Лауэ зона

Г. Лондон [85] впервые отметил, что малые образцы должны иметь большие критические поля, чем массивные. Позднее Лауэ [86] развил более полную теорию явления. Однако указанные авторы пользовались критерием перехода, существенно отличным от данного нами выше. Они предполагали, что разрушение сверхпроводимости происходит в результате постепенного движения границы между нормальной и сверхпроводящей фазами от поверхпости образца внутрь. При этом они пренебрегали шириной переходной зоны н поверхностным натяжением ). Критерий устойчивости границы раздела в этом случае может быть выражен через критическую плотность тока, которая не дoJ[жнa быть превышена. [c.745]

Естественные преимущества модели зон Бриллюэна заключаются в том, что а) зоны определяются условиями Лауэ, играющими роль в теории ди( ракции рентгеновских лучей, и б) сохраняется соответствие между векторами к для свободных электронов и векторами к для электронов в решётке. Если волновые функции для электронов в кристалле классифицированы по схеме Бриллюэна и потенциальное поле в кристалле адиабатически уменьшается до нуля, то значения волновых чисел сохраняются неизменными и совпадают со значениями волновых чисел для образующихся свободных электронов. [c.310]

Случай Брэгга. Сделанные выше замечания для случая Лауэ в принципе справедливы также и для случая Брэгга. Однако теперь аномально проходяихая волна в боковом пятне отсутствует. Вблизи границ кристалла поле излучения интерферирует еще и с собственным полем заряда зар. Из-за разности фазовых скоростей двух полей область, где эти поля интерферируют, огра-ниче1 а зоной формирования. В вакууме зона формирования для центрального пятна имеет размер порядка и явля- [c.198]

Грани, принадлелтщие одной зоне, дают на проекции точки, лежащие на одной прямой. Если пучок лучей совпадает с кристаллографич. направлением, то построенная проекция должна иметь вид сетки. Все точки проекции располагаются на двух системах прямых. Номера прямых дают индексы граней (фиг. 9). Если по внешней форме кристалла нельзя узнать основных кристаллографич. направлений, то устанавливают кристалл с помощью светящегося экрана, меняя положение его до тех пор, пока не получают симметричного расположения пятен. Метод Лауэ непосредственно дает только взаимное расположение граней вследствие того, что длина волны для каждого отражения неизвестна. Этим методом пользуются гл. обр. для определения симметрии кристалла. При это " метод позволяет из 32 классов различать тол i ко 11 групп. Классы, [c.317]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...