Чертежи интегральных микросхем

Элементам микроэлектроники, не являющимся конструктивно самостоятельными, присваивают позиционные обозначения в соответствии с топологическими чертежами интегральных микросхем и представ- [c.187]

Сборочные чертежи интегральных микросхем выполняют в соответствии с правилами, изложенными в гл. VI настоящего пособия. [c.320]

Примерами систем АКД являются системы-надстройки формирования чертежей печатных плат, интегральных микросхем, которые будут рассмотрены далее. [c.407]

Чертежи полупроводниковых интегральных микросхем [c.537]

Задание по автоматизированному выполнению чертежей интегральных полупроводниковых микросхем включает разработку [c.573]

Чертежи многослойных печатных плат применяются для конструирования интегральных микросхем и других изделий функциональной микроэлектроники. [c.195]

Топологические чертежи полупроводниковых интегральных микросхем. [c.307]

Этап проектирования топологии интегральных микросхем, включающий определение взаимного расположения элементов и их соединений и разработку чертежей фотошаблонов, является одним из наиболее трудоемких и ответственных. Проектирование больших интегральных микросхем (БИС), содержащих 10 элементов, сверхбольших (СБИС) с числом элементов более 10 , а также создание топологии и чертежей возможны только с помощью САПР. В автоматизированном или автоматическом режиме выполняются следующие этапы проектирования моделирование функционирования объекта проектирования разработка топологии контроль результатов проектирования и доработка выпуск конструкторской и технологической документации. 316 [c.316]

При разработке конструкторской документации интегральных полупроводниковых микросхем также выполняют чертежи отдельных слоев, по которым изготовляют фотошаблоны большой точности. По этому такие чертежи выполняют в масштабах не менее 200 1. [c.320]

Разработка и оформление чертежей на полупроводниковую микросхему тесно связаны с технологией ее изготовления, которая заключается в следующем. Элементы микросхемы (диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы) и их соединения создаются в объеме и на поверхности полупроводниковой пластины (подложки). На рис. 9.1 показана последовательность основных технологических операций изготовления полупроводниковой интегральной микросхемы на биполярных транзисторах, получаемых по планарно-эпитаксиальной технологии. Они включают [c.302]

Данная книга представляет собой практическое руководство по изучению, в то числе самостоятельному, дисциплины Инженерная и компьютерная графика . Учеб ник создан для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям Информатика и вычислительная техника , Конструирование и технология электронной аппаратуры и специальностям электронной техники Системы автоматизированного проектирования , Электронное машиностроение , Радиотехника и др. В книге содержатся необходимые сведения по начертательной геометрии, проекционному черчению, выполнению общетехнических и специализированных чертежей для радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), в том числе с применением современных компьютерных технологий в среде системы проектирования Auto AD 2000. Авторами предложен учебно-методический комплекс, включающий теоретический материал, электронную тренинг-систему для изучения Auto AD 2000, а также объектно-ориентированные системы-надстройки над Auto AD для разработки чертежей интегральных микросхем и печатных плат. [c.2]

Часть 1 в основном включает сведения по ЕСКД, являющейся базовой системой, которая используется в той или иной степени в других системах стандартов. Текстовые документы, схемы, чертежи выполнены на требуемом уровне, необходимом для курсовых и дипломных проектов. Конструкторские документы на изделия микроэлектроники ввиду их специфичности выделены в самостоятельный раздел ЕСКД. Представлена документация при проектировании интегральных микросхем и микропроцессорных систем. Приведены также краткие справочные сведения, необходимые в учебном проектировании, из СПДС и СИБИД. [c.5]

Топологаческие чертежи гибридных интегральных микросхем определяют ориентацию, состав и взаимное расположение элементов и контактов на подложке (плате), а также форму и размеры пленочных элементов и соединений между ними. Чертежи выполняют в соответствии с правилами ЕСКД и дополнительными требованиями отраслевых стандартов (табл. 8.7). [c.196]

На рис. 7.12 приведен габаритный чертеж микросхемы в герметизированном корпусе типа КП5. Особенности технологии изготовления микросхем определяют и специфику их чертежей. При изготовлении гибридной тонкопленочной интегральной микросхемы разрабатывают чертежи многослойных плат. На этих чертежах показывают размещение и фэрму элементов и их соединений. Такие чертежи (на [c.318]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...