Осаждение (конденсация) матриц

При проведении одновременной конденсации пучков могут протекать вторичные реакции и агрегация активных частиц до и во время их осаждения. Чем ниже давление испаряющегося вещества, тем меньше вероятность бимолекулярных реакций до конденсации, и поэтому желательно проводить испарение при возможно более низкой температуре. Вероятность реакций в ходе осаждения зависит от величины матричного разбавления и скорости охлаждения конденсирующейся матрицы. В этом случае для создания благоприятных условий также необходима малая скорость испарения. Если давление пара вещества в ячейке должно быть высоким или пары подвергаются перегреву для достижения определенного состава, эффузионное отверстие следует делать очень небольшим, чтобы сохранить низкую скорость эффузии. [c.66]

После тщательного смешивания матричного газа и исходного соединения матричную смесь можно осаждать в криостате таким же способом, как и матрицу чистого инертного газа. При этом следует соблюдать обычные предосторожности по предотвращению конденсации примесей воздуха и влаги, однако стабильность исходного соединения делает излишней защиту газового потока от контакта со стеклянными и металлическими поверхностями. Поэтому расход газа можно регулировать игольчатым вентилем, а количество осажденной смеси контролировать при помощи ртутного манометра. [c.72]

УФч )0Т0Лиза матрицы 73, 74 Осаждение (конденсация) матрицы 17, 28, 29 Отжиг матрицы 23 [c.169]

Изложены основные представления о закономерностях диффузионного взаимодействия материала покрытия с матрицей и матрицЫ с осаждаемым материалом. Рассмотрены ростовые дефекты в покрытиях, получаемых методами испарения - конденсации материала покрытия в вакууме, разложением и восстановлением летучих металлсодержащих соединений. Оценено влияние второго компонента при осаждении двух компонентов, описаны наиболее часто встречаюищеся типы дефектов и возможные механизмы их возникновения. [c.2]

Рост по параболическому закону происходит при осаждении атомов на поверхность растущего покрытия при температуре, когда упругость паров осаждаемого материала весьма велика, но закрепление атомов возможно только в том случае, если они взаимодействуют с атомами матрицы с образованием соединения с малой упругостью паров. В этом случае происходит диффузионно контролируемый рост покрытия. Расчетный метод определения температуры, при которой физическое испарение начинает преобладать над конденсацией, указан в [60] в ней же приведены экспериментальнь1е данные, полученные при разложении паров зслоридов алюминия и меди. [c.119]

В табл. 2.3 приведена холодильная мощность (в милливаттах), необходимая для охлаждения и конденсации указанного выше потока обычных матричных газов от 298 до 20 К и от 298 К до температуры полного отверждения матрицы (0,3 7 , ). Хладопроизводительность современных микрокриогенных систем обеспечивает такую мощность. Главная проблема заключается в том, чтобы добиться эффективного отвода тепла от поверхности матрицы, где происходит осаждение, к охлаждаемому блоку и затем к резервуару холода. Технические аспекты этих процессов рассмотрены в следующей главе. [c.29]

Однако на поверхности осаждения одновременно может происходить конденсация воздуха (при наличии малейших течей в установке), а также других веществ, способных испаряться в вакуумный объем криостата, таких, как вода, адсорбированная на металличеомх и сте лянных поверхностях, или окись углерода из присоединенных высокотемпературных нагревателей. Экспериментатор не должен допускать попадания в матрицу этих примесей, которые реагируют с исследуемыми частицами и могут искажать их спектры. Например, неоднократно наблюдалось,что при испарении и замораживании атомарного лития в аргоновой матрице главными продуктами являются его окис [c.42]

Высокотемпературное испарение. Во- многих исследованиях реакционноспособные частицы получали простым нагреванием твердого образца в высокотемпературном испарителе. Образовавшиеся мономерные частицы покидают испаритель через эффузионное отверстие и, двигаясь прямолинейно, достигают охлаждаемого окошка, где и замораживаются. Одновременно следует конденсировать большой избыток матричного газа и поддерживать условия, в которых матрица быстро становится жесткой, чтобы избежать вторичных реакций частиц. В некоторых случаях удобно пропускать матричный газ через испаритель для разбацления частиц еще до осаждения, но это сильно увеличивает приток тепла к матрице, так как весь матричный газ принимает высокую температуру. В большинстве случаев матричный газ и пары вещества из испарителя конденсируют отдельными пучками, которые смешиваются наокошке. Другими примерами использования этой методики являются одновременная конденсация матричного газа с двумя или более пучками молекул, а также соконденсация пучка активных частиц со смесью матричного газа и стабильного вещества (для проведения реакции между ними). [c.65]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...