Кристаллы решетчатая структура

Суть дела состоит в том, что кристаллы металлов представляют собой строго упорядоченные решетчатые структуры из положительно заряженных ионов, которые заполнены электронным газом. Свободные электроны образуют электронный газ и движутся с различными скоростями — их движение подобно тепловому движению молекул. При этом некоторые из них могут приобретать такую кинетическую энергию, что она позволяет им преодолевать притяжение положительно заряженной решетки и покидать кристалл металла. Образующийся в металле положительный заряд притягивает эти электроны обратно, и в целом система металл—электронное облако остается нейтральной. При нагревании металла тепловое движение электронов становится все более интенсивным, и электронное облако покинувших металл электронов — более [c.16]

Для кристаллографических (упорядоченных) структур все известные тридцать два класса кристаллографических материалов получаются при помощи двенадцати различных преобразований из 8 . Пусть 0 — выделенная кристаллографическая группа. Однако свойства магнитных материалов из любого класса нельзя описать при помощи только кристаллографической группы , входящей в (8), так как решетчатая структура магнитно-упорядоченных кристаллов, таких, как ферромагнетики, характеризуется не только типом геометрической симметрии, если учесть, что атомы решетки имеют магнитные моменты. Обычные преобразования, такие, как поворот и поворот с отражением, могут, сохраняя геометрию решетки, изменить направление спинов на противоположное. Поэтому необходимо расширить трехмерную кристаллографическую группу Это обстоятельство наводит на мысль, чтО при рассмотрении свойств симметрии магнитных кристаллов мы должны исследовать свойства симметрии не только в пространстве, но и во времени. Таким образом, для адекватного описания физических свойств магнитных материалов нужна четырехмерная (пространственно-временная) группа [c.362]

Пример аналогии между дифракцией рентгеновских лучей на кристаллах и первой стадией формирования оптического изображения решетчатого объекта показан на рис. 5.7. На рис. 5.7, а изображена часть оптической маски, представляющей собой двухмерную проекцию кристаллической структуры фталоцианина на рис. 5.7,6 показана оптическая дифракционная картина, создаваемая ею [10]. Рис. 5.7,6 согласуется с данными рентгеновских исследований не только в отношении геометрии расположения пятен но и по соответствию экспериментально наблюдаемой рентгеновской интенсивности картине на рисунке. Исторически этот метод вначале применялся для определения неизвестной кристаллической структуры путем изготовления пробных масок на основе химических и других соображений. Он был существенно упрощен при дальнейшем развитии техники (см. конец раздела 2), когда было показано, что основная ячейка и только три периода вполне достаточны в качестве маски, поскольку они определяют структуру, на которой основана двухмерная проекция кристалла. Это иллюстрируется рис. 5.6, где в случае в в качестве маски было использовано большое число повторов (намного больше, чем показано на рисунке) основной ячейки, тогда как в случае д было использовано только четыре ячейки, определяющих структуру кристаллической решетки. Сравнение оптических преобразований показывает, что д вполне достаточно в сравнении сев данной выборке преобразования одной ячейки б на узлах взаимной решетки (преобразование) от основной решетки а. [c.99]

При макроскопическом описании ряда физических свойств кристалла можно не учитывать особенностей его решетчатой структуры и считать кристалл непрерывной однородной средой. Этим путем можно изучать такие важные свойства кристаллов, как, например, электропроводность, электрическая поляризгщия, пьезоэффект, упругие свойства. За редким исключением и мы будем рассматривать кристалл как непрерывную однородную среду. [c.9]

Граничные слои образуются также и из твердых смазок. Они имеют главным образом слоисто-решетчатую структуру, это — слюда, глина, графит и молибденит, чешуйки которых адсорбируются на поверхностях трения. Обычно предполагают, что слоисторешетчатые кристаллы находятся в свободном соприкосновении. Однако эта точка зрения опровергается с помощью того факта, что слои слоисто-решетчатых кристаллов могут быть отделены один от другого только путем расщепления. [c.238]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...