Электронные переходы влияние электрического и магнитного

Электронные переходы 129—275, 460—493 вероятность 151, 173, 433 влияние электрического и магнитного полей 271 вращательная структура 183—270 запрещенные для дипольного излучения 128, 132—142, 173—180, 219, 265-270, 489, 429, 561 [c.751]

Исследование влияний внешних возмущений (электрическое поле, магнитное ноле, деформации и т. д.) па оптический спектр примесного иона (в особенности речь идет об узких линиях). Эти данные, а также приведенные в п. 2, могут быть использованы для расшифровки соответствия полос поглощения конкретным электронным переходам примесного иона. [c.66]

Особое место в исследованиях влияния добавок на графитацию занимает бор. В ряде работ [2-1] было показано, что небольшие добавки бора значительно снижают электрическое сопротивление углеграфитовых материалов и изменяют температурный коэффициент сопротивления от отрицательного к положительному с переходом через нуль. Подобным образом изменяются коэффициент Холла, термо-э. д. с., средняя магнитная восприимчивость. В данном случае бор может рассматриваться как акцепторная добавка, входящая в состав углеродных веществ без соблюдения правила стехиометрии. Акцепторное действие бора проявляется уже после введения его в материал в количестве сотых долей процента. Оно заключается в захвате электронов, принадлежащих углеродным атомам и в разрыве валентных связей между атомами углерода. Последнее обстоятельство активирует перестройку структуры при графитации. Электронно-микроскопические исследования материалов, легированных бором, позволяют обнар жить дислокационные петли. [c.290]

Переходя к обсуждению влияния электрического поля дуги Е, следует отметить, что для рассматри-ваемой задачи особенно типичным является- случай движения электронов во ззаи-мно-перпендикулярных магнитном и электрическом -полях. Как хорошо известно, в такого рода скрещенных полях к поступательному движению электронов вдоль вектора Н добавляется циклоидальное движение, приводящее к отклонению электронов в направлении нормали к векторам Н и 1Е. Скорость отклонения пропорциональна напряженности электрического поля и численно равна 10 Е/Н, где Е должна быть выражена в в см. Так как составляющая скорости в -направлении магнитных сило- [c.205]

Это уравнение называют логарифмическим. Соответственно, график, построенный в координатах у — g t + onst) или у — — Ig t (при t > onst) имеет вид прямой линии. Логарифмическое уравнение, впервые полученное Тамманном и Кестером [11], отражает поведение многих металлов (Си, Fe, Zn, Ni, Pb, d, Sn, Mn, Al, Ti, Та) на начальных стадиях окисления. Вначале справедливость этого уравнения ставилась под сомнение. Были сделаны попытки вывести уравнения на основе предположений о существовании специфических свойств оксидов, таких как наличие диффузионных барьеров и градиентов ионной концентрации и других. Эти предположения не получили экспериментального подтверждения. С другой стороны, было показано, что логарифмическое уравнение можно вывести из условия, 4TQ скорость окисления контролируется переходом электронов из металла в пленку продуктов реакции, причем эта пленка имеет пространственный электрический заряд во всем своем объеме (7, 12]. Преобладание заряда, обычно отрицательного, в оксидах вблизи поверхности металла, подобно электрическому двойному слою в электролитах, было установлено экспериментально. Таким образом, любой фактор, изменяющий работу выхода электрона (энергию, необходимую для удаления электрона из металла), например ориентация зерен, изменения кристаллической решетки или магнитные превращения (точка Кюри), изменяет скорость окисления, что и наблюдалось в действительности [13—15. Когда толщина пленки превышает толщину пространственно-заряженного слоя, определяющим фактором обычно становится скорость диффузии или миграции сквозь пленку. При этом начинает выполняться параболический закон, и ориентация зерен или точка Кюри перестают оказывать влияние на скорость окисления. Исходя из этого, можно сказать, что в начальной стадии оксидная пленка на металлах [c.193]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...