Внутренний и вентильный фотоэффекты

В отличие от рассмотренного выше внешнего фотоэффекта, при котором под действием света электроны выходят из исследуемой среды наружу, для полупроводников более характерны два других фотоэлектрических явления внутренний и вентильный фотоэффекты. [c.346]

В настоящее время различают три вида фотоэлектрического эффекта внешний, внутренний и фотогальванический (фотоэффект в запирающем слое, или вентильный фотоэффект). [c.156]

В соответствии с изложенным различают три основных типа фотоэлементов [11] фотоэлементы с внешним, внутренним (фотосопротивления) и вентильным фотоэффектом (или фотоэлементы с запирающим слоем). [c.139]

В фотоэлектрических контрольных и измерительных устройствах применяют фотоэлементы с внешним и внутренним фотоэффектом и вентильные фотоэлементы. [c.345]

Если освободившиеся электроны остаются в освещенном веществе, повышая его электропроводность, то имеет место внутренний фотоэффект. Если электроны покидают освещенное вещество, то имеет место внешний фотоэффект. Если имеет место промежуточный случай, когда электроны из слоя освещенного вещества переходят в слой другого, не освещенного вещества, отделенного от первого тонким, так называемым запирающим , слоем, то имеет место вентильный фотоэффект. В последнем случае между слоями двух веществ возникает разность потенциалов (электродвижущая сила) в результате недостатка электронов в одном слое и избытка их в другом слое. [c.139]

Фотоэлектрическое действие излучения может проявляться по-разному. Если при поглощении квантов падающего потока из чувствительного слоя приемника вырываются электроны, то наблюдается внещний фотоэффект если поглощение квантов вызывает электронное возбуждение кристаллов и увеличивает электропроводность полупроводникового чувствительного слоя за счет перевода валентных электронов на более высокие энергетические уровни, то имеет место внутренний фотоэффект и, наконец, при создании падающим лучистым потоком электродвижущей силы (ЭДС) между металлом и полупроводником или между двумя полупроводниками наблюдается вентильный фотоэффект. [c.101]

Вентильные фотоэлементы. Рассматриваемая группа фотоэлементов основана на явлении внутреннего фотоэффекта в полупроводнике. Однако это простое явление в данном случае усложнено наличием на границе полупроводника с металлом очень топкого разделяющего их слоя с большим сопротивлением и выпрямляющим действием. Выпрямляющее (вентильное) действие этого слоя заключается в том, что он представляет собой большое [c.311]

Приборы, в которых используется фотоэлектрический эффект, получили название фотоэлементов. В соответствии с перечисленными видами фотоэффекта фотоэлементы разделяются на три основные группы 1) фотоэлементы с внешним фотоэффектом 2) фотоэлементы с внутренним фотоэффектом (фотосопротивления) и 3) фотоэлементы с запирающим слоем (вентильные фотоэлементы). [c.193]

Фотоэлемент представляет собой электровакуумный или полупроводниковый прибор, способный изменять свои параметры (ток, сопротивление, э. д. с.) под действием света (видимого или невидимого). Имеются три основных вида фотоэлементов с внешним фотоэффектом, внутренним фотоэффектом и с запирающим слоем (вентильные). [c.704]

В органических полупроводниках обнаруживаются внутренний и вентильный фотоэффекты. В контакте ароматического соединения и металла появляется фото-э. д. с., например, в системе литий — пернлен величина фото-э. д. с достигает 1 в. Фотопроводимость органических полупроводников вырастает с увеличением освегЦенности и температуры, а также обладает определенной спектральной характеристикой. Фотопроводимость может очень изменяться при введении кислорода в состав полупроводника. [c.209]

Действие фотоэлементов основано на появлении фото-э. д. с.—так называемом вентильном фотоэффекте, сущность которого заключается в следующем. Под влиянием поглощения световой энергии в полупроводнике будут возникать неосновные носители, электроны и дырки, которые будут переноситься через имеющийся в фотоэлементе запорный слой, создавая на электродах фото-э. д. с. Одновременно с ростом концентрации электронов в л-зоне и дырок в р-зоне будет усиливаться создаваемое ими внутреннее поле обратного знака таким образом установится равновесная концентрация зарядов. Широко применяемый селеновый фотоэлемент устроен следующим образом на металлический электрод нанесен слой селена, сверху которого расположен запорный слой р—п-перехода, покрытый тонким слоем золота, образующим полупрозрачный электрод, пропускающий внешний световой поток. На этом электроде под влиянием освещения создается отрицательный, а на нижнем положительный заряды (рис. 7-7). Чувствительность селеновых фотоэлементов составляет 500 мка/лм, серноталлиевых — [c.331]

Этим видам фотоэффекта соответствуют три основные группы фотоэлементов — приборов, превращающих световую энергию в энергию электрического тока фотоэлементы с внешним фотоэффектом (вакуумные и газонаполненные) фотоэлементы с внутренним фотоэффектом (фотосопротивления или фоторезисторы) фотоэлементы с запирающим слоем (вентильные или нолуиронодниковые). [c.156]

При облучении слоя оксида меди (I) в ней, благодаря внутреннему фотоэффекту, возникают свободные электроны. На границе между оксидом меди (I) и медной пластинкой образуется очень тонкий (10 —10 см) слой 2, пропускающий электроны только от СнаО к Си и препятствующий их обратному движению. В результате медь заряжается отрицательно, а оксид меди (I) — положительно. Между этими слоями появляется разность потенциалов, поддерживаемая действием излучения. Таким образо.м, во внешней цепи возникает постоянный ток от Си к СигО (направление движения электронов обратное). Наличие такого вентильного, или запирающего, слоя обусловливает выпрямляющее действие устройства и наблюдается во многих полупроводниках. Отсюда фотогальванический эффект часто называют вентильным, или фотоэффектом в запирающем слое. [c.170]

Если генерируемые светом электроны и дырки оказываются пространственно разделенными, возникает разность потенциалов между участками полупроводника. Внутренний фотоэффект, проявляющийся в возникновении фотоЭДС, называют также фотогальваническим (или фотоволыпаическим) эффектом. Возможны различные виды этого эффекта. Остановимся на трех из них 1) возникновение вентильной (барьерной) фотоЭДС в р-п-переходе, 2) возникновение диф(()узионной фотоЭДС (эффект Дембера), 3) возникновение фотоЭДС при освещении полупроводника, помещенного в магнитное поле (фотомагнитоэлектрический эффект, или эффект Кикоина — Носкова). [c.179]

Определение и классификация. Фотоэлементы— приборы, позволяющие превращать лучистую энергию в электрическую. Фотоэлементы основаны на способности света передавать свою энергию электронам. Различают следующие виды фотоэлементов а) фотоэлемент с внешнимфо-тоэффектом б) фотоэлемент с внутренним фотоэффектом в) фотоэлемент с запирающим или вентильным слоем. [c.546]

Действие фотоэлектрических ЧЭ основано на фотоэлектрическом эффекте, т. е. явлении возникновения электрического тока или изменения электропроводности вещества под влиянием лучистой энергии. Элементы, преобразующие лучистую энергию в электрическую, называют фотоэлементами (ФЭ). Действие параметрических ФЭ основано на внешнем и внутреннем фотоэффектах. Вентильные ФЭ являются генераторными (см. разд. 6.4). Принцип использования ФЭ различных Т1Ш0В один и тот же и может состоять в прерывании светового луча перемещающейся деталью (например, массой инерционного ЧЭ), изменением сечения светового потока, его силы и числа импульсов в единицу времени ГОСТ 19784—74. [c.157]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...