Сигала)

При температуре выше 1025° С при окислении на воздухе, а в условиях более низкого парциального давления кислорода — и при более низких температурах, па меди образуется красная закись меди СигО. [c.254]

Случай, когда составляющие вращения происходят в одну сторону. Пусть точки А и В—точки пересечения осей Сиге плоскостью/7. Покажем, что на отрезке АВ (рис. 262, б) существует точка С, абсолютная скорость которой в данный момент равна нулю. В самом деле, скорости и точки С, происходящие от вращений Шх и Шг, бу- [c.424]

Стальная балка круглого сечения диаметром 5 см пролетом 75 см свободно оперта по концам и нагружена посредине пролета сосредоточенной силой. Наибольшее нормальное напряжение равно [о] = 1000 лгг/сиг. Найти запас потенциальной энергии, накопленной балкой. [c.177]

СПЕКТР ИЛИ СИГНАЛ ВЫХ М0 ==1, ЕСЛИ НА ВЫХОДЕ ЗВЕНА СПЕКТР СИГ-HAJ А ==0, -СЛИ НА ВЫХОДЕ СИГНАЛ ВО ВРЕМЕНИ [c.206]

КОЛ-ВО ЧИСЛО РЕАЛИЗАЦИЙ СЛУЧАЙНОГО СИГ- [c.212]

Если пластина сплошная и прогиб при г = О ограничен, то Са = 0. Член СиГ In г остается конечным при г = О, но при дифференцировании его достаточное число раз появляется особенность, она соответствует сосредоточенной силе, приложенной в центре пластины. Действительно, перерезывающая сила Qr на окружности радиусом г получается по формуле (12.6.2), которая в полярных координатах примет вид [c.404]

Внешние связи между модулями и первичными измерительными преобразователями могут быть реализованы как в соответствии со стандартами на выходные аналоговые и цифровые сиг- [c.56]

В о(к)Сиг -анных случаях разрешается сочетание различных видов сопряжений и допус кои, прнмгн ние дополнительных допусков 2,. (/, х и даже специальных допусков, не уста новл е I и I ых га н да ртом. [c.204]

Я 05 Я Сиг. ПСр 25 Сталь, медь и медные спла- ударах, вибрации), стойкость против кор- [c.129]

Система медь — кислород. Медь с кислородом образует в основном два соединения куприт СигО и тенорит СиО, которые вместе с кислородом и металлической медью образуют при 7" 650 К нонвариантную систему (рис. 9.9). Медь — малоактивный металл и его оксиды относительно легко распадаются. Наиболее устойчивый оксид — СигО, образующий раство-Рис. Э.9. Нонвари-, 3 жидкой меди антная система ме- [c.322]

Рис. 10.17. Измерение с Вергстрандом осно.1 вывается на методе фазочувствительного ин дикатора и похоже на опыт, иллюстрируемый приводимыми здесь графиками (см. рис. 10.16). Интенсивность света, поступающего от источника в ячейку Керра, постоянна а), но свет, выходящий из ячейки Керра, модулирован б). Передвигая зеркало М, можно изменять время прохождения светом пути от К до D, так что свет поступает в D, как показано на оис. 10.17 (в). Есл мы чуть-чуть отодвинем М, свет поступит позднее (г). Чем дальше отодвинуто М, тем еще позднее поступит свет д ж). Теперь предположим, что чувствительность индикатора модулируется, как показано здесь (э). Сигнал от индикатора возникает только тогда, когда этот индикатор обладает чувствительностью и при этом на него поступает свет. В результате мы получаем график а ) чувствительности индикатора к световому сиг-> налу а). Для светового сигнала б) мы имеем падающий свет и чувствительность индикатора совпадают по фазе (б ). Для светового сигнала в) имеем в ). Для светового сигнала г) разность фаз между падающ-им светом и чувствительностью индикатора равна 180 , т. е. их фазы противоположны, и поэтому сигнал индикатора обращается в нуль (г ). Для светового сигнала 5) имеем д ). Когда мы непрерывно изменяем положение зеркала М, получается следующий график среднего по времени величины сигнала индикатора (е ). Расстояние между двумя соседними максимумами на этой кривой соответствует изменению длины пути света на 2Д1. вызванному перемещением зеркала М 2ДЬс= = l/Vp q следовательно, с 2 где Vp -

Гомогенизирующий (диффузионный) отз/сиг применяют для слитков легированных сталей с целью уменьшения дендритной или внутрикристалли- [c.52]

При облучении слоя оксида меди (I) в ней, благодаря внутреннему фотоэффекту, возникают свободные электроны. На границе между оксидом меди (I) и медной пластинкой образуется очень тонкий (10 —10 см) слой 2, пропускающий электроны только от СнаО к Си и препятствующий их обратному движению. В результате медь заряжается отрицательно, а оксид меди (I) — положительно. Между этими слоями появляется разность потенциалов, поддерживаемая действием излучения. Таким образо.м, во внешней цепи возникает постоянный ток от Си к СигО (направление движения электронов обратное). Наличие такого вентильного, или запирающего, слоя обусловливает выпрямляющее действие устройства и наблюдается во многих полупроводниках. Отсюда фотогальванический эффект часто называют вентильным, или фотоэффектом в запирающем слое. [c.170]

Если время распространения сигнала обратно, от А до S , есть rj (за это время точка S пройдет навстречу сигналу расстояние vt2 и д займет положение S"), то пройденный сиг- цг--налом путь tj = / — Отг, откуда [c.250]

Основны.м зкспериментальным свидетельством образования экситонов при низких температурах обычно служит не-фотоактивное поглощение света кристаллом вблизи красной границы ((О)) спектра собственного поглощения, т. е. экси-тонный механизм поглощения не приводит к образованию свободных носителей тока. Экситонный спектр обнаружен в кристаллах Сс15, HgI2, СигО, Ое и 81. Впервые наличие тонкой структуры в спектре поглощения закиси меди было выявлено Е. Ф. Гроссо.м с сотрудниками. Им удалось показать. [c.163]

С этой точки зрения особого внимашя заслуживает метод исследования нелинейных систем с помощью ф шкциональных рядов Вольтерра. Как будет показано ниже, этот метод о()еспечивает наперед заданную точность и применим для рассматриваемого класса систем как при детерминированных, так и при случайных сиги шах. Принципиально любое нелинейное устройство можно представить через композицию линейных и нелинейных звеньев. Под нелинейным звеном в дальнейшем будем понимать некоторое безынерционное устройство, на выходе которого мгновенное значение сигнала определяется соотноше шем [c.91]

Математическое ожидание сигьала на выходе нелинейной полиномиальной системы четвертого иорядг а при действии на входе стационарного случайного сигнала [c.172]

I давления на жесткой стенке (см., 4 м) в результате прохождоиия волости через примыкающий к стенко рьковой жидкости (вода + пузырьки о и на рис. 6.7.14. Линии К соответ (г) исходных импульсов на входе в гвуют различным длительностям сиг-мс (в) соответствует рис, 6.7,14, г) [c.106]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...