Экспозиция резиста

Вариации свойств резиста вызывают изменения чувствительности, что эквивалентно изменениям дозы или скорости проявления. Таким образом, для исследования вариаций ширины линий при экспозиции резиста и его проявлении можно воспользоваться гораздо более ограниченным набором параметров. [c.328]

Дан обзор принципиальных моделей для следующих этапов оптической литографии формирования изображений в системах с дифракционным ограничением экспонирования позитивного резиста (отбеливания) обработки после экспозиции проявления резиста. Рассмотрены алгоритмы расчета по этим моделям и даны примеры анализа полной последовательности этапов процесса. Проведен анализ ограничений оптической литографии и различных установок, применяемых в настоящее время, а также способов их совершенствования в будущем. [c.321]

Проявление позитивного фоторезиста обычно осуществляется его погружением в щелочной водный раствор. Используется также проявление разбрызгиванием. Скорость проявления является существенно нелинейной функцией экспозиции, меняющейся от нескольких десятых нанометров в секунду в неэкспонированном резисте до сотен нанометров в секунду в полностью экспонированном резисте. Именно нелинейность зависимости скорости растворения резиста от экспозиции обусловливает очень высокое разрешение вблизи предела оптического разрешения [12.5]. Нелинейность можно количественно описать как контраст резиста , представляющий собой тангенс угла наклона зависимости логарифма толщины снятого при проявлении слоя резиста от логарифма экспозиции [12.5]. Типичным позитивным резистам свойствен контраст в диапазоне от 2,5 до 5. [c.323]

Для моделирования процесса экспозиции используется модель резиста, предложенная в [12.4]. Эта модель обобщена на случай нескольких длин волн методом, подобным изложенному в [12.9]. В каждый момент времени для всех длин волн вычисляется форма стоячей волны. В каждом слое резист отбеливается в соответствии с освещенностью и чувствительностью, суммируемым по всем длинам волн. Через определенный промежуток времени вертикальные профили освещенности снова вычисляются ЭВМ. На каждом временном интервале состояние резиста выражается с помощью относительной концентрации ингибитора М. Начиная с некоторого времени, профиль M(Z) перестает изменяться и экспонирование продолжается до тех пор, пока не будет достигнута некоторая полная доза энергии ах-Результатом моделирования процесса экспозиции является двумерный массив, описывающий зависимость M(Z, Е) от глубины и поглощенной энергии. [c.324]

Далее распределения интенсивности по горизонтали и соответствующей экспозиции комбинируются с массивом M Z, Е) для получения нового массива М Х, Z), который характеризует состояние резиста в точке изображения X на глубине Z. Если используются различные полные экспозиции, целесообразно вычислять новый массив М Х, Z), не комбинируя горизонтальный профиль освещенности с M(Z, Е), Следует отметить, что в этом методе разделения экспозиции на независимые вертикальный и горизонтальный процессы предполагается, что все лучи входят в резист перпендикулярно его поверхности. Для объективов с очень большой числовой апертурой и для толстых резистов это предположение слишком сильное. Например, при NA — 0,28 конус лучей в резисте включает лучи, откло- [c.324]

Оптическая система и параметры резиста, использованные в моделировании, были такими же, как в предьщущих примерах. Система с однослойным резистом представляла собой кремний, покрытый четвертьволновым слоем окисла (750 А), который, в свою очередь, покрыт слоем резиста толщиной 1 мкм. Значение экспозиции >о было выбрано так, чтобы резист оказался удаленным на большой площади через 30 с после начала проявления, что составляет половину фактического времени проявления (60 с). Затем было найдено значение в номинальных условиях для структуры из [c.331]

СК за счёт дополнит, экспозиции тонких слоёв резиста фотоэлектронами из подложки либо из шаблона. Перспективно применение двухслойных в трёхслойных резистов, значительно расширяющих возможности формирования структур со сложный профилем (рис. 6). [c.345]

Для литографии с характерными размерами меньше 2 мкм применяются только позитивные фоторезисты. Основные свойства резистов рассмотрены в [12.4] . Типичные резисты состоят из диазотипного сенсибилизатора в полимере на основе новолака. В ходе обычного процесса результатом инициированного светом разложения фотоактивного соединения (ФАС) является увеличение скорости его растворения в щелочных проявителях. Процесс экспозиции сопровождается оптическим отбеливанием вследствие разложения ФАС при этом уровень экспозиции можно точно определить по коэффициенту поглощения [12.4]. [c.323]

Программа SAMPLE имеет три основные подпрограммы, которые моделируют процессы получения оптического изображения, экспозиции и проявления резиста. Особенности моделей рассмотрены в других работах здесь приводится их краткое описание. [c.323]

Пример ключевых слов и команд, применяемых в программе SAMPLE для проекционной печати, дан в табл. 12. L В первой колонке указаны различные стадии процесса, в следующей - типичные их спецификации, затем — их перевод на входной язык программы SAMPLE. В программе предусмотрен номинальный, или стандартный, процесс, в котором все параметры уже оценены. Таким образом, истинные параметры вводятся на место номинальных, первоначально хранящихся в памяти ЭВМ. При этом необходимо вводить только те параметры, значения которых отличаются от номинальных. Например, карта слоев устанавливает показатель преломления кремниевой подложки, а также показатель преломления и толщину слоя окисла. Карта резиста задает длину волны, параметры экспозиции (А, В, С) и показатель преломления, а также толщину слоя резиста. Следующие три карты определяют тип используемой для проекционной печати установки с числовой апертурой 0,28 на длине волны 0,436 мкм и с дозой 110 мДж/см . Зависимость скорости травления от концентрации ингибитора М после химического разложения описывается тремя константами на карте скорости. Затем устанавливается время проявления (60 с). Наконец, карта прогона дает указание контроллеру провести полное моделирование [c.326]

В этом разделе рассмотрены вопросы количественного анализа чувствительности критических размеров профилей позитивного резиста по отношению к изменениям толщины резиста Г, экспозиции и времени проявления проявл- этого был использован модифицированный вариант программы SAMPLE. [c.328]

На рис. 12.1 показаны результаты исследований для линии шириной 1,5 мкм. Время проявления i po Bn представлено функцией дозы экспонирования различных значений ухода ширины линий K D как в стандартном случае, так и в случае задубливания после экспозиции (ЗПЭ). Влияние ЗПЭ заключается в сглаживании больших колебаний концентрации ингибитора, как функции нормальной к поверхности координаты, вызванных возникновением стоячих волн в слое резиста, В процессе исследования наблюдалось слабое снижение контраста резиста и незначительное замедление поверхностного проявления. [c.328]

Экспозиция выбрана на 20 % выше, чем необходимо, чтобы в точке максимальной толиданы резиста линии были четкими. [c.330]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...