Жидкостная эпитаксия

Технология светодиода основана на использовании эпитаксиальных методов жидкостной эпитаксии, газотранспортной эпитаксии, МОС-гидридной эпитаксии. [c.467]

В настоящей главе будут рассмотрены основы существующих представлений о первых стадиях зарождения и дальнейшем росте эпитаксиальных пленок из газообразных фаз, а также некоторые методы эпитаксиального наращивания тонких слоев полупроводников, включая и жидкостную эпитаксию. [c.323]

Существует целый ряд методов получения эпитаксиальных монокристаллических пленок, из которого принято выделять следующие группы 1) осаждение из жидких растворов (жидкостная эпитаксия) 2) конденсация из газовой фазы (газовая эпитаксия) 3) конденсация из паровой фазы. [c.336]

Метод жидкостной эпитаксии по своей сути ничем не отличается от метода выращивания объемных монокристаллов из растворов, который уже подробно рассматривался (см. гл. 6). Основным преимуществом метода жидкостной эпитаксии является то, что рост эпитаксиальной пленки происходит при температурах более низких, чем температура плавления исходного вещества. Разберем подробнее этот метод выращивания эпитаксиальных пленок на примере системы Ое-1п. Для этого рассмотрим диаграмму состояния системы Ое-1п со стороны 1п. Температура плавления индия значительно ниже, чем у Ое (рис. 9.6), поэтому он и используется в качестве растворителя. Из диаграммы следует, что, меняя процентное содержание индия в сплаве Ое-1п в соответствии с линией ликвидуса, можно менять температуру кристаллизации сплава. При охлаждении жидкой фазы вдоль линии 1 при температуре 400°С (точка пересечения с линией ликвидуса) раствор переходит в пересыщенное [c.336]

Практически метод жидкостной эпитаксии реализуется следующим образом (рис. 9.7). Подложка Ое я-типа с ориентацией <П1> закрепляется в верхней части наклонного графитового тигля, в нижней части которого находится раствор Ое в 1п. После достижения температуры 520°С нагрев тигля прекращается (раствор находится в перегретом состоянии) и его наклоняют так, чтобы раствор покрыл подложку. Далее начинается медленное охлаждение тигля, в процессе которого подложка Ое успевает частично раствориться (и8 мкм) до установления равновесной концентрации Ое в растворе при этом ликвидируются поверхностные нарушения подложки. Затем при фиксированной температуре происходит эпитаксиальное наращивание Ое на подложке с образованием пленки толщиной и25 мкм. После осаждения при температуре 350°С тигель возвращают в исходное положение, извлекают из печи и остаток 1п удаляют с поверхности кристалла. При необходимости легирования примесь добавляют в раствор с учетом ее коэффициента разделения в условиях [c.337]

Рис. 9.7. Схема установки для выращивания эпитаксиальных пленок Ое методом жидкостной эпитаксии / — герметичная камера 2 — нагреватель 3 — тигель 4 — расплав 5 — растворяемое вещество 6 — держатель 7 — подложка.

Наиболее широко применяются при создании активных и пассивных волноводных структур на основе соединений А В методы эпитаксиального наращивания. В зависимости от агрегатного состояния среды, из которой осуществляется кристаллизация, различают газовую, жидкостную, и молекулярно-лучевую эпитаксии. Способы эпитаксии соединений А В из газовой фазы в зависимости от вида исходных реагентов разделяют на хлоридный, хлоридно-гид-ридный и МОС-гидридный (МОС — металлоорганические соединения). Способы эпитаксии из газовой фазы обеспечивают скорость роста эпитаксиальных слоев приблизительно равную 8-10 мкм/с при температуре 750 °С. Процесс роста слоев при хлоридном и хлоридно-гидридном способах основан на обратимой реакции [c.168]

Рис. 2.9. Принципиальная схема реакторов для выращивания пленок кремния методом газовой эпитакспи (а) и пленок арсенида галлия методом жидкостной эпитаксии (б)

Рис. 9.19. Схематическое нзображеине сечеиия графитовой лодочки для выращивания трехслойиой гетероструктуры методом жидкостной эпитаксии

Широкое распространение для выращивания пленок посредством жидкостной эпитаксии получил метод движущегося растворителя (см. гл. 6). Для выращивания эпитаксиальных пленок, например, GaAs (система Ga-As, Ga — растворитель) используются следующие ростовые условия температура тигля и900°С, а градиент температуры вдоль оси растущей пленки АТ и 1.5-2 град/мм. [c.338]

Метод жидкостной эпитаксии (выращивание из раствора) может использоваться и для получения сверхрещеточных структур [45]. Рост слоя достигается охлаждением жидкой фазы, контактирующей с подложкой, ниже температуры насыщения. Сам эпитаксиальный процесс состоит из ряда ростовых операций, в каждой из которых используются различные растворы, состав которых подбирается с целью обеспечить рост требуемых слоев в сверхрещетке. Операции роста чередуются с операциями переноса подложки между различными жидкими фазами, используемыми для выращивания сверхрещетки. [c.338]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...