Дырки и термо

Для полупроводников со смешанной проводимостью, в которых электрический ток переносится одновременно электронами и дырками, термо-э. д. с. определяется следующим соотношением [c.261]

В этом выражении учитывается вклад, вносимый в термо-э. д. с. электронами и дырками. [c.90]

Одним из важных результатов этой теории является то, что она приводит к отрицательному знаку коэффициента Холла, когда перенос осуществляется дырками, что дает объяснение расхождению знаков с термо-э. д. с. Этот результат тесно связан с предположением, что преобладающий вклад в (6.19) дают контуры, содержащие три узла. Контуры, содержащие четыре узла, дают положительный знак коэффициента Холла. [c.107]

Если время релаксации слабо зависит от энергии, то знак термо-э. д. с. определяется знаком эффективной массы, усредненной по поверхности Ферми, т. е. тем, являются ли носители электронами или дырками. Такой результат согласуется с общей теорией дырок, описанной в гл. 12, и, кроме того, позволяет объяснить еще одно противоречие теории свободных электронов ). [c.259]

Подобные явления были окружены атмосферой тайны, пока значительно позднее не была создана зонная теория. В рамках зонной теории они нашли простое объяснение. Например, фотопроводимость (увеличение проводимости вещества под действием света) есть следствие того факта, что при малой ширине щели между зонами видимый свет может вызвать переход электронов через щель в зону проводимости, в результате чего эти электроны и оставшиеся после них дырки могут переносить ток. В качестве другого примера рассмотрим дифференциальную термо-э. д. с., которая в полупроводнике примерно в 100 раз больше, чем в металле. Такое различие объясняется тем, что в полупроводнике концентрация носителей тока столь мала, что они, как мы увидим ниже, хорошо описываются статистикой Максвелла — Больцмана. Ранние теории металлов, существовавшие до того, как Зоммерфельд использовал статистику Ферми— Дирака, завышали термо-э. д. с. именно в 100 раз (см. т. 1, стр. 40). [c.186]

В записи выражения (4. 40) уро>вень Ферми проходит приблизительно посередине запрещенной зоны, при этом предполагается, что доминирз ющим является рассеяние носителей заряда на акустических колебаниях решетки, т. е. г = 0. Измерение только полярности термо-эдс в области собственной проводимости уже позволяет определить, величина Ь = рп/цр больше или меньше единицы. А снятие температурной зависимости термо-эдс в собственной области (при известной ширине запрещенной зоны АЕ) позволяет получить оценку отношения подвижностей электрона и дырки (см. формулу (4.40)). [c.142]

Полупроводники. Индий — существенная составная часть германиевого транзистора, в котором он действует как присадка и как средство для прикрепления свинцовой проволоки к германиевому кристаллу 16 . В настоящее время в различных областях техники применяются германиевые транзисторы и выпрямители нескольких типов, в том числе с точечным контактом, с поверхностным барьером и с диффузионным сплавленным переходом. Для последнего типа германиевого транзистора, где используется примесный диффузионный р — п — р-переход, требуется значительно больший расход индия. Действие транзистора основано на р — -переходе, который осуществляется, когда происходит превращение германия /j-типа в германий п-типа в твердом состоянии. Германш п-типа образуется при введении в германий высокой степени чистоты специальных примесей, например сурьмы или мышьяка. Эти элементы, имеющие пять электронов на своей внешней орбите (германий имеет четыре электрона), дают избыточные электроны в решетку кристаллического германия. При введении в германий в качестве примеси индия образуется германий р-типа. Поскольку индий имеет на своей внешней орбите три электрона, а терма-ний — четыре, в кристаллической решетке германия наблюдается недостаток электронов, и недостающие электроны известны как дырки. Под влиянием электрического поля избыточные электроны в германии п-тппа движутся к положительному источнику в германии р-типа электроны могут перескакивать в дырки, и дырки появляются в направлении отрицательной клеммы. [c.239]

Наблюдаемое в умеренно кислых и нейтральных электролитах снижение катодной поляризации при освещении не может происходить только за счет уменьшения омического сопротивления селена под действием света, так как освещение оказывает различное действие на катодную и анодную ветви поляризационных кривых. Сильная зависимость поляризации от освещения указывает на то, что селен, осаждающийся нри электролизе селенистокислых электролитов, обладает проводимостью />-типа. Об-этом свидетельствует и определение знака термо-э.д.с. Очевидно, в данном случае значительная величина катодной поляризации обусловлена тем, что в катодной реакции участвуют неосновные-носители — свободные электроны, концентрация которых в слое осаждающегося селена может быть очень низкой. Освещение, способствуя появлению свободных электронов (в результате генерации пар электрон — дырка), снижает величину катодной поляризации. Некоторое снижение анодной поляризации, вероятно, связано с уменьшением омического сопротивления селена под действием света. [c.82]

Сопоставление те.м1пературных зависимостей оцоо] и а[оо1] Для РеОег (см. рис. 3) говорит о существенной анизотропии термоЭДС данного соединения. Различие в знаках главных компонентов тензора абсолютной термо ЭДС может быть обусловлено те.м, что в дигерманиде железа носителями зарядов являются как электроны, так и дырки. Не исключено, однако, что перемена знака а при переходе от одного кристаллографического направления к другому связана с изменением вкладов 26 [c.26]

Гипотеза о том, что при составе вблизи СзАи электроны или дырки оказываются захваченными в ловушки, подтверждается поведением термо-э. д. с., показанным на рис. 8.9 [220, 221]. Вместо изменения знака вблизи стехиометрического состава с характерными пиками при соседних составах 5 остается отрицательной с очень глубоким минимумом при л = 0,5. Исследователи, наблюдавшие эти явления, отмечают, что очень большая [c.192]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...