Моделирование электронных цепей

МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ ЦЕПЕЙ [c.218]

Функциональное моделирование электронных цепей [c.219]

Функциональное моделирование электронных цепей состоит в определении функции цепи и отклонении функции цепи. Функция цепи зависит от параметров цепи в билинейной и биквадратной форме, на биквадратный случай распространяют метод корневого [c.219]

Моделирование электронных цепей [c.85]

Моделирование электронных цепей состоит в определении функции цепи и отклонения функции цепи. Функция цепи зависит от параметров цепи в билинейной и биквадратной форме, на биквадратный случай распространяют метод корневого годографа. В определении отклонения функции цепи используются методы максимума и минимума, теоретико-вероятностный, Монте-Карло, методика смешанного расчета. [c.85]

В чем сущность моделирования электронных цепей [c.104]

Наличие эквивалентных схем компонентов позволяет для моделирования электронных схем использовать методы теории электрических цепей, основанные на применении законов Кирхгофа к особым образом выбираемым контурам и сечениям электрической схемы. От выбора контуров и сечений, естественно, зависит форма получаемых уравнений и, следовательно, возможности применения того или иного метода численного решения этих уравнений. Другими словами, выбор метода моделирования предопределяется выбором метода одновариантного анализа. [c.72]

Наличие математической модели анализируемого объекта является необходимым условием для реализации расчетных методов оптимизации. Данная глава посвящена исследованию вопросов, связанных с получением математических моделей электронных схем. Методы моделирования схем, рассматриваемые в последнем параграфе главы, основаны на использовании аппарата анализа электрических цепей. Для применения этих методов к электронным схемам необходимо предварительно получить математические модели и эквивалентные схемы нелинейных компонентов. Вопросы моделирования компонентов излагаются в первых параграфах главы. [c.51]

При проектировании электронных схем их анализ желательно производить в условиях, максимально приближенных к реальным, т. е. в условиях возможно более точного отображения свойств входных сигналов и нагрузки. Тогда топологические уравнения должны описывать всю разветвленную цепь, что при больших коэффициентах разветвления выливается в чрезмерно громоздкую ММС. Задачу удается сушественно упростить, если любую совокупность одинаковых подсхем, находящихся в идентичных условиях возбуждения и работающих на одинаковую нагрузку, при моделировании представлять одной подсхемой с введением в уравнения (3.66) соответствующих коэффициентов разветвления. Коэффициент разветвления Пх ветви будем отождествлять с коэффициентом разветвления Лi подсхемы ПСг, если ветвь X) относится к ветвям ПС,-. Тогда для разветвленных схем уравнения ЗТК записываются в виде [c.74]

Mi ro- ap II (ноябрь 1984 г.). Широко известная версия Mi ro- ap II [4] предназначена для моделирования аналоговых линейных и нелинейных электронных цепей. Она имеет существенные ограничения на максимальный размер схемы (50-150 узлов), графический редактор старомоден и неудобен, программа написана на Бэйсике, но тем не менее Mi ro- ap II (имеются его выпуски 1, 2, 3 и 4) обеспечивает достаточную точность моделирования (в рамках принятых упрощенных моделей полупроводниковых приборов). Поддерживаются мониторы с высоким разрешением, сопроцессоры и вывод на плоттеры (ранее вывод данных осуществлялся только на принтеры). [c.6]

К числу еще назавершенных, но обнадеживающих исследований можно отнести работы аспиранта А. Н. Маника по геометрическому моделированию структуры молекул органических соединений, которые представляют собой тетраэдральные цепи углеродных атомов. Удалось геометрически показать, в частности, природу винтовой структуры молекул ДНК, что пока было известно лишь из снимков ДНК на электронном микроскопе. [c.115]

Многие дополнительные эффекты можно учесть путем добавления внешних по отношению к исходной модели схемных элементов. Например, при разработке БИС на сверхбыстродействующих, малосигнальных элементах эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ) предъявляются повышенные требования к точности моделирования статических характеристик логических цепей каскадно включенных элементов. Эти требования учитываются с помощью модели транзистора (рис. 6.8). Модель транзистора программы ПА-1 без учета Гб и Гк обозначена Гь Достоинство модели состоит в том, что она включает стандартные элементы электронных схем (диоды, резисторы) и не требует непосредственной модификации модели ПА-1. Диод Оэ позволяет учесть зависимость коэффициента В от тока эмиттера /э, а диод Оп и источник тока / —влияние подложки. Параметры дополнительных элементов схемы определяются из условия наилучшего совпадения с соответствующими экспериментальными зависимостями. [c.137]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...