Характеристика оптического детектирования

Характеристики оптического детектирования 130 [c.17]

Характеристики оптического детектирования [c.127]

Автор упомянутой работы предположил также, что наилуч-щим путем обеспечения соответствующей температурной чувствительности, а также устранения влияния большинства посторонних факторов, таких, как пропускание атмосферы и спектральная характеристика самого фотодетектора, может оказаться дифференциальный метод. В подтверждение этого запишем рассеиваемую в обратном направлении мощность вращательного комбинационного рассеяния, регистрируемую приемной оптической системой лидара в полосе детектирования ЛХ1 с центром на длине волны Я . [c.376]

Гетеродинный метод детектирования оптической модуляции — это интерференционный или фотосмесительный метод, который возможен при квадратичной характеристике приемника мощности. В оптическом методе гетеродинного детектирования волна сигнала объединяется со второй волной, генерируемой в самом приемнике затем эти волны падают на поверхность фотоприемника, где они интерферируют. Вторую волну называют волной гетеродина в силу очевидной аналогии между этим методом и методом смешения сигналов, широко известным в радиодиапазоне. Если волны сигнала и гетеродина имеют амплитуды и 2 и частоты oi и (02, то на приемнике суммарное поле равно [c.519]

Для детектирования излучения с длиной волны более 1 мкм требуются узкозонные полупроводники. Из перечисленных в таб-т. 7.2 двухкомпонентных сложных полупроводников П1 — V групп InSb имеет наименьшую ширину запрещенной зоны и может быть использован в качестве ( одетектора вплоть до 6 мкм. Для детектирования излучения лазера на Oj (10.6 мкм) необходимы другие материалы. Раньше на этих длинах волн использовались примесные полупроводники, такие как германий с примесью меди или ртути, действующие как примесное фотосопротивление. Возьмем в качестве примера соединение Ge — Hg. Ртуть вводит полосу акцепторных уровней с энергией на 0,09 эВ выше верхнего уровня валентной зоны. Конечно, при достаточно умеренных температурах они заполнены термически возбужденными электронами из валентной зоны. Но при достаточно низких температурах, менее 30 К, они оказываются в основно.м пустыми, и тогда электроны могут быть возбуждены оптически. Образованные таким образом дополнительные дырки увеличивают электрическую проводимость материала прямо пропорционально поглощенному световому потоку. Совсем недавно появились плоскостные фотодиоды с р-п-пере-ходом, сделанные на основе трехкомпонентного полупроводника из элементов И—VI групп — теллурнда кадмия с ртутью d x.Hg, .v Те. Уменьшение содержания кадмия позволяет сузить ширину запрещенной зоны этого материала при комнатной температуре от 1,8 эВ до 0. Если X = 0,2, ширина запрещенной зоны eg ж 0,1 эВ при 77 К и могут быть получены диоды с квантовой эффективностью, превышающей 0,25 на длине волны 10,6 мкм. Для избежания избыточного темпового тока, вызываемого тепловым возбуждением, необходимо охладить фотодиод до 120 К или ниже. В наземных системах связи для охлаждения фотодиода может быть использован жидкий азот (77 К), а в космических для достижения этих температур потребуются пассивные охладители. Использование обратного смещения 0,2... 0,5 В минимизирует емкость н улучшает временные характеристики диода, не вызывая дополнительного темпового тока в результате туннелирования. В этом случае могут быть получены полосы пропускания свыше 100 МГц. [c.417]

Если опорный сигнал местного генератора синусоидальный с произвольно большой мощностью, то влияние мощности окружающего оптического фона и темнового тока в детекторе становится незначительным, Прн этом характеристика детектирования оптического приемника описывается выражением [c.197]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...