Люминесценции тушение температурное

Температурное тушение. Опыты показывают, что повышение температуры люминесцирующих веществ (очевидно, что температура не должна превышать температуры термического разложения вещества) приводит к уменьшению выхода люминесценции. [c.371]

Температурная устойчивость к тушению у различных веществ различна. В одних веш,ествах люминесценция гаснет даже при —100° С, а в других она гаснет при температуре только свыше 400° С. [c.372]

Температурное тушение свечения кристаллофосфоров связано не только с действием нагревания на светящийся центр, но и с возникновением нового процесса — заполнением возбужденных центров, потерявших электрон, электронами, поднимающимися из валентной зоны под воздействием тепловой энергии. Нейтрализованные таким путем возбужденные центры свечения не могут уже служить местом последующей рекомбинации. Образовавшиеся вследствие ухода электронов дырки, перемещаясь по валентной зоне, встречаются с центрами тушения (особыми местами решетки, не способными давать люминесценцию) и локализуются на них. Для устойчивой локализации необходимо, чтобы уровни центров тушения были расположены над валентной зоной значительно выше, чем уровни центров свечения. При таком положении уровней тушения электроны из валентной зоны не смогут подняться к локализовавшимся дыркам тепловым путем. Дырки рекомбинируют с электронами из полосы проводимости. Однако рекомбинация около центра тушения не дает свечения. [c.187]

При умеренно малых температурах температурная зависимость энергетического выхода может быть обусловлена зависимостью вероятностей неоптических переходов от температуры, что, например, в сложных молекулах приводит к уменьшению энергетического выхода. Такого рода явления называются температурным тушением люминесценции. [c.28]

Линия "к = 570 нм исчезает при повышении температуры до комнатной. Эта линия не укладывается в схему уровней иона Но Ч При 450° К верхний излучательный уровень тушится и линия А. = 490 нм исчезает. Чтобы более подробно изучить тушение различных излучательных уровней при повышении температуры, была исследована температурная зависимость интенсивности люминесценции для групп линий Я — 490 и 540 нм (рис. 4). Как видно из рисунка, группа линий А, = 490 нм быстро затухает при повышении температуры, а интенсивность группы линий Я = 540 нм проходит через максимум. Наблюдаемое явление можно объяснить тем, что при повышении температуры увеличивается вероятность безызлучательных переходов, происходит тушение верхнего излучательного уровня Fg, благодаря чему увеличивается населенность более низкого излучательного уровня При дальнейшем повышении температуры этот уровень также тушится. [c.124]

В. п., явл. электронно-оптические преобразователи. Б более длинноволновой ИК области (до 14 мкм) используются системы тепловидения, основанные на температурной зависимости св-в чувствит. элемента системы, нагревающегося при поглощении И К излучения. В кач-ве тем-пературно-чувствит. материалов используются крист, люминофоры (люминесцентные экраны с тепловым тушением люминесценции под действием И К излучения и даже СВЧ диапазона), тонкие плёнки полупроводников и пироэлектриков, магнитные тонкие плёнки, холестерические жидкие кристаллы и др. (см. Тепловидение). [c.76]

Температурное тупление является, как мы это отметили, результатом внутримолекулярных процессов. Поэтому подобный вид тушения люминесценции называется внутренним. Возможны также процессы, при которых безызлучательный переход молекулы из возбужденного состояния в основное осуществляется не в результате внутримолекулярного взаимодействия частей самой молекулы, а в результате их взаимодействия с невозбужденными молекулами без предварительрюго размена энергии возбуждения на колебательные. Подобные процессы тушения названы внешними тушениями . К внешним тушениям относятся так называемые тушения при соударениях, концентрационное тушение и т. д. [c.372]

Процессы тушения молекулярной люминесценции. Выход люминесценции очень чувствителен к различным внутримолекулярным и межмолекулярным взаимодействиям, которые вызывают его-уменьщение и приводят к развитию процессов тушения люминесценции. Так, при увеличении температуры наступает температурное тушение, при добавлении посторонних примесей — тушение посторонними примесями, при увеличении концентрации — концентрационное тушение и т. д. С. И. Вавилов разделил все известные виды тущения на два класса тушение первого и второго рода. [c.179]

К., как и др. виды люминесценции, обладает инерционностью послесвечения, температурным и др. видами тушения, характерным для данного вещества спектром свечения и т. д. Вместе с тем она обладает спе-цифич. свойствами, связанными с особенностями преобразования кинетич. энергии заряж. частицы в кванты излучения значительно меньшей энергии многоэтапный процесс преобразования, наличие дополнительных каналов потерь энергии, часто наблюдающаяся нелинейная зависимость яркости свечения от напряжения и плотности тока, трековый характер возбуждения и т. д. [c.246]

Тушение люминесценции. Повышение вероятности безызлучательных переходов влечёт за собой тушение Л. Эта вероятность зависит от мн. факторов, возрастает, напр., при повышении темп-ры (температурное тушение), концентрации люминесцирующих молекул (концентрационное тушение) или примесей (примесное гушеиие). Тушение Л. зависит как от природы люминесцирующего вещества н его агрегатного состояния, так и от внеш. условий. [c.624]

При достаточно высокой температуре полупроводника энергия электрона в возбужденном состоянии может оказаться выше W и тогда электрон в основное состояние скатывается вниз по кривой ЦТ безызлучательно с испусканием фоноиов. В силу этого интенсивность люминесценции с повышением температуры уменьшается. Это явление называют температурным тушением люминесценции. [c.88]

Формула Лёвшина-Перрена имеет очень много применений в молекулярной фазике. Вочхервых, с ее помощью можно очень просто определять время жизни люминесценции. Для этого нужно провести измерения поляризации при разных температурах или в средах разной вязкости (лучше температуру поддерживать постоянной, чтоб избежать температурного тушения). Откладывая р против , мы получаем [c.242]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...