Ограничения оптической литографии

Дан обзор принципиальных моделей для следующих этапов оптической литографии формирования изображений в системах с дифракционным ограничением экспонирования позитивного резиста (отбеливания) обработки после экспозиции проявления резиста. Рассмотрены алгоритмы расчета по этим моделям и даны примеры анализа полной последовательности этапов процесса. Проведен анализ ограничений оптической литографии и различных установок, применяемых в настоящее время, а также способов их совершенствования в будущем. [c.321]

ОГРАНИЧЕНИЯ ОПТИЧЕСКОЙ ЛИТОГРАФИИ [c.327]

Развитие методов литографии шло по пути уменьшения длины используемого излучения (ультрафиолетовое или синхротронное) и применения частиц с меньшей длиной волны (высокоэнергетичная электронная и ионная литография). Существенным ограничением методов оптической литографии является возможность фокусировки света. От этого недостатка свободны методы ионной и электронной литографии. Однако высокая энергия фокусируемых частиц приводит к нарушению поверхности используемых материалов, что и ограничивает разрешающую способность. [c.153]

Принципиальным отличием электронно-лучевой литографии (ЭЛЛ) от традиционной оптической (фотолитографии) является использование в качестве инициаторов физико-химических процессов в резисте высокоэнергетжческих электронов [36]. Учитывая дифракционные ограничения фотолитографии в сочетании с известными квантово-механическими представлениями о движении микрочастиц, можно утверждать о существенных преимуществах ЭЛЛ в части разрешающей способности технологии создания топологических рисунков. [c.262]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...