Диэлектрические потери сквозной электропроводности

Б единице объема диэлектрика. Эту часть диэлектрических потерь, обусловленную сквозным током диэлектрика, называют диэлектрическими потерями на электропроводность. [c.132]

Диэлектрические потери в этих диэлектриках связаны с темпе-ратур ой при некоторых температурах обнаруживаются максимум и минимум потерь возрастание потерь после минимума объясняется возникновением нового вида потерь — потерь сквозной электропроводности. [c.87]

Таким образом, характер зависимости диэлектрических потерь Ра от частоты не соответствует характеру частотной зависимости tg 6. Дипольно-релаксационные потери в случае маловязких жидкостей при низких частотах незначительны и могут быть меньше потерь сквозной электропроводности. При высоких частотах дипольно-релаксационные потери даже при малой вязкости будут [c.69]

Диэлектрические потери в газообразных диэлектриках. В слабых электрических полях диэлектрические потери в газах обусловливаются электропроводностью. Сквозной ток утечки /ск. протекающий через конденсатор с газовым диэлектриком, весьма мал и tg6 для такого конденсатора при 50 Гц обычно не более 10 . [c.161]

О явлениях, обусловленных поляризацией диэлектрика, можно судить по значению диэлектрической проницаемости, а также угла диэлектрических потерь, если поляризация диэлектрика сопровождается рассеянием энергии, вызывающим нагрев диэлектрика. В нагреве технического диэлектрика могут участвовать содержащиеся в нем немногочисленные свободные заряды, обусловливающие возникновение под воздействием электрического напряжения малого сквозного тока, проходящего через толщу диэлектрика и по его поверхности. Наличием сквозного тока объясняется явление электропроводности технического диэлектрика, численно характеризуемой значениями удельной объемной электрической проводимости и удель- [c.16]

Потери проводимости, обусловленные сквозным перемещением ионов в стекле, тем больше, чем выше электропроводность стекол доля потерь проводимости в общей сумме диэлектрических потерь резко увеличивается при низких частотах (до 50 гц) или нри высоком напряжении. [c.174]

Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости в керамических материалах с ионной структурой в большинстве случаев имеет положительное значение. Это связано с тем, что с повышением температуры понижается плотность вещества и возрастает поляризуемость ионов. Однако имеется группа материалов, обладающих отрицательным пли переменным ТК е. Диэлектрическая проницаемость зависит от частоты тока и с ее увеличением заметно снижается. Диэлектрические потери в керамических диэлектриках находятся Б зависимости от структуры и фазового состава материала. В большинстве керамических материалов диэлектрические потери определяются поляризацией и сквозной электропроводностью. Если керамический диэлектрик образован кристаллической фазой с плотной и устойчивой упаковкой ионов (корунд), то диэлектрические потери в нем при отсутствии примесей, искажающих решетку, будут незначительны. Напротив, если в керамическом диэлектрике большое содержание стекловидной фазы, являющейся типичным веществом ионной структуры, то диэлектрические потери в таком материале вследствие большой поляризуемости щелочных ионов и большой электропроводности будут велики. Керамические диэлектрики, кристаллическую фазу которых составляют вещества, обладающие структурой с неплотной упаковкой ионов (муллит, циркон, кордиерит), характеризуются повышенными диэлектрическими потерями, вызываемыми так называемой релаксационной поляризацией. Диэлектрические потери для подавляющего большинства керамических диэлектриков с повышением температуры возрастают. Величина диэлектрических потерь связана также с частотой. [c.290]

В технических изолирующих материалах, помимо потерь от сквозной электропроводности и потерь от замедленной поляризации самого диэлектрика, возникают дополнительные диэлектрические потери, которые сильно влияют на электрические свойства диэлектриков. Эти потери вызываются наличием посторонних полупроводящих примесей (влаги, окислов железа, углерода и др.) и значительны даже при малом содержании таких примесей в электроизоляционном материале. [c.74]

Диэлектрические потери, обусловленные сквозной электропроводностью, обнаруживаются в диэлектриках, имеющих заметную электропроводность, объемную или поверхностную. Если при этом потери от других механизмов несущественны, то величина тангенса угла диэлектрических потерь может быть вычислена по формуле [c.79]

Явление теплового пробоя сводится к разогреву материала в электрическом поле до температур, соответствующих его растрескиванию, обугливанию и другим видам термического разрушения, связанным с чрезмерным возрастанием сквозной электропроводности или диэлектрических потерь. Величина напряжения, при котором происходит тепловой пробой, является характеристикой не столько самого диэлектрика, сколько изготовленного из него электроизоляционного изделия, в противоположность электрическому пробою, когда пробивная напряженность служит характеристикой только самого материала. [c.100]

Последнее выражение является общим и учитывает все эффекты, связанные с поглощением энергии в растворе с плохой электропроводностью. Сюда можно отнести потери вызванные так называемой сквозной электропроводностью в результате перемещения носителей зарядов возникающие от трения диполей при вращении в объеме ячейки под действием переменного электромагнитного поля обусловленные вращением (трением) диполей, поляризованных на границе раздела фаз и т. д. Очевидно, некоторые из перечисленных потерь будут зависеть и от интенсивности (напряженности) переменного электромагнитного поля. Чем слабее напряженность ноля Е, тем больше вероятность получить меньшие потери от трения, а следовательно, лучшие условия при измерении диэлектрической проницаемости. [c.17]

В веществах кристаллической струклуры с плотной упаковкой ионов при отсутствии примесей, искажающих решетку, диэлектри-Ч( ские потери весьма малы. При повышенных температурах в гаких веществах появляются потери от сквозной электропроводности. К веществам этого типа относятся многочисленные кристаллические неорганические соединения, имеющие большое значение в современном производстве электротехнической керамики, например корунд (А1Рз), входящий в состав ультрафарфора. Примером соединений такого рода является также каменная соль, чистые кристаллы которой обладают ничтожными потерями малейшие примеси, искажа-юш,ие решетку, резко (на два-три порядка) увеличивают диэлектрические потери, [c.53]

Таким образом, в твердых диэлектриках могут быть потери, обусловленные поляризацией, сквозной электропроводностью, неоднородностью структуры и ионизацией. Потери за счет электронной поляризации весьма незначительны. К материалам с такими потерями относят полиэтилен, фторопласт, полистирол, отвержденную полиэфирную смолу. И наоборот, материалы с ди-польно-релаксапионной и ионно-релаксационной поляризацией обладают большими потерями. К таким материалам относят полиуретаны, эбонит, оргстекло, фенолформальдегидные и совмещенные эпоксидные смолы, неорганические стекла. Но чаще всего в твердых неоднородных диэлектриках, какими являются стеклопластики, могут быть все виды потерь одновременно. Величину диэлектрических потерь можно характеризовать удельными по- [c.100]

Sin б при малых углах практически равен tg6. Этой величиной (tg 6) обычно и оценивают свойства диэлектрика. В некоторых случаях выражают диэлектрические потери непосредственно в градусах или минутах. Диэлектрические потери в керамических диэлектриках складываются из затрат энёргии, связанных со следующими основными процессами сквозной электропроводностью, поляризацией, ионизацией газообразной фазы. В общем случае источником диэлектрических потерь являются те же причины, которые обусловливают электропроводность. Диэлектрические потери возрастают у ма- [c.23]

Диэлектрические потери очищенного и высушенного трансформаторного масла весьма малы (tgS2o > и, как было сказано, обусловливаются сквозной электропроводностью. Повышение температуры, вызывая рост электропроводности, приводит к заметному возрастанию угла потерь масла (фиг. 80). [c.139]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...