Эквивалентная электрическая схема с распределенными параметрами

При расчете механических систем электроакустических аппаратов удобнее пользоваться эквивалентными электрическими схемами с сосредоточенными параметрами, чем схемами с распределенными параметрами. Процесс расчета и результат его оказываются тогда много проще и нагляднее. В действительности, конструктивные элементы аппарата не являются в точности сосредоточенными . Например, в качестве гибкого пружинящего элемента часто используют стержень (балочку), зажатый одним концом. Детальное рассмотрение колебаний изгиба стержня показывает, что такая балочка имеет бесконечный ряд собственных частот. [c.38]

Электрические свойства пьезоэлектрического резонатора можно описать с помощью эквивалентной электрической схемы (ЭЭС), состоящей из сопротивлений, индуктивностей и емкостей [22, 60, 61, 62, 63]. В зависимости от количества электродов в резонаторе — два или в общем случае п — ЭЭС будет иметь вид двух- или в общем случае п-полюсника с сосредоточенными или распределенными параметрами. Первый способ более распространенный, второй в некоторых случаях лучше отражает реальные свойства резонатора. [c.120]

Эквивалентная электрическая схема с распределенными параметрами [c.164]

Если далее обратиться к электрическому аналогу миграции пространственных зарядов внутри границы зерна при условии соблюдения указанных выше трех предпосылок, то получим эквивалентную схему, показанную на рис. 2-6-4,в. Здесь Со — ограничивающие конденсаторы пространственные заряды заключены внутри границы зерна и не выходят за его пределы. Для схемы с распределенными параметрами R , включенной между двумя емкостями Со, дифференциальное уравнение электрического напряжения и х, t) имеет вид, показанный в выражении (2-2-48) [c.118]

П. р. — механическая колебат. система с распределенными параметрами, т. е. с бесконечным числом собств. частот. Электрически возбуждаются только те из них, при к-рых на электродах образуются переменные заряды (напр., в П. р. в виде стержня с продольными колебаниями возбуждаются колебания только с нечетным числом полуволн между его концами, рис. 2). Ток, обуслов.тенный этими зарядами, складывается с током через Со, и вблизи резонанса эквивалентная схема 1. р. имеет вид контура (рис. 3). Эффективные величины Сд и д, наз. динамич, емкостью и индуктивностью, связаны с массой, упругостью, диэлектрич, проницаемостью и пьезоэлектрич. константами кристалла [c.254]

Характерным отличием анализа поглощающих покрытий от анализа объемных поглощающих материалов является то, что покрытия анализируются как системы с сосредоточенными параметрами, а материалы — в основном как системы с распределенными параметрами. Для представления покрытий можно использовать эквивалентные схемы, а материалы исследуются как передающие линии, хотя короткие линии в отдельных случаях можно свести к системе с сосредоточенными параметрами. Поглощающий материал можно рассматривать как сосредоточенный импеданс в той же степени, в какой электрический кабель можно считать емкостью. Для правомерности такого представления материал должен быть тонким и однородным. [c.333]

Исходя из конкретных требований к числу каналов и рабочему диапазону частот выбирается структурная схема распределительной системы. Затем рассчитываются коэффициенты деления мощности делителей фидерной распределительной системы [0.1, 13]. В дальнейшем при электрическом расчете определяются параметры эквивалентных схем (волновые сопротивления линий, их длина) и развязывающих (поглощающих) элементов. В случае пространственного возбуждения [14] рассчитывается коррекция распределения фазы по излучающим элементам АФАР с учетом того, что фронт волны облучателя — сферический. [c.129]

Модель на рис. 7.18, е базируется на обобщенной эквивалентной схеме и учитывает отражение ПАВ от электродов [204]. Использование этой модели обеспечивает учет действительного распределения нормальной составляющей напряженности электрического поля, возбуждающего ПАВ, поэтому эта модель наилучшим образом отображает физическую сущность процесса. Рис. 7.18, конечно, не исчерпывает всех вариантов эквивалентной схемы Мэзона для одной секции, однако другие варианты вряд ли позволили получить более полную информацию, чем обобщенная модель, приведенная на рис. 7.18, е. Во всех эквивалентных схемах на рис. 7.18 предполагается одинаковая ширина электродов и зазоров при разной ширине необходимо менять параметры элементов схемы, иапример значения выбираемых параметров а и /3 в модели, приведенной на рис. 7.18, д. [c.335]

При изучении и проектировании пьезоэлектрических электромеханических преобразователей и анализе переходных состояний целесообразно эквивалентную электрическую схему рассматривать в виде шестиполюсника с распределенными параметрами. Эта модель была предложена Мэзоном [68] и в дальнейшем разработана Редвудом [100]. При выводе параметров эквивалентной электрической схемы Мэзон предполагал, что резонатор испытывает некоторый тнп колебаний, распространение которых происходит в одном выделенном направлении со скоростью v. Определим параметры ЭЭС иа примере продольных колебаний узких стержней, ориентированных в прямоугольной системе координат в соответствии с рис. 2.3. При этом толщина стержня (в направлении оси Л з) равна 2а, ширина (в направлении оси Хг) 2Ь и длина (в направлении оси Х ) 21. Уравнение движения стержня, ориентированного в соответствии с рис. 2.3,(7, представляет соотношение (2.31а), а в соответствии с рис. 2.3,6 — выражение (2.36а). Скорость распределения смещения v в направлении оси Xi, характеристический импеданс 2с и емкость между электродами Со определяются выражениями [c.164]

Рис. 4.26. Эквивалентная электрическая схема пьезоэлектрического резонатора в форме шестиполюсника с распределенными параметрами а — для резонатора с разомкнутыми электродами и расположением нх в соответствии с рис. 2.3, а, N = Мз1Ац б — для резонатора с подключенными электродами и расположением их в соответствии с рис. 2.3,6, N=bdu/sн.

Оригинальные модели интегральных транзисторов основаны на учете двумерности и асимметричности транзисторной структуры. Многосекционные двумерные модели являются наиболее точными, в них каждая секция замещается соответствующей эквивалентной схемой. Такие распределенные модели сложны по числу схемных компонентов и по количеству параметров. Выделим следующие сосредоточенные двумерные модели интегрального транзистора Голубева— Кремлёва, IBIS и BIRD. В них наряду с электрическими и электрофизическими параметрами учитываются геометрические размеры топологии и профиль распределения примеси в транзисторе. [c.136]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...