Четырехслойная схема

Четырехслойная схема 117 Чехарда со средней точкой схема 28, 85—96, 106, 116, 117, 124, 129, 130, 138, 139, 148, 150, 155—157, 161, 238, 243, 244, 259, 293, 296, 364, 365, 373, 378, 381, 384, 421, 526, 530, 531 [c.8]

Четырехслойная схема 117 Чехарда со средней точкой схема 28, 85-96, 106, 116, 117, 124, 129, [c.611]

Дальнейшее усовершенствование механизации процессов сборки осуществлялось на поточных линиях, состоящих из отдельных операционных станков, объединенных жесткой или гибкой связью (в виде транспортной системы), с перемещением сборочного барабана от одного операционного станка к другому. Имеется ряд патентов на такие поточные линии. Схема поточной линии сборки покрышек с импульсным перемещением сборочных барабанов через несколько участков, на которых осуществляются различные операции, изображена на рис. 4.1. Число участков зависит от спецификации, слойности и количества деталей собираемой покрышки, например для сборки четырехслойных покрышек должны быть использованы тринадцать рабочих участков. Каждый рабочий участок имеет соответствующие питающие устройства и исполнительные механизмы для выполнения операций. Работа всех механизмов должна быть тщательно скоординирована по времени. [c.210]

Рис. 11.7. Схема строения четырехслойного металлического подшипника скольжения

Рис. 27. Схема сборки двухслойного (а) и четырехслойного (б) пакетов

Рис. 4. Схема поперечного сечения четырехслойного пакета

Рис. 12. Схема поперечного сечения четырехслойного раската

В таких схемах, помимо транзисторов, применяются четырехслойные диоды, к-рые в ключевом режиме работают подобно тиратронам. [c.118]

Схема Миякоды [1962] (см. также Лилли [1965]) в некоторых отношениях сходна со схемой Адамса — Бэшфорта. Это четырехслойная схема, и для вычисления значений на слое п + 1 в ней используются значения на слоях п — 2, п — и п. Схема Миякоды тоже имеет второй порядок точности и не приводит к расчленению решений по временным шагам. Она также является слабо неустойчивой и, по-видимому, не имеет каких-либо преимуществ по сравнению с более простой схемой Адамса — Бэшфорта. [c.117]

Рис, 6, Схема четырехслойного пакета, под- вергаемого вакуумированию [c.14]

Игнитроны в машинах малой и средней мощности заменяют тиристорами — четырехслойными полупроводниковыми управляемыми приборами типа ВКДУ-150 и ВКДУ-320, Т-320, Т-600, имеющими анод на основании 1 (см. рис. 101, б) и гибкий вывод катода. Тиристор имеет электрод 3, изоляционную втулку 4 и вывод 5 от управляющей молибденовой пластины 6, которая вместе со спаянными пластинами 7, 8 и 9 составляет элемент р-п-р-п проводимости. Элемент закрыт металлостеклянной крышкой 10 и спаян или сварен с чашечкой И, соединенной с выводом 2. Тиристор ВКДУ-150 по объему равен двум спичечным коробкам (без ребер охлаждения, составляющих по объему 8—10 коробок), а близкий по мощности игнитрон в 80—100 раз больше. Тиристор может включаться при подаче низкого напряжения (1—6 в) и протекании небольшого тока 80—300 ма (у игнитрона 10—30 а). Он расходует небольшую мощность и постоянно готов к работе от —40 до 50° С. Длительность его импульсной работы при сварке и допустимые сварочные токи зависят от частоты и диапазона колебаний температур на участках соединения элементов. Мощные выключатели создаются на основе параллельного соединения мощных тиристоров типа Т600 по специальным схемам. [c.140]

Отечественная промышленность серийно выпускает симметричные полупроводниковые управляе.мые диоды — семисторы, представляющие собой две одина ковые четырехслойные структуры, размещенные в одном корпусе и включенные по встречно-параллельной схеме, или специальную пятислойную структуру с четырьмя р — п-переходами. [c.55]

Ниже излагается асимптотический анализ нелинейных возмущений, амплитуда которых превышает величину, предполагаемую в [272]. Концепция самоиндуцированного давления для таких амплитуд определяет нормировку зависимых и независимых переменных, отличную от [39, 271, 272], причем структура течения становится четырехпалубной. Оценки величин вводятся как комбинации трансзвукового параметра и степеней числа Рейнольдса. Специальный предельный переход к числам Маха порядка единицы сводит рассматриваемую асимптотическую схему к ранее предложенной четырехслойной теории [209]. [c.77]

К интегральным приборам можно отнести, например, многоэмит-териый полупроводниковый прибор. Этот прибор представляет собой группу четырехслойных переключателей, v которых имеются три общих слоя, общий коллекторный контакт, общий базовый контакт и раздельные эмиттериые слои. Этот прибор может работать как логическая схема. [c.293]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...