Тензорезистивный эффект

Некоторые полупроводники (например, кремний) резко изменяют свое электрическое сопротивление под действием оказываемого на них давления (тензорезистивный эффект). Это свойство полупроводников используют при изготовлении из них чувствительных измерителей давления — тензодатчиков. [c.96]

Величиной, численно характеризующей тензорезистивный эффект, является тензочувствительность, которая представляет собой отношение относительного изменения удельного сопротивления р к относительной деформации / в данном направлении [c.112]

Проявление тензорезистивного эффекта существенно зависит от вида деформации и температуры. При де формации всестороннего сжатия симметрия кристалла не меняется. [c.112]

Изменение удельного сопротивления проводника под действием растягивающих или сжимающих усилий называют тензорезистивным эффектом. Он характеризуется тензочувст-вительностью, устанавливающей связь между относительным изменением сопротивления и относительной деформацией. Деформация в определяется через абсолютное удлинение отрезка s, который называется базой тензометра [c.527]

Изменение электросопротивления р непосредственно в процессе сжатия Ge через мягкие изолирующие прокладки обнаруживает некоторые особенности в области тех же напряжений ( 2 кгс/мм ), при которых возникают нелинейные участки на диаграммах сжатия (рис. 106, кривая 2). Так, рост электросопротивления, обусловленный тензорезистивным эффектом [571], почти полностью подавляется в области этих же напряжений (т.е. в области площадки АВ) некоторым донорным эффектом, природа которого более подробно будет рассмотрена ниже. Для измерения Ар/рц применялись специальные удлиненные образцы размером 4x5x30 мм, для которых обеспечивалось соотношение //5 — 14, с тем чтобы устранить влияние торцовых эффектов. При этом сравнение кривых а-е и а—(Др/р) на рис. 106 показывает, что микротекучесть проявляется при а — 2 кгс/мм . [c.181]

Так, представленные на рис. 136 данные свидетельствуют о том, что, хотя в первые моменты после нагружения кристалла наблюдается рост электросопротивления, обусловленный тензорезистивным эффектом (см. также рис. 106), он постепенно подавляется по мере выдержки кристалла под нагрузкой и увеличении общей ее величины (см. переход от 1 ко П, 111 и т.д. ступеням нагружения) за счет диффузионного стока вакансий на различные центры и свободную поверхность. Этоведет соответственно к уменьшению степени компенсации доноров и появлению донорного эффекта. Причем IV ступень нагружения уже полностью подавляет тензорезистивный эффект, а V и VI ступени вызывают уже общее абсолютное уменьшение электросопротивления. [c.217]

Тензорезистивный эффект — изменение электрического сопротивления твердого проводника (металл, полупроводник) в результате действия нагрузки, создающей деформацию. Эк ект объясняется изменением межатомных расстояний при деформации, что влечет за собой изменение структуры энергетических зон в кристалле. Последнее обусловливает изменение концентрации носителей тока, их эффективной массы, перераспределе- [c.111]

Принцип действия. Назначение. Тензорезнстор представляет собой измерительный преобразователь деформации, основанный на тензорезистивном эффекте — свойстве проводников или полупроводников изменять свое электрическое сопротивление при деформировании. В зависимости от конструктивного исполнения различают тензорезисторы приклеиваемые и бесклеевые. Приклеиваемые тензорезисторы жестко закрепляют с помощью клея или цемента на поверхности контролируемой детали с упруго-вязкой (упруго-пластичной) деформацией. Тензорезнстор в этом случае приобретает такую же деформацию, как и участок, где он закреплен. Бесклеевой [c.132]

Существуют Э. п., не имеющие механич. колебат. системы и создающие колебания непосредственно в среде, напр, электроискровой излучатель, возбуждающий интенсивные звук, колебания в результате искрового разряда в жидкости, излучатель, действие к-рого основано на электро-стрикции жидкостей. Эти излучатели необратимы и применяются редко. К особому классу Э. п. относятся приёмники звука (также необратимые), основанные на изменении электрич. сопротивления чувствит. элемента под влиянием звук, давления, напр, угольный микрофон или ПП приёмники, в к-рых используется тензорезистивный эффект. Когда Э.п. служит излучателем, на его входе задаются электрич. напряжение и и ток I, определяющие его колебат. скорость V и звук, давление р в создаваемом им поле на входе Э.п. — приёмника действует давление р или колебат. скорость V, обусловливающие напряжение V и ток I на его выходе (на электрич. стороне). Теоретич. расчёт Э. п. устанавливает связь между его входными и выходными параметрами. [c.866]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...