Коэффициент активности термический давления

На фиг. 6-2 согласно обобщенному методу расчета термических свойств газов приведен график зависимости коэффициента активности от приведенных давления и температуры. [c.186]

Высокие концентрации растворенного кислорода приводят к появлению характерных полос поглощения в Ge при А = 11.6 мкм, а в Si при 9 мкм. Относительная величина коэффициента поглощения меняется в зависимости от содержания кислорода (введенного, например, в камеру роста путем дозированного давления). Было установлено, что величина коэффициента диффузии кислорода при 1300°С в Si O = 10 1° см /с [41]. В отличие от водорода, гелия и углерода, которые не оказывают заметного влияния на электрические свойства Ge и Si, кислород вызывает появление электрически активных центров в Si и Ge, подвергнутых термической обработке (см. гл. 3). В Ge и Si кислород присутствует либо в атомарном виде, либо образует комплексы Si(Ge)0 . Атомы кислорода, размещающиеся в междоузлиях, нейтральны, а комплексы Si(Ge)0 обладают донорными свойствами. [c.313]

В тех случаях, когда процесс схватывания возникает и развивается при больших скоростях скольжения трущихся поверхностей, повышенных давлениях, что обусловливает интенсивный рост температуры в поверхностных слоях пары трения, для повышения износостойкости рекомендуется увеличивать теплоустойчивость металлов пар трения путем легирования их редкими металлами в сочетании со специальной термической обработкой снижать работу трения (уменьшать коэффициент трения) путем применения специальных смазок и различных присадок к ним графита, металлозоли, химически и физически активных веществ и т. п. (рис. 111) уменьшать температуры трущихся поверхностных слоев. [c.343]

А-3. Плазменное оксидирование. Кислородсодержащая плазма, образованная тихим разрядом прн давлении около 7 Па, является обильным поставщиком химически активного кислорода (ионов кислорода, атомарного кислорода, озона). Металл, помещенный в такую плаз.му, должен оксидироваться. Проще всего подвергать плазменному оксидированию тонкие пленки алюминия оксидирование титана и тантала сложнее. Зависимость тачщины образующегося на алюминии оксида от времени пребывания образца в плазме напоминает такую же зависимость при термическом оксидировании (метод А-1) правда, в последнем случае получаемая оксидная пленка несколько толще. Если на алюминий подать положительный потенциал относительно плазмы, то оксидирование происходит значительно быстрее. Коэффициент пропорциональности между приложенным напряжением и толщиной пленки на алюминии равен (22 -г- 23)-10 м/В при напряжении до 50 В при напряжении 50—90 В толщина, приходящаяся на 1 В, меньше. Плазменное оксидирование позволяет получить оксидные пленки на алюминии в исключительно чистых условиях, в то время как при электрохимическом оксидировании алюминия в электролитах невозможно полностью избавиться от примесей ионов С1" и 504 , ухудшающих свойства пленки. [c.379]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...