Переходный эпитаксиальный сло

При выращивании тонких кристаллографически ориентированных слоев монокристаллов на подложках применяются эпитаксиальные методы. Эпитаксия - процесс ориентированного нарастания, когда образующаяся новая фаза закономерно продолжает кристаллическую решетку фазы-подложки. В результате между фазами образуется переходный эпитаксиальный слой, который способствует когерентному срастанию двух решеток. Через этот слой передается основная информация о кристаллической структуре подложки в нарастающую фазу. Один из способов эпитаксиального роста - жидкофазная эпитаксия, когда доставка компонентов к растущему на подложке слою осуществляется через жидкую фазу. [c.313]

Переходный эпитаксиальный слой 313 [c.732]

Переходный слой во многом похож на когерентные границы зерен. В нем возможно возникновение значительных механических напряжений. Если растворимость в твердом состоянии мала и не способна обеспечить когерентность перехода одной кристаллической решетки в другую, то для компенсации несоответствия в переходной области возникает двух- или трехмерная сетка дислокаций. Плотностью дислокаций несоответствия можно управлять, меняя параметры решетки растущего кристалла, например, введением примесей. Таким образом можно получать бездислокационные эпитаксиальные слои. [c.328]

При использовании в качестве транспортирующей среды пленок переходных металлов, образующих с полупроводником химические соединения, например, Рс1, 1, Т1, V, в процессе изотермического отжига происходит образование силицидов этих металлов (рис. 5.14) как в зоне контактов с подложкой, так и в зоне контакта с аморфной фазой. Эпитаксиальный слой в этом случае формируется за счет пересыщения соответствующего химического соединения атомами полупроводника, который поступает из аморфного слоя в условиях униполярной диффузии. [c.333]

Свойства эпитаксиальных слоев во многом определяются условиями сопряжения кристаллических решеток наращиваемого слоя и подложки, т. е. структурой переходного эпитаксиального слоя. Легче всего сопрягаются вещества, кристаллические структуры которых одинаковы или близки. Эпитаксия легко осуществляется, если разность постоянных решеток составляет не более 10 %. В этом случае переходный эпитаксиальный слой имеет псевдоаморфную структуру. При больших расхождениях постоянных решеток сопрягаются наибо-лее плотно упакованные плоскости. [c.327]

При авто- и гетероэпитаксии кристаллический переходный эпитаксиальный слой формируется в виде областей твердых растворов на основе кристаллических решеток двух срастающихся веществ. Протяженность этого слоя определяется внешними факторами и зависит от фазовых равновесий, характерных для данной системы. Для того чтобы переходный слой имел достаточно высокую степень совершенства кристаллической структуры, необходима взаимная растворимость срастающихся веществ и определенная температура процесса, при которой еще возможно ориентированное нарастание вещества. Существенную роль играют также степень концентрационного пересыщения осаждаемого вещества, совершенство подложки и чистота ее поверхности. [c.327]

Логика выделения собственных текстур из текстур роста дает ответ на вопрос, как и в каких условиях могут быть получены собственные текстуры. Из определения собственной текстуры следует, что для ее получения в совокупности кристаллов необходамо полностью устранить какое-либо взаимодействие (эпитаксиальное, диффузионное) растущей совокупности с подложкой. Найдены подложки, которые почти удовлетворяют этому условию ими могут быть мелкозернистые термодинамиг чески прочные соединения карбиды переходных металлов, оксиды и тл. [c.25]

Из его анализа переходных распределений температуры было сделано несколько интересных выводов [153]. Быстрое образование локальных температурных градиентов почти полностью определяется тепловыми свойствами слоев А1л 0а1 л А8, примыкающих к активному слою. Несмотря на это, в стационарном случае на увеличение температуры влияют другие эпитаксиальные слои, металлизация и вид монтажа. К тому же эффекты, связанные с тепловыми градиентами остаются малыми в течение 10 не. Как показано в 7 этой главы, эффекты, связанные со временем жизни носителей, имеют времена отклика, меньшие 5 НС. Такая разница во временном масштабе может быть полезной для проведения различия между электрическими и тепловыми эффектами. [c.270]

В ряде случаев рост эпитаксиальных пленок GaAs может сопровождаться нежелательным легированием глубокими примесями или появлением уровней собственных дефектов. Наличие глубоких примесей в полупроводнике может приводить к захвату носителей заряда и уменьщению их времени жизни. Эти эффекты оказывают влияние на многие характеристики полупроводниковых приборов, изготовленных из этого материала, например, на токи утечки, щумы диодов и транзисторов они проявляются при переходных процессах во всех транзисторах, диодах и источниках света на основе GaAs. В транзисторах, изготовленных из GaAs, эффекты захвата связываются с примесью кислорода. [c.137]

Рост многослойных структур в методе MO VD осуществляется путем изменения газовой атмосферы в реакторе. Скорость, с которой осуществляется такое изменение, зависит от величины потока и геометрии реактора. Метод MO VD позволяет при больщих потоках производить замену газа достаточно быстро и получать при этом резкие гетеропереходы [49]. Так как время, необходимое для замены, определяется величиной потока, то резкость границ оказывается связанной со скоростью роста и зависит от концентрации реагентов в газовом потоке через реактор. Для получения минимальной толщины переходных слоев в эпитаксиальных структурах при MO VD состав газовой фазы вблизи подложки должен меняться максимально быстро. Однако даже идеально резкое изменение газового состава перед реакционной камерой не позволяет получить резкого скачка состава вблизи подложки из-за размытия состава газовой смеси в процессе подхода к поверхности подложки. Это ведет к плавному изменению состава слоистой эпитаксиальной структуры. Для преодоления этой проблемы была создана наиболее оптимальная конструкция реактора (рис. 9.12) и предпринят ряд технологических мер, позволяющих свести к минимуму влияние факторов, размывающих скачок концентрации [51]. [c.350]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...