Функция распределения в электрическом поле 60 ., Время релаксации

В уравнениях (4-1)—(4-11) Л1, т], бф — давление, молекулярный вес, обобщенные коэффициенты теплопроводности, вязкости и толщина теплового пограничного слоя топочных газов г, Х з, у з — радиус, коэффициент теплопроводности и удельный вес золовых (сажистых) частиц Гд — град ент температуры внутри частицы Тф, Гз — температуры факела и поверхности отложений q — падающий на экран тепловой поток Е, 63, П — напряженность электрического поля, толщина слоя и пористость отложений р — доля частиц, заряды которых нескомпенсированы противоположными зарядами других таких же частиц бд, R, с, е, g, В, — диэлектрическая и универсальная газовая постоянная, скорость света, заряд электрона, ускорение тяжести, индукция земного магнитного поля, постоянная Больцмана v — число элементарных зарядов (зарядов электрона е), приходящихся на одну частицу / (v) — функция распределения числа элементарных зарядов по размерам частиц г tp — время релаксации частиц при турбулентных пульсациях топочных газов, определяющее длину пробега частиц V, (о,Ч — частота и период турбулентных пульсаций v , Уф — скорость распространения турбулентных пульсаций перпендикулярно стене и скорость топочных газов v — степень турбулентности. [c.117]

Рассмотрим однородный образец полупроводника, в котором постоянное поле о создается приложенной извне э. д. с. так, что в образце устанавливается поток электронов и дырок. В стационарном состоянии df/dt = 0. Если поле Ео однородно, то V/ = 0 и сила F, действующая на дырки и электроны, равна еЕо (знак плюс относится к дыркам, минус —к электронам). Не теряя общности, можно выбрать систему координат так, чтобы ось 2 совпадала с направлением электрического поля, тогда Ео = 1гЕо. Используя эти условия и вводя в (13.8.1) время релаксации Тр с учетом того, что pg = tripV , можно получить для функции распределения дырок следующее уравнение [c.327]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...