активный репер) и вне его (пассивный репер). Из-за эффекта насыщения (выравнивание населённостей уровней частиц газа в сильном поле) в центре доплеровски-уширен-ной линии поглощения возникает провал с однородной шириной, к-рая может быть в 10 —10 раз меньше доплеровской ширины. В случае внутренней поглощающей ячейки уменьшение поглощения в центре линии приводит к появлению узкого пика на контуре зависимости мощности от частоты генерации. Ширина нелинейного резонанса в молекулярном газе низкого давления определяется прежде всего столкновениями и эффектами, обусловленными конечным временем пролёта части- [c.451]

Эффективность оптической накачки в случае твердотельных и жидкостных лазеров связана прежде всего с относительно большой шириной линий поглош ения твердых и жидких аетивных сред — порядка 0,1 мкм >. Газовые активные среды характеризуются существенно более узкими линиями поглош ения — шириной 10 мкм и менее. Для осущест вления оптического возбуждения в газе необходимо, чтобы излучение накачки обладало линейчатым спектром с достаточно узкими линиями и чтобы максимум хотя бы одной интенсивной линии источника накачки точно совпадал с максимумом одной из линий поглощения активного центра. [c.41]

Резонансы в оптическом поглощении, обусловленные центрами окраски, выражены менее резко, чем в снектрал поглощения изолированных атомов. Это связано с тем, что ширина линии обратно пропорциональна времени жизна [c.242]

Неодимовые стекла представляют собой структурно разупоря-доченные среды. Различия в характере окружения отдельных ионов N(1 +3 стеклах вызывают разброс значений штарковых расщеплений энергетических уровней различных ионов Ыс1 +, а также дисперсию излучательных вероятностей переходов для различных групп ионов. Таким образом, результирующие линии люминесценции и поглощения иоиов в стеклах представляют собой наложение сдвинутых по частоте однородных контуров, соответствующих отдельным группам оптических центров. При этом в большинстве случаев однородная ширина и штаркова структура результирующей линии [c.32]

Рис. 18.4. Схема энергетических уровней экситона с неподвижным центром масс. Оптические переходы с потолка валентной зоны показаны стрелками, самая длинная из которых соответствует потенциалу ионизации экситона следовательно, эта энергия равна ширине запрещенной энергетической зоны. Энергия связи экситона по отношению к свободному электрону и свободной дырке равна Еъ. Наииизшая энергия, соответствующая линии поглощения кристалла при абсолютном нуле, равна Eg — Еь, а не

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...