Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Зародыши кристаллов радиус критический

Выражение (12.6) показывает, что при образовании зародыша критического радиуса поверхностная энергия на границе кристалл — жидкость на /з компенсируется энергией флуктуации А к, а на /з — объемной свободной энергией.  [c.437]

Для теории нуклеации важно определить работу образования критического зародыша. Обычно довольствуются следующим приближением. Реальный зародышевый кристалл заменяется эквивалентной изотропной сферой с поверхностным натяжением а. Требование эквивалентности означает сохранение величины при такой замене и справедливость выражения (2.2) или (2.16). Радиус сферы удовлетворяет условию (1.15), по явно не входит в (2.16). В последнем выражении удобнее перейти от разности давлений Ар = Рз — р разности температур АГ = Гц — Т, которая характеризует глубину вторжения в метастабильную область при заданном внешнем давлении Пусть при плоской границе раздела фаз давлениям р ж Рз соответствуют температуры равновесия То и Т. Считая разности Ар ж АТ малыми, имеем  [c.66]


Сильные магнитные поля напряженностью Н влияют на такие параметры кристаллизации, как удельная теплота и температура Т кристаллизации, переохлаждение ДГ, линейная скорость роста кристаллов и скорость образования зародышей ш, критический радиус Гкр зародыша, коэффициент диффузии О и кристаллическое давление р (рис. 44).  [c.46]

Если радиус зародыша линзообразного кристалла мартенсита превышает некоторую критическую величину, то возможен рост зародыша кристалла мартенсита при температуре Mg, при которой изменение химической свободной энергии (первый член в правой части (1.4)) становится большим по сравнению со свободной энергией нехимической природы, определяемой суммой второго и третьего членов того же уравнения. Именно при таких условиях развивается мертенситное превращение. Степень переохлаждения, определяемая разностью (Го — Mg), зависит от а и А + В) и растет с увеличением различий структур исходной и конечной фаз. При мартенситном превращении в сплавах на основе железа степень переохлаждения равна 200 °С, а в сплавах с эффектом памяти формы 5—30 °С (табл. 1.1).  [c.12]

Возникновение микроскопических пор, кроме того, связано с образованием скоплений вакансий при кристаллизации стали. Источником зародыша поры критического размера (Б. Я-Любов, А. П. Семенов [88, с. 233— 240]) в растущем кристалле служат вакансии и пересы-щенность растворенными атомами газа. Примесные атомы, дислокации, области напряжений сдвига и другие дефекты могут ускорять или замедлять в зависимости от скорости направленного роста кристалла перенос вакансий и избыточных газовых атомов к поре. Скорость диффузии вакансий к поре вдоль дислокаций и границ зерен увеличивается. При незначительных пересыщениях атомы газа диффундируют через раствор из маленьких пор в большие. Возникновение напряжения вследствие градиента температур способствует перемещению пор малых размеров и их коагуляции. Скорость передвижения поры обратно пропорциональна ее радиусу. При некоторой оптимальной для данного вещества скорости передвижения форма пор изменяется из сферической в эллипсоидальную.  [c.101]

Слоисто-спиральный механизм роста аналогичен описанному механизму роста соверщенного кристалла со ступенью (только ступенька в нащем случае незарастающая). На ступени, возникающей благодаря винтовой дислокации, имеются изломы вследствие существования тепловых флуктуаций. Адсорбированные атомы диффундируют к ступени, а затем к изломам, где они встраиваются в рещетку кристалла, в результате чего ступень движется. Поскольку один конец ступени зафиксирован в точке выхода дислокации, то ступень может двигаться только путем вращения вокруг этой точки. При определенном пересыщении каждый участок на прямой ступеньке движется с одинаковой линейной скоростью. Поэтому участок ступеньки вблизи линии дислокации имеет более высокую угловую скорость и за одинаковое время должен сделать большее число оборотов, чем далеко отстоящие от линии дислокации участки. По мере увеличения кривизны участка ступени в области выхода дислокации равновесное давление пара над этим участком повышается, местное пересыщение понижается и, следовательно, линейная скорость движения этой части ступени замедляется. Спираль закручивается до тех пор, пока радиус кривизны в центре ее не достигнет значения критического радиуса двумерного зародыша. По достижении стационарного состояния спираль вращается как единое целое вокруг линии дислокации, при этом форма ее приближенно может быть описана уравнением архимедовой спирали.  [c.186]



Смотреть страницы где упоминается термин Зародыши кристаллов радиус критический : [c.95]    [c.82]    [c.151]    [c.102]    [c.96]   
Физико-химическая кристаллография (1972) -- [ c.289 ]



ПОИСК



Зародыш

Зародыш кристалла

Зародыш критический

Радиусы



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте